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Fターム[5F157BE63]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(無機) (1,715) | 無機成分 (1,715) | 塩イオン (186) | Naを有する (12)

Fターム[5F157BE63]に分類される特許

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【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも発泡剤と発泡助剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記発泡剤が炭酸アルキレンと炭酸塩とを含有し、前記発泡助剤が酸性化合物を含有し、さらに酸化剤を組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第1剤と第2剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第1剤がアミン化合物を含有し、前記第2剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた半導体基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発泡剤成分および発泡助剤成分を半導体基板に供給して、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液中で半導体基板を洗浄する、半導体基板の洗浄方法であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、前記混合液のpHが7.5未満である、半導体基板の洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽24と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽28と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ21とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽24において、酸化剤と錯化剤とを混合して第1の薬液を調合し、薬液調合槽24において、第1の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽28において、活性化された第1の薬液と純水とを混合し、第1の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第1の薬液を希釈した第2の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ21に投入された半導体基板に第2の薬液を供給する。 (もっと読む)


【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 (もっと読む)


【課題】高度に清浄化された表面を得ることが可能な半導体デバイス用基板用の洗浄液を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄液は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、鉄イオン、および下記一般式(1)で表される硫酸エステルのアンモニウム塩、および水を含有し、前記ナトリウムイオン、前記カリウムイオン、および前記鉄イオンの含有量がそれぞれ500ppb以下の半導体デバイス用基板用の洗浄液。
ROSO3-(X)+ (1)
但し、式(1)中、Rは、炭素数8〜22のアルキル基、または炭素数8〜22のアルケニル基であり、((X)+は、アンモニウムイオン、第一級アンモニウムイオン、第二級アンモニウムイオン、または第三級アンモニウムイオンである。 (もっと読む)


【課題】
マイクロ電子デバイスからのバルク及び硬化フォトレジストの除去に関連した従来技術の欠陥を克服する組成物を提供する。
【解決手段】
マイクロ電子デバイスからバルク及び/又は硬化フォトレジスト材料を除去するための方法及び低pH組成物が開発された。低pH組成物は、少なくとも1種の鉱酸及び少なくとも1種の酸化剤を含む。低pH組成物は、下のケイ素含有層(複数可)を損傷せずに、硬化フォトレジスト材料を効果的に除去する。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム金属又はアルミニウム合金よりなる半導体製造装置部品にダメージを与えることなく、堆積した付着物を除去することができ、安全な洗浄方法を提供する。
【解決手段】a)半導体製造装置部品を、フッ化物:カルボン酸:ホウ酸とを例えば、1ppm〜4%:0.1〜20%:0.1〜5%の組成比(重量比)で含んでなる組成物で洗浄する工程、b)半導体製造装置部品を非イオン系界面活性剤及び/又は酸化剤を、0.01〜10重量%含んでなる組成物で洗浄する工程、のa)、b)両工程で洗浄する。 (もっと読む)


【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル1と下ノズル2から基板3の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜6をパターンニングする工程と、前記ノズル1,2から基板3の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル1,2から基板3の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル1,2から基板3の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース5により基板3を回転させて乾燥させる工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウムを腐食させることなく、レジスト除去ができる洗浄液を提供する。
【解決手段】 苛性ソーダ等の塩基性物質、塩化カルシウム等のアルカリ土類金属塩、ポリアクリル酸類及び水を含んでなる成分の組合せによる洗浄液ではアルミニウムを腐食させることなく、さらにアルミニウムの腐食を防止するアルカリ土類金属塩の水酸化物が沈殿として析出することなく用いることができる。さらに必要に応じてアルコール系、エーテル系、アミド系、含硫黄系、イミダゾリジノン系、ラクトン系の水溶性有機溶媒を用いることができる。洗浄液全体に対して、塩基性物質が0.01〜20重量%の範囲、アルカリ土類金属塩が0.001〜5重量%の範囲、ポリアクリル酸類が0.001〜5重量%の範囲、水が50〜99.99重量%の範囲、水溶性有機溶媒が50重量%以下の範囲であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置に金電極または金配線を形成するためヨウ素系のエッチング液にてエッチングする際に、半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物をほぼ完全に除去すると共に、半導体装置に二次的な損傷を与えることのない洗浄液、該洗浄液を用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】 ヨウ素系エッチング液によって形成された金電極または金配線を有する半導体装置に残留するヨウ素及びヨウ素化合物を洗浄するための洗浄液であって、該洗浄液がチオ硫酸塩を含む水溶液である洗浄液、それを用いる洗浄方法、及び該洗浄方法で洗浄された半導体装置。 (もっと読む)


【課題】半導体基板やガラス基板の洗浄液やエッチング液として、アルカリ水溶液で金属不純物の付着がない、さらに洗浄能力を持つ水溶液組成物を提供する。
【解決手段】基板の洗浄またはエッチングに用いられる水溶液組成物であって、一般式(1)


で表されるキレート剤、およびアルカリ成分を含有する、前記水溶液組成物により、金属不純物の基板への吸着を防止し、さらには基板に吸着した金属不純物を洗