【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも発泡剤と発泡助剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記発泡剤が炭酸アルキレンと炭酸塩とを含有し、前記発泡助剤が酸性化合物を含有し、さらに酸化剤を組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】光起電力素子などの入射光を低減させるのに適したテクスチャ構造を形成するための、改善された製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基体をケイ素エッチングアルカリもしくは酸溶液で清浄化し、清浄化された半導体基体の表面を、１種以上の酸化剤を含み、７を超えるｐＨを有する酸化性組成物で酸化し、酸化された半導体基体をテクスチャ化組成物でテクスチャ化する。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、及び前記洗浄組成物を用いた半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性化合物、（成分ｄ）有機酸、並びに、０．１重量％以上、０．５重量％未満の（成分ｅ）無機酸及び／又はその塩、を含み、ｐＨが６〜８であることを特徴とする、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物により、半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣を洗浄する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハ製造工程等で要求される、非常に狭い隙間の汚れ除去に対して優れた洗浄性を示し、洗浄後の洗浄対象物表面の金属残留物を低減し、また、被洗浄物の持込による洗浄液の劣化が少なく、人体や環境への影響が少ない中性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される（ａ）エーテル型非イオン界面活性剤０．３〜３重量部及び（ｂ）糖アルコール、脂肪族オキシカルボン酸及びその塩、ポリカルボン酸及びその塩の群から選ばれた少なくとも1種の金属イオン封鎖剤（キレート剤）、０．００５〜１重量部および（ｃ）水（（ａ）と（ｂ）の合計量１００重量部中残部）からなるものとする；
但し、式（１）中、Ｒは炭素数８〜２４の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基を示し、ＡＯは炭素数２〜４のオキシアルキレン基を示し、ｎはオキシアルキレン基の平均付加モル数を示し、１〜１００である。 （もっと読む）

【課題】半導体基板内部に含まれる金属不純物を低コストかつ容易に除去可能な半導体基板の洗浄方法および洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に洗浄液を供給し、該洗浄液を半導体基板との間に挟むように疎水性部材を配置し、該洗浄液を前記半導体基板に広く接触させ、前記半導体基板の内部に含まれる金属不純物を前記洗浄液中へ溶解させ、その後前記疎水性部材を取り外す。また、前記半導体基板を加熱することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 生成したヒドロキシルラジカル含有水の濃度を高精度に測定することを可能とするヒドロキシルラジカル含有水供給装置を提供すること。
【解決手段】 ヒドロキシルラジカル含有水を生成して供給する生成手段と、生成手段により生成されたヒドロキシルラジカル含有水の１４０〜２１０ｎｍの範囲内における１以上の波長での吸光特性を測定することにより、ヒドロキシルラジカル濃度を定量する定量手段とを備えたヒドロキシルラジカル含有水供給装置。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜とその下層となる被膜とを同時に剥離することができる、レジスト剥離液を提供すること。
【解決手段】基板上に直接、又は他の層を介して形成される無機系レジスト下層膜と、前記無機系レジスト下層膜上に形成されるレジスト膜と、を有する多層レジスト積層体において、前記無機系レジスト下層膜及び前記レジスト膜を除去するために用いられる多層レジスト積層体用剥離液であって、（Ａ）４級アンモニウム水酸化物、（Ｂ）水溶性有機溶剤、及び（Ｃ）水を含む多層レジスト積層体用剥離液。 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】本発明の一実施形態によると、腐食防止剤と、可溶化剤と、脱酸素剤と、ｐＨ調整剤としても機能する錯化剤とを含む洗浄溶液が提供されている。本発明の別の実施形態では、ｐＨ調整剤と、随意的な錯化剤と、腐食防止剤とを含む洗浄溶液が提供されている。洗浄溶液は、可溶化剤を随意的に有してもよく、界面活性剤を随意的に有してもよく、誘電体エッチャントを随意的に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び／又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低ｐＨ組成物が開発された。低ｐＨ組成物は、少なくとも１種の鉱酸及び少なくとも１種の酸化剤を含む。低ｐＨ組成物は、下のケイ素含有層（複数可）を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 （もっと読む）

【課題】CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

（ａ）１以上の金属イオンを含まない塩基；（ｂ）水溶性の金属イオンを含まない多面体シルセスキオキサン；（ｃ）酸化剤；および（ｄ）金属イオンを含まない水を含む、集積回路基板から粒子状物質を除去するための組成物、ならびに（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることよって得られる組成物。（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む組成物を表面に付与する工程、または（ａ）、（ｂ）、（ｃ）および（ｄ）を含む成分を組み合わせることによって得られる組成物を表面に付与する工程を含む、集積回路デバイスの表面から粒子状物質を除去するための方法。 （もっと読む）

