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Fターム[5F157BB61]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 液体による洗浄形態(又は方式) (4,470) | 洗浄の補助 (842)

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【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 (もっと読む)


【課題】基板表面のパターンの倒壊を効果的に抑制することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理方法は、表面に薄膜パターン10が形成された基板Wの表面に、純水の比抵抗以上の比抵抗を有する絶縁液体21を供給する絶縁液体供給工程と、基板Wに電圧を印加することにより薄膜パターン10を帯電させる帯電工程と、帯電工程と並行して、絶縁液体21を基板Wの表面から排除する乾燥工程とを含む。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ4に処理を施すための半導体ウェハ処理装置100であって、半導体ウェハ4を保持するためのウェハカセット1と、ウェハカセット1に配置された半導体ウェハ4の処理面3に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極5と、処理液7を導入可能な内部空間18を有し、かつ内部空間18に半導体ウェハ4、ウェハカセット1および対向電極5を配置可能な処理槽8と、半導体ウェハの処理面3a側の処理液7の流速が処理面3aの裏面3b側の処理液7の流速より速くなるように制御するための処理液供給口6、ポンプ17とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 被処理物を回転させながら処理液を供給する枚葉式ウエット処理において、被処理物表面に形成された導電性部材のガルバニックコロージョンを抑制可能であり、更には、ナノレベルのパーティクルをも除去することが可能なウエット処理装置及びウエット処理方法を提案する。
【解決手段】被処理物Wの被処理面Waの少なくとも一部を被覆する被覆手段13を備え、保持手段11に保持された被処理物Wの被処理面Waと被覆手段13との間に間隙gを形成した状態にて、処理液供給手段14により脱酸素状態の処理液を供給する。更に、被処理物Wの被処理面Waと対向する位置に配される対向電極31aと、被処理物Wに接続可能な被処理物用電極32との間に、電圧を印加する。 (もっと読む)


【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハWの周縁部上の処理位置に刷毛部材7が配置される。カーボンファイバにより形成された弾性線状体16が、ウエハW上のフッ硝酸の液膜に接触する。可撓性を有する弾性線状体16は、フッ硝酸の液膜に接触すると、その先端部がウエハWの回転半径方向外方側に向く湾曲線状に弾性変形する。弾性変形後の弾性線状体16が、そのフッ硝酸をウエハW外に向けて案内する。 (もっと読む)


【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】薬液循環型の基板洗浄処理装置の薬液中のCuイオン濃度の上昇を防止する。
【解決手段】被処理基板を薬液4を用いて洗浄する処理チャンバ1と、薬液4を循環させる循環機構とを有する洗浄処理装置において、循環機構又は処理チャンパ内に、薬液4に接触するアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属板5を着脱可能に設置する。薬液4中のCuイオンが金属板5のAlと交換して、Cuが金属板5表面に析出し、薬液中のCuイオンが除去される。金属板5は、塵埃を発生せず、安価かつ着脱容易であるから、製造コストが低減される。 (もっと読む)


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