【課題】処理対象の基板の周囲において、簡素な構成により、金属製の処理容器から溶出した金属の濃度を低減することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】高圧流体を用いて基板Ｗに対する処理を行う基板処理装置において、基板Ｗの処理が行われる金属製の処理容器１には、密閉自在な基板Ｗの搬入出口２が設けられると共に、高圧流体やその原料流体を供給する流体供給ライン２３１、処理容器内１の高圧流体を排出する流体排出ライン２３９が接続されている。基板保持部２は基板Ｗを保持した状態で処理容器１の内部に配置され、樹脂製の筒状体６は、基板保持部２に保持された基板Ｗにおける、板面を含むこの基板Ｗの周囲を囲むように、当該基板Ｗと処理容器１の内壁面との間に設けられている。 （もっと読む）

【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式（１）


で表される含フッ素３級アルコールまたは一般式（２）


で表される含フッ素３級ジオールを含む。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の高圧流体からシール部材を保護して、長期間、清浄な状態で使用することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置は搬入出領域２を介して処理容器１内に搬入された被処理基板Ｗに対して高圧流体を用いて処理を行い、蓋体３は処理容器１に当接して、搬入出領域２を気密に塞ぐ。規制機構２６は蓋体３が処理容器１内の圧力により後退することを規制し、シール部材１２は、蓋体３が搬入出領域２を塞いだときに、この搬入出領域２を囲んだ状態で蓋体３と処理容器１との間に介在する。保護シート１３は、シール部材１２を高圧流体との接触から保護するために、当該シール部材１２を覆うように設けられ、前記高圧流体に対する耐食性を有する材料により構成されている。 （もっと読む）

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】処理容器内において被処理基板に対して高圧流体を用いて処理を行うにあたって、処理容器の搬入出口を気密に塞ぐ蓋体と当該処理容器との間に設けられるシール部材の劣化及び当該シール部材を介した被処理基板の汚染を抑えること。
【解決手段】処理容器１内にウエハＷを搬入出する搬入出口２を囲むように、処理容器１と蓋体３との間に第１のシール部材１１及び第２のシール部材１２を搬入出口２側から処理容器１の外側に向かってこの順番で配置して、第１のシール部材１１については高圧流体に対して耐食性を有する材質により構成する。そして、第１のシール部材１１に加わる差圧を緩和するために、差圧緩和領域１３に窒素ガスを供給して、当該差圧緩和領域１３における圧力が処理容器内１の圧力よりも低く且つ処理容器１の外部よりも高い圧力に設定すると共に、第２のシール部材１２により窒素ガスが外部に流出することを防止する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体を利用して基板を乾燥させる基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法を提供する。
【解決手段】超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる工程チャンバー２５００と、前記工程チャンバーから排出された前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する再生ユニット４０００と、を含む基板処理装置である。また、超臨界流体で提供される流体を利用して基板の上の有機溶剤を溶解して前記基板を乾燥させる段階と、前記流体から前記有機溶剤を分離して前記流体を再生する段階と、を含む基板処理方法である。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや処理むらの発生を抑制しつつ被処理基板の液処理を行う液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には流体の供給、排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、前記開口部２２２を塞ぐ蓋部２３には流体の供給、排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。下部ポート２２６からは液体が供給されて処理槽２２内の気体が置換され、上部ポート２３４からは前記液体と置換され、被処理基板Ｗを処理する処理液及びその乾燥を防止する液体が供給される。さらに高圧流体雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減すると共に、乾燥処理に要する時間を短縮することができる半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、微細パターンが形成された半導体基板の純水リンス後に、半導体基板の表面を水溶性有機溶媒に置換し、水溶性有機溶媒に濡れた状態でチャンバ内に導入する。そして、チャンバ内の温度を昇温して、水溶性有機溶媒を超臨界状態にする。その後、チャンバ内を純水が液化しない温度に保ちながら圧力を下げ、超臨界状態の水溶性有機溶媒を気体に変化させてチャンバから排出し、半導体基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】二酸化炭素を回収、再生、再利用し、かつ、半導体基板上に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が超臨界置換溶媒で濡れた半導体基板をチャンバ内に導入する工程と、チャンバ内に第１の二酸化炭素に基づく第１の超臨界流体を供給する工程と、前記第１の超臨界流体の供給後に、前記チャンバ内に、第２の二酸化炭素に基づく第２の超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記第２の超臨界流体を気化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。第１の二酸化炭素は、チャンバから排出される二酸化炭素を回収し再生したものである。第２の二酸化炭素は、超臨界置換溶媒を含まないか又は第１の二酸化炭素よりも超臨界置換溶媒の含有濃度が低いものである。 （もっと読む）

【課題】水分濃度が低い有機溶媒を処理部又は被処理体に供給して処理を行うことにより、被処理体や処理部の腐食を抑えること。
【解決手段】イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の供給源３０からＩＰＡを貯留タンク３に供給し、貯留タンク３内のＩＰＡを、水分除去フィルタ４及び濃度測定部５を備えた循環路３２を介して循環供給する。ＩＰＡは、循環路３２内を循環させることにより、水分除去フィルタ４により徐々に水分が除去される。そして、濃度測定部５により測定された水分濃度が０．０１重量％以下であるときには、中間タンク６にＩＰＡを送液する。中間タンク６からは、処理チャンバ１１に水分濃度が０．０１重量％以下のＩＰＡが供給され、処理チャンバ１１では、当該ＩＰＡを高温、高圧状態として、ウエハＷの処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生や、処理用の液体を構成する物質の基板内への取り込みを抑えた超臨界処理装置及び超臨界処理方法を提供する。
【解決手段】処理容器は超臨界流体により処理が行われる基板を収容し、液体供給部は処理容器内にフッ素化合物を含む処理用の液体を供給する。流体排出部は処理容器から超臨界流体を排出し、熱分解成分排除部は前記処理容器内または前記液体供給部から供給される液体内から、当該液体の熱分解を促進する成分を排除する一方、加熱部は、ハイドロフルオロエーテルまたはハイドロフルオロカーボンであるフッ素化合物を含む前記処理用の液体を加熱する。 （もっと読む）

