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Fターム[5F157BD35]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(成分) (986) | 洗浄液に混合 (893) | 気体 (367) | 炭酸ガス (45)

Fターム[5F157BD35]に分類される特許

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【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板9を1枚ずつ処理する枚葉処理装置1、比抵抗がSPM液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部71、および、基板9に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部75を備える。基板処理装置10では、カートリッジ73に保持された複数の基板9が、除電液貯溜部71内の除電液に浸漬され、基板9の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板9が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部75による乾燥処理の終了後に、処理液供給部3により基板9の上面91上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】アルカリ現像液に含まれているレジスト成分を起因とする、半導体ウェハのパターン欠陥を抑制する。
【解決手段】図1に示すように、半導体ウェハ上の感光膜を液浸露光する(ステップS10)。なお、感光膜上には、トップコート膜が設けられていない。次に、半導体ウェハをアルカリ性の現像液に浸す(ステップS20)。次に、アルカリ性の現像液に浸した半導体ウェハを超純水によって洗浄する(ステップS30)。そして、二酸化炭素を含んだ水を用い、半導体ウェハを洗浄する(ステップS40)。 (もっと読む)


【課題】高濃度の炭酸水を簡易かつ迅速に製造することができる炭酸水の製造装置及び製造方法と、この製造装置で製造された炭酸水で電子材料部材を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】原水を、原水配管11を経由して脱気膜モジュール1の液相室1bに供給する。真空ポンプ3を作動させて気相室1c内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜1aを透過し、気相室及び排気配管13を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管12を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール2の液相室2b内に流入する。また、炭酸ガス供給器4から、炭酸ガス配管15を経由して気相室1cに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜2aを透過し、液相室2b内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管14から流出する。 (もっと読む)


【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第1飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第2飽和溶解度とした場合に、第2飽和溶解度と第1飽和溶解度との差の10〜70%を第1飽和溶解度に加えたものとする。 (もっと読む)


【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体に対する洗浄効果を発現できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、SiC半導体の表面に酸化膜を形成する工程と、酸化膜を除去する工程とを備え、酸化膜を形成する工程では、30ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 処理液に溶解する二酸化炭素の量を、所望の濃度以上に維持し、かつ、二酸化炭素を無駄に消費しないようにした基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】 比抵抗計81が、所望の比抵抗値より高い値を検出するとコントローラ82は開閉制御弁V5を開け二酸化炭素が供給される。すなわち、ポンプ24が、吸込み管25によって処理液タンク31から吸い込んだ処理液は、処理液送出管23、分岐管27、開閉制御弁V4、戻し管28、ミキシングユニット50、撹拌ノズル61を経て処理液タンクに戻る処理液循環路を循環する動作を行い、循環動作の途中のミキシングユニット50にて二酸化炭素を混入する。 (もっと読む)


【課題】LSI用半導体ウエハやMEMS用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内10で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液(過飽和ガス溶解液)と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】電子材料の洗浄における例えばレジストの剥離処理等に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る低コストで省資源化の可能な洗浄方法を提供する。
【解決手段】キャリアガス制御弁14を開成し、これとともに加圧ガス制御弁19を開成して所定の圧力で加圧ガスを供給することにより加圧板16を押圧して、気体貯槽15内のキャリアガスGを所定の圧力として、キャリアガス供給配管7に供給する。これとともに洗浄液W1を二流体ノズル8へ供給する。このようにして二流体ノズル8で混合された洗浄液W1とキャリアガスGとから生成される液滴W2の噴流を、シリコンウエハ5に接触させて、該シリコンウエハ5の表面を洗浄する。洗浄液W1としては、硫酸を電気分解して得られる過硫酸を含有する硫酸溶液が好ましい。 (もっと読む)


【課題】電子材料のレジストの剥離処理に要する時間を短縮し、さらにレジスト剥離後のウエット洗浄によりレジスト残渣を短時間に確実に除去し得る電子材料洗浄システムを提供する。
【解決手段】電子材料洗浄システムは、薬液洗浄手段1とウエット洗浄手段2と枚葉式洗浄装置3とを備える。薬液洗浄手段1は、機能性薬液貯留槽6と、この機能性薬液貯留槽6に濃硫酸電解ライン7を介して接続した電解反応装置8とを有する。この機能性薬液貯留槽6は、機能性薬液供給ライン10を介して枚葉式洗浄装置3に機能性薬液W1を供給可能となっている。ウエット洗浄手段2は、純水の供給ライン21と窒素ガス源に連通した窒素ガス供給ライン22と、これら純水供給ライン21及び窒素ガス供給ライン22がそれぞれ接続した内部混合型の二流体ノズル23とを備える。二流体ノズル23の先端から窒素ガスと超純水とから生成される液滴W2を噴射可能となっている。 (もっと読む)