【課題】剥離対象物の層間絶縁膜、金属、窒化金属、及び、合金を腐食することなく、短時間、低温度でフォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去できる剥離液とその剥離方法を提供すること。
【解決手段】第４級アンモニウム水酸化物、酸化剤、アルカノールアミン、及び、アルカリ金属水酸化物を含む水溶液からなることを特徴とする半導体デバイスの剥離液、並びに、前記剥離液を調製する剥離液調製工程、及び、前記剥離液調製工程により得られた剥離液により、フォトレジスト、反射防止膜、及び、エッチング残渣よりなる群から選ばれた少なくとも１つの付着物を除去する剥離工程を含むことを特徴とする剥離方法。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が０．０１〜２０重量％の範囲、アルカリ土類金属塩が０．００１〜５重量％の範囲、ポリアクリル酸類が０．００１〜５重量％の範囲、水が５０〜９９．９９重量％の範囲、水溶性有機溶媒が５０重量％以下の範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造の間にウェハの化学機械平坦化（ＣＭＰ）後の半導体ウェハの洗浄に関し、金属、特に銅、相互接続を含むウェハの後ＣＭＰ洗浄用アルカリ薬品を提供する。
【解決手段】残留スラリーパーティクル、特に銅または他の金属パーティクルは金属を十分にエッチングする、表面に堆積物を放置する、十分な汚染物を与える、ことをせずに半導体表面から除去され、同時に金属を酸化および腐食から保護する。さらに、少なくとも１つの強キレート剤は溶液中で金属イオンを錯化するために存在し、誘電体からの金属除去を促進しかつウェハ上への再堆積を防止する。 （もっと読む）

【課題】 CMP処理に続いて半導体基材から処理残留物を除去するためのプロセス溶液、及び該プロセス溶液を使用する方法を提供すること。
【解決手段】 1つ又は複数の界面活性剤を含むプロセス溶液を用いて半導体デバイスの製造における欠陥の数を低減する。いくつかの好ましい実施態様においては、本発明のプロセス溶液は、CMP処理の間又はその後にすすぎ溶液として用いた場合、欠陥を低減することができる。さらに、本発明のプロセス溶液を用いて、複数のCMP処理後の基材上にある欠陥の数を低減する方法が開示される。 （もっと読む）

（ａ）水と、（ｂ）アルカリ性ｐＨの最終調合物を産生するのに十分な量の、少なくとも１つの無金属イオン塩基と、（ｃ）少なくとも１つの水溶性無金属イオンケイ酸塩腐食防止剤約０．０１〜約５重量％（％ＳｉＯ_２として表される）と、（ｄ）少なくとも１つの金属キレート剤約０．０１〜約１０重量％と、（ｅ）少なくとも１つのオキシメタレート０超〜約２．０重量％とを含む、高アルカリ性水性調合物が本発明によって提供される。このような調合物は過酸化物と化合されて、ペルオキシメタラートが形成され、マイクロ電子洗浄組成物が産生される。マイクロ電子デバイス、たとえばマイクロ電子基材から汚染物質および残留物を除去するために使用される。 （もっと読む）

【課題】製造中に生じる半導体デバイスの欠陥、特にパターンのつぶれを、スループットを犠牲にすることなく低減するための方法とそのための処理溶液を提供すること。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を含む処理溶液を使用して、半導体デバイス製造時の欠陥数を低減する。この処理溶液は、特定の好ましい態様において、パターニングしたホトレジスト層の現像の際又はその後でリンス液として使用すると、パターンのつぶれのような現像後の欠陥を低減することができる。 （もっと読む）

犠牲反射防止コーティング（ＳＡＲＣ）材料を、その上にそれを有する基板から除去するための液体除去組成物およびプロセス。液体除去組成物は、少なくとも１種類のフッ化物含有化合物、少なくとも１種類の有機溶媒、任意に水、および任意に少なくとも１種類のキレート剤を含有する。その組成物は、アルミニウム、銅およびコバルト合金などの基板上の金属種の腐食を最小限にし、かつ半導体構造で使用される低ｋ誘電材料に損傷を与えることなく、集積回路の製造におけるＳＡＲＣ材料の少なくとも部分的な除去を達成する。 （もっと読む）

高密度パターン化マイクロエレクトロニクスデバイスから、バルクフォトレジストおよびイオン注入フォトレジストおよび／またはエッチング後の残留材料を除去するための方法および組成物を記載する。本組成物は、共溶媒と、キレート剤と、任意にイオン対試薬と、任意に界面活性剤とを含む。本組成物は、高密度流体をさらに含むことができる。本組成物は、下にあるケイ素含有層および金属相互接続材料を実質的にオーバーエッチングすることなく、マイクロエレクトロニクスデバイスからフォトレジストおよび／またはエッチング後の残留材料を効果的に除去する。
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