【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近（微細気泡発生領域）を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 （もっと読む）

【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄を効果的かつ安定して実施することが可能な洗浄装置、当該洗浄装置に用いられる溶存気体濃度測定装置の校正方法および溶存気体濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】この発明に従った校正方法は、液体に溶存する気体の濃度を測定する測定装置を校正する校正方法であって、液体に溶存する気体の濃度を変化させて、液体に超音波を照射したときに生じる発光の強度がピークを示す当該気体の濃度を基準濃度として予め決定する工程（Ｓ１０）を実施する。次に、液体中の気体の濃度を変化させながら液体に超音波を照射することにより、発光の強度がピークを示すときに、校正する対象である測定装置により洗浄液中の窒素の濃度を測定して、当該窒素の濃度の測定値を決定する工程（Ｓ２０）を実施する。測定値と基準濃度とに基づいて、校正する対象である測定装置を校正する工程（Ｓ３０）を実施する。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して液処理した後、その液層を排出することができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部の下方に設けられた貯留槽と、前記貯留槽の外周側に該貯留槽を囲むように設けられた環状のカップ部と、を有し、前記貯留槽は、前記基板支持部により支持される前記基板の下面に対向するように設けられた円形の底部と、前記底部の外周部に該底部を囲むように設けられた周壁を含む堰部と、を含み、前記底部と前記堰部との相対的な位置関係を変化させることによって、前記貯留槽に液体を貯留し又は前記貯留槽の液体を排出し、前記カップ部は、前記排出された液体を収容することを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】 本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】基板を液層に浸漬して洗浄した後、回転して液膜処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体を貯留し、液層を形成する貯留槽と、基板を回転可能に水平に支持し、前記貯留槽に対する離間距離を増減可能な基板支持部と、前記貯留槽の外周側に設けられ、前記基板支持部が前記貯留槽から離間した位置において前記基板を回転することにより前記基板から振り払われる液体を受けるカップ部とを備える基板処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】被洗浄物の均一な洗浄が行え、かつダメージを低減できる超音波洗浄装置を実現すること。
【解決手段】超音波洗浄装置は、被洗浄物８を洗浄液７で浸した洗浄槽２と、前記洗浄槽２の底面に配置され、前記洗浄液７を振動させる複数の超音波振動素子３０２と、前記素子毎の共振周波数を記憶するメモリ部４０９と、発振周波数を切り替え可能な発振部４０２と、前記素子３０２をランダムに切り替えて、前記メモリ部４０９に記憶された素子毎の共振周波数に基づいて前記発振部４０２を制御し、前記素子に高周波電力を供給する制御部４０１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 （もっと読む）

【課題】 ノズルを十分清浄に洗浄でき、かつ、そのメンテナンスが容易なノズル洗浄装置および該ノズル洗浄装置を備えた塗布装置を提供する。
【解決手段】 洗浄機構６０は、超音波振動子１５を収納するとともに、この超音波振動子１５を冷却するための冷却水１３を貯留する冷却水貯留部１１を備える。また、洗浄機構６０は、冷却水貯留部１１に貯留された冷却水１３中にその下面が浸漬された状態で配設され、その内部に溶液１４を貯留する溶液貯留部１２を備える。スリットノズル４１を溶液１４中に浸漬した状態で超音波振動子１５が超音波振動を発振した場合には、この超音波振動は、冷却水１３および溶液貯留部１２を介して溶液１４に伝達される。 （もっと読む）

【課題】
超音波洗浄において、被洗浄物表面の局所部分において生じるダメージを抑制し、かつ安定した洗浄性能を得るようにする。
【解決手段】
洗浄液を収容した処理槽の内部で被洗浄物を洗浄液に浸漬して保持し、超音波振動発信器によりある範囲で周波数を変化させて発生させた高周波電力を超音波振動発生部に印加して超音波振動を発生させ、この発生させた超音波振動を処理槽の内部の被洗浄物が浸漬されている洗浄液に伝播させ被洗浄物を超音波洗浄する超音波洗浄方法において、超音波振動発信器から超音波振動発生部に印加するある範囲で周波数を変化させて発生させた高周波電力のうち被洗浄物の共振周波数帯に相当する周波数帯の高周波電力を他の周波数帯の高周波電力に対して変化させて超音波振動発生部に印加するようにした。 （もっと読む）