【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】パターンの倒壊及びウォーターマークの発生を防止しつつ基板を洗浄・乾燥させる半導体基板の表面処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板保持回転部100に複数の凸形状パターンを形成した半導体基板Wをほぼ水平に保持して回転させ、薬液を用いて前記半導体基板W表面を洗浄し、洗浄した前記凸形状パターン表面に撥水化剤を用いて撥水性保護膜を形成し、前記撥水性保護膜形成後に、酸性水又は希釈したアルコールを用いて、前記半導体基板Wをリンスし、リンスした前記半導体基板Wを乾燥させた後に、前記凸形状パターンを残存させて前記撥水性保護膜を除去する。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ低コストでウエハ表面に形成されたレジスト膜を除去する方法及び装置を提供する。
【解決手段】表面上にレジスト膜が形成された複数のウエハを所定の間隔で平行配置するとともに、前記洗浄槽内にオゾン水を供給する。次いで、前記洗浄槽内で、前記ウエハの前記表面に沿うようにして前記オゾン水の上下流を形成し、前記レジスト膜を除去して洗浄する。次いで、洗浄後の前記オゾン水を排出する。 (もっと読む)


この出願は、基板の少なくとも部分的な領域を処理するための複数の方法及び装置を開示する。前記方法においては、少なくとも1つの液体が基板の少なくとも1つの部分的な領域に提供され、それぞれの方法に従って所望の効果を達成するために、電磁放射がこの液体に導入される。1つの方法において、液体を提供する前にUV放射によって液体のラジカルが発生され、ラジカルの発生は、少なくともラジカルの一部が基板に到達するように、液体を基板の提供する直前に行われる。基板の表面の少なくとも部分的な領域及び前記基板の表面に近い層からイオンが除去される1つの方法においては、前記基板の少なくとも部分的な領域に液体膜を形成するために、周囲温度よりも高く加熱された液体が基板に提供され、放射の少なくとも一部が基板表面に到達するように、電磁放射が前記液体膜に導入される。少なくとも部分的に疎水性の基板表面を有する基板の表面特性を、前記疎水性表面の少なくとも一部が親水性表面特性を得るように変化させる別の方法において、液体が、表面特性を変化させようとする基板の表面の少なくとも部分的な領域に提供され、所定の波長範囲のUV放射が、前記液体を通って、表面特性を変化させようとする前記基板の表面の少なくとも部分的な領域まで案内される。この方法は、共通の装置において、あらゆる所望の順序で順次に及び/又は並行して行われてよい。
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【課題】ノズルから吐出した液滴のミストをノズルの周囲の部位に付着するのを防いで、清浄度を保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板に対して液滴のミストを供給して前記基板を洗浄処理する基板処理装置1は、液滴のミストを吐出する二流体ノズル21,22と、二流体ノズル21,22を囲って二流体ノズルから吐出する液滴のミストの飛散を防止するカバー30を有しており、カバー30の先端外周部70は、二流体ノズル21,22から吐出する液滴のミストを基板Wに供給するための開口部90を有し、先端外周部70と基板Wとの間には隙間Gが形成される。 (もっと読む)


【課題】溶存ガス濃度が低濃度(低飽和度)であるガス溶解水を安定して供給することが可能なガス溶解水供給装置及びガス溶解水の製造方法を提供する。
【解決手段】ガス供給配管31から気相室13内に酸素ガスを供給すると共に、真空ポンプ35を作動し、気相室13内を真空排気する。また、原水配管21から液相室12内に原水を供給する。気相室13内の酸素の一部は、気体透過膜11を透過して液相室12内の原水に溶存し、ガス溶解水が製造される。気相室13内の酸素の残部は、凝縮水と共に真空ポンプ35で吸引されて排気配管33から排出される。ガス溶解水の溶存酸素濃度が溶存ガス濃度計23で測定され、この測定濃度が目標値となるように、ガス流量制御弁32の開度が調節される。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハ等の基板を洗浄する際に、基板に十分な薬液を供給すると共に、除去対象物を基板に再付着させることなく除去する。
【解決手段】基板洗浄装置は、薬液カップ13と、薬液カップ13内に薬液を供給する第1の吐出口15と、薬液カップ13から薬液を排出するための排液口14とを備える。薬液カップ13内に、薬液カップ13の底部から離れて略水平に基板12が配置される。第1の吐出口15から供給される薬液が薬液カップ13内に蓄積されて基板12の下面と接触することにより、該下面の洗浄を行なう。 (もっと読む)


【課題】噴射する液滴の粒径を一層均一に微小化することにより、基板上に形成された微細素子へのダメージを防止し、微小異物の洗浄が可能となる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄基板80が載置される基板載置部70と、微小液滴を生成、加速する気体を供給する気体供給部50と、微小気泡を発生して微小気泡含有液を生成する微小気泡含有液生成部60と、微小液滴を噴射する2流体ノズル1とを有する。 (もっと読む)


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