【課題】改良されたシール手段を有する処理チャンバーを開示する。
【解決手段】処理チャンバー１０１は下部要素１５０と上部要素１１０とシール付勢器とを有する。シール付勢器は処理空間１４０を維持するために下部要素１５０に対して上部要素１１０を維持するように構成されている。シール付勢器はさらに処理空間１４０内で発生する処理圧力に対して非線形に変化するシール付勢空洞１１５内のシール圧力を発生させるように構成されている。一つの実施形態において、シール付勢器は上部要素１１０および下部要素１５０の一方に対して負ではない最終的な力を閾値以上において最小化するように構成されている。Ｐ１がシール圧力であり、Ｐ２が処理圧力であり、Ａ１がシール付勢空洞の断面積であり、Ａ２が処理空間の断面積であるとした場合に、最終的な力は、式Ｐ１＊Ａ１−Ｐ２＊Ａ２に従う。 （もっと読む）

【課題】簡単な装置構成で実施可能であり、微細パターンが形成されている基板をその微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄するための基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】微細パターンが表面に形成された基板としてのウエハＷの洗浄処理を、ウエハＷの表面に所定の加工を施す処理チャンバからウエハＷの洗浄を行う洗浄チャンバへ搬送する搬送ステップと、洗浄チャンバ内においてウエハＷを所定温度に冷却する冷却ステップと、超流動体としての超流動ヘリウムをウエハＷの表面に供給し、ウエハＷの表面から超流動ヘリウムを流し出すことによって微細パターン内の汚染成分を押し流す超流動洗浄ステップにより行う。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、簡素な構成の基板搬送装置等を提供する。
【解決手段】基板搬送装置の搬送トレイ５０は基板を保持する底板５１１、５２１と、その周囲に設けられた側周壁５１２、５２２とから構成されると共に、底板５１１、５２１には基板の受け渡しを行う相手である昇降部材が通過するための開口部５３が設けられている。さらに搬送トレイ５０には、開口部５３内の昇降部材を搬送トレイ５０の外側に通り抜けさせる空間５４が一時的に形成されると共に、基板の搬送時には搬送トレイ５０内に液体が溜められ、基板の上面側が当該液体に接した状態で基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】減圧に伴って樹脂成形体等の被処理体が発泡してしまう問題を解決する技術を提供する。
【解決手段】高圧処理チャンバー内で、被処理体と高圧流体とを接触させることで被処理体の高圧処理を行った後、大気圧まで減圧するための高圧処理方法であって、複数の減圧工程を含み、高圧処理直後の第１減圧工程では、上記チャンバー内の高圧流体の密度を略同等に維持しつつ減圧することを特徴とする高圧処理方法である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 マイクロエレクトロニクス・トポグラフィを処理するための方法は、超臨界状態または液体状態の流体を含むエッチング溶液を使用してトポグラフィの層を選択的にエッチングすることを含む。一部の実施形態では、エッチングプロセスは、エッチング副生成物の沈殿を抑制するために、プロセスチャンバをベントするのと同時にエッチング溶液の新鮮な組成をプロセスチャンバに導入することを含んでよい。エッチングプロセスに続いて、超臨界状態または液体状態の流体を含むすすぎ溶液がプロセスチャンバに導入されてよい。場合によっては、すすぎ溶液は、エッチング副生成物の沈殿の抑制を助けるために、酸、極性アルコール、および／または水などの、流体と混合される１つまたは複数の極性共溶媒を含んでよい。追加または代わりとして、エッチング溶液およびすすぎ溶液の少なくとも一方は、トポグラフィの周囲の溶解エッチング副生成物の沈殿を抑制するためにそれらのエッチング副生成物を変性させるように構成された化学物質を含んでよい。 （もっと読む）

【課題】 銅等の金属配線の電気抵抗低減および安定化を実現し、銅等の金属配線の信頼性を向上させることが可能な金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供することである。また、配線構造を形成する過程で配線あるいはデバイス構成材料中に取り込まれた不純物を除去し、配線膜の比抵抗値の上昇を防止し、信頼性を高めることのできる金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された金属配線およびこの金属配線を有するデバイスを提供する。
【解決手段】 半導体ウエハー上にめっき法あるいは気相堆積法により形成された金属配線膜を常圧より高圧の二酸化炭素または不活性の気体ないし流体中に一定時間曝して処理する金属配線膜の抽出洗浄方法、抽出洗浄処理された配線およびこの配線を有するデバイスとした。 （もっと読む）

【課題】フッ素化合物を用いて高度な洗浄効果が得られるようにした洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくともフッ素化合物を含有する洗浄液（フッ素系溶剤）３に、被洗浄物１を浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、浸漬工程における、洗浄液３の温度ｔが、洗浄液３に含まれるフッ素化合物の１気圧における標準沸点または１００℃のいずれか低い方の温度以上であり、かつ雰囲気圧力が温度ｔにおいてフッ素化合物が液体状態となる圧力であることを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、良好に除去できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】フッ素含有ガスを用いたプラズマエッチング工程で発生するプラズマ重合物を有する被洗浄物を、含フッ素化合物を含有する洗浄液に浸す浸漬工程を有する洗浄方法であって、前記含フッ素化合物が、炭素数５以上の直鎖または分岐構造のパーフルオロアルキル基を有することを特徴とする。 （もっと読む）