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Fターム[5F157BC09]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄 (2,109) | 洗浄液 (1,241) | 酸化還元電位値 (15)

Fターム[5F157BC09]に分類される特許

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【課題】SiC半導体に対する洗浄効果を発現できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、30ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】汚染物質の粒子の除去効率に優れ、洗浄による基板へのダメージも少ない洗浄方法の提供。
【解決手段】汚染物質の粒子の除去のために基板を洗浄液で洗浄する方法であって、前記洗浄液として、電気陰性度が前記汚染物質よりも大きく、分子容積が130Å以下である鎖状のハイドロフルオロカーボンおよびハイドロフルオロエーテルから選ばれる溶剤を用いることを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】IPA等の使用量を可能な限り減少させ、しかも液滴やミストの発生を最小限に抑えることによって、乾燥後の基板表面にウォーターマークが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】少なくとも一部に疎水性を有する基板Wの表面を乾燥させる基板処理方法であって、基板Wの表面と近接した位置に近接板16を該基板Wの表面に対向させて平行に配置して、基板Wの表面と近接板16との間に該基板Wの表面及び該近接板16にそれぞれ接する連続した被覆液膜28を形成し、基板Wと近接板16とを互いに平行に一方向に相対移動させて被覆液膜28の基板Wの表面に対する位置を変更させることで、基板Wの表面の近接板16で覆われなくなった領域に位置していた被覆液膜28を基板Wの表面から除去する。 (もっと読む)


【課題】枚葉式洗浄装置に断続的にオゾン水の供給を繰り返しても安定した濃度のオゾン水を供給可能で、送水ポンプが不要なオゾン水供給装置を提供する。
【解決手段】オゾン水と少なくとも大気圧以上の一定圧のオゾンガスが供給される計量槽と、計量槽の内圧が一定の圧力を超えたときオゾンガスを放出して計量槽の内圧をオゾンガス供給圧より低い一定圧に保つオゾンガス放出手段と、計量槽からオゾン水を供給するオゾン水供給給配管とを有する。 (もっと読む)


【課題】 半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水においてより高い洗浄効果を得るために、気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、適量の気体成分を洗浄水に添加することにより洗浄水のpHと酸化還元電位(ORP)をより簡便かつ精密に制御できる水溶液のpH及び酸化還元電位の制御方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 気体添加を目的とした気体透過性の膜を介して、気体成分を水溶液に添加することにより水溶液のpHと酸化還元電位を制御するものであって、半導体基体、液晶基体、磁性基体または超伝導基体製造プロセスにおけるウェット洗浄の洗浄水として水素添加水を用い、前記水素添加水に添加する前記気体成分としてアンモニアガスを使用する。 (もっと読む)


【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション110では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のpHレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約6.5ないし14に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 (もっと読む)


【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、パーティクル成分のうち、研磨剤の無機微粒子や金属イオン成分の除去には効果があるものの、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料(銅、タングステン等)が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン(A)、少なくとも1個のカルボキシル基を含有し下記式で表される式量電位(V)が−0.170〜0.430である多価水酸基含有化合物(B)及び水(W)を含有してなり、25℃でのpHが2〜14であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。

式量電位(V)=1.741×(LUMO−HOMO)−0.462

[式中、LUMO、HOMOは、プログラムシステムGAUSSIANで成分の第一原理計算を行い算出した最高被占軌道(HOMO)と最低空軌道(LUMO)のエネルギーレベルである。] (もっと読む)


【課題】基板表面に形成された金属薄膜を腐食させることなく、基板表面を良好に洗浄することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Wfに銅配線81が形成された基板Wに対してポリマー除去成分を含む処理液による洗浄処理に続けてDIWによるリンス処理が行われる。このリンス処理中においては、ヴィアホール83a内に入り込んだ処理液を短時間でリンス液に置換することは難しく、ヴィアホール83a内に処理液とリンス液が並存し、このことが銅配線81のうちヴィアホール83aの底部に位置する部分に腐食を発生させる主要因のひとつと考えられるが、処理液の酸化還元電位とリンス液の酸化還元電位の差を20mV以下とすることで処理液とリンス液の相互作用を抑えて腐食発生を効果的に防止することができる。 (もっと読む)