【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽４内の第１の処理液に、物品Ｗを浸漬させたまま、処理槽４内に第２の処理液を供給し、処理槽４の上部から第１の処理液を排出し、処理槽４内の第１の処理液を第２の処理液に置換する。物品Ｗを第２の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第２の処理液から物品Ｗを引き上げる。この際に、第１の処理液としてアルコール水溶液を用い、第２の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 （もっと読む）

【課題】被洗浄基板へのダメージの発生を抑えることができ、また、エレクトロニクス産業等で使用される高精密度の基板等に対して高清浄度の洗浄を行うことが可能な超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供すること。
【解決手段】被洗浄物を超音波振動子の振動面から延びた垂線の液面までの成す領域（超音波照射領域）外の洗浄液の液面下の近傍に位置するように保持して、超音波によって洗浄液の表面に表面張力波を励起させ、被洗浄物に超音波を直接照射することなしに、表面張力波による音圧によって被洗浄物の微粒子汚染物を剥離するようにして、被洗浄基板へのダメージの発生を抑える。 （もっと読む）

【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄（プレ洗浄）技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄（プレ洗浄）剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にＧａＡｓ、サファイア、SｉＣのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】乾式洗浄と湿式洗浄とを選択的に実施できる基板処理設備及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理設備は、基板が載せられた容器が置かれるポート１１００及びインデックスロボット１２００を有するインデックス部１０００と、基板処理を遂行する処理部２００と、処理部２００とインデックス部１０００との間に配置されてこれらの間に搬送される基板が一時的に留まるバッファユニット４０００と、を含み、処理部２００は、基板を搬送するための移送路に沿って配置されるグルー除去用処理モジュール、基板冷却処理モジュール、加熱処理モジュール、及び機能水処理モジュールを含む。 （もっと読む）

【課題】研磨後の表面粗さの悪化を抑制し、かつ、洗浄性に優れる酸性洗浄剤組成物の提供。
【解決手段】平均付加モル数が１０〜９０である炭素数２〜４のオキシアルキレン基と、アニオン性基（カルボン酸基を除く）又はその塩とを有する水溶性化合物、酸、及び水を含み、２５℃におけるｐＨが０．５を超え５．０未満である、シリカ研磨材及び／又はシリカ研磨屑が付着した電子材料基板を洗浄するための電子材料基板用酸性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】被処理層を所望の形状に形成することが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】この現像方法（基板処理方法）は、基板１００上に配置されたレジスト層１０１を現像する現像方法であって、レジスト層１０１上に現像液を供給し、現像液の表面張力を利用してレジスト層１０１上に液層１０２を形成する液層形成工程と、液層１０２によるレジスト層１０１の現像を進行させる処理工程と、を備える。処理工程は液層１０２を攪拌する攪拌工程を含む。 （もっと読む）

【課題】容器中の液体を通る音波の行動により基板を洗浄し、容器中で実質的に音波の反射が発生しない方法に関する。洗浄効率に関して大きな改良を得る。
【解決手段】基板は、洗浄液を含むタンク中に、液体中で形成された音波に対して所定の角度で配置される。この角度は、伝達角度に対応し、即ち、基板表面から波が反射されない角度に対応する。減衰材料はタンク中に配置され、基板を通って伝達される全ての波を実質的に吸収するように配置される。 （もっと読む）

【課題】金属膜が形成された基板においてパターンの倒壊を抑制すること。
【解決手段】水を含むリンス液が、金属膜が形成された基板に供給される（Ｓ２）。その後、水酸基を含まない第１溶剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が第１溶剤に置換される（Ｓ４、Ｓ５）。その後、水酸基を含まない第２溶剤を含み金属を疎水化する疎水化剤が、基板に供給されることにより、基板に保持されている液体が疎水化剤に置換される（Ｓ６）。 （もっと読む）

【課題】占有面積の増加を招くことなくハンド洗浄のための構成を設けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インデクサロボット１１と、主搬送ロボット１２と、処理ユニット６と、受渡ユニット９と、ハンド洗浄ユニット１５とを含む。インデクサロボット１１および主搬送ロボット１２は、基板を保持するインデクサハンド２０および主搬送ハンド３０をそれぞれ有している。インデクサロボット１１と主搬送ロボット１２とは、受渡ユニット９を介して基板を受渡する。ハンド洗浄ユニット１５は、受渡ユニット９の上方または下方に配置され、インデクサハンド２０および主搬送ハンド３０を洗浄する。 （もっと読む）