【課題】「パターン剥がれ」が生じない条件で、高いパーティクル除去比を期待できる半導体基板等の洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽として、主洗浄槽1を用意し、主洗浄槽1内において、洗浄対象となるウェーハ2の表面に、導入口3からエッチング液を供給してエッチングを行い、その後、pH調整用媒体として、pHが9.5〜10.5未満に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行い、次いで、洗浄媒体として、pHが10.5〜12.5に保たれたアルカリイオン水を供給して洗浄を行う。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物がたとえ複雑形状を有する場合であっても、被洗浄物表面上の汚染物質を十分に除去できる洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】純水にオゾンを溶解させたオゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得るための紫外線照射処理槽6、紫外線照射処理槽6内で得られた洗浄液を供給する管路15および洗浄液を被洗浄物に接触させるための手段7を備え、オゾン水に紫外線を照射して洗浄液を得た直後に、当該洗浄液を被洗浄物に接触させる。 (もっと読む)


【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも1つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第4級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも1つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 (もっと読む)


【課題】精密研磨した直後のSiC単結晶基板を用いて洗浄し、洗浄後のSiC単結晶基板表面の重金属の残留を極めて少なく出来るSiC単結晶基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】研磨剤2、および軟質な研磨パッド3を用いてSiC単結晶基板1の表面研磨を行う研磨工程(a)と、前記SiC単結晶基板を複数枚集めて一つのトレイ4にセットし洗浄ロットを用意する洗浄準備工程(b)と、前記洗浄ロットを薬液6へ浸漬させ、超音波洗浄する第一の超音波洗浄工程(c)と、前記洗浄ロッドを酸と酸化剤と水からなる洗浄液8を用いて所定の温度にて洗浄を行う主洗浄工程(d)と、SiC単結晶基板1の表面に付着している洗浄液8をリンス液11に置換するリンス工程(e)と、前記洗浄ロットを超音波洗浄用の薬液11へ浸漬させ超音波洗浄する第二の超音波洗浄工程(f)と、前記洗浄ロットを乾燥する乾燥工程(g)と、から成るSiC単結晶基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】デバイス基板の洗浄において、配線や絶縁膜、容量膜等のデバイス材料の腐食や溶解を防止しつつ、基板上のパーティクル等の汚染を効果的に除去することができるデバイス基板用の洗浄組成物、洗浄方法、洗浄装置の提供。
【解決手段】1分子中に少なくとも1つの水酸基を有し、HLBが12以上20以下の非イオン界面活性剤と、ベンゾトリアゾール又はその誘導体と、を含有し、25℃における水素電極基準の酸化還元電位が略−1200mV以上100mV以下または略400mV以上1200mV以下の塩基性水溶液を用いて基板を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】シリコン製若しくはガラス製の基板表面、または基板表面に形成された無機系被膜表面に強固に付着している無機系の異物を表面粗さの増加を抑えながら容易に除去することができ、しかも一度除去された異物が基板表面に再付着することが防止された異物除去方法の提供。
【解決手段】シリコン製若しくはガラス製の基板表面または該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法であって、前記基板材料、前記無機系被膜材料および前記無機系異物のうち少なくとも1つに対して0.01/cm以上の光吸収係数となる波長域の光線を、酸素若しくはオゾン含有雰囲気下にて前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面に照射量10J/cm2以上で照射した後、負の表面電位を有する前記基板表面若しくは前記無機系被膜表面にpH≦6の酸性溶液を曝すことを特徴とする基板表面若しくは該基板表面に形成された無機系被膜表面から無機系異物を除去する方法。 (もっと読む)


半導体デバイスを湿式清浄化するときに採用される装置、システム及び方法が提供される。特に、所望のCO2濃度の脱イオン水を供給することのできるシステム、及び半導体デバイスを湿式清浄化するときに使用するため、所望のCO2濃度の脱イオン水を生成する方法が提供される。
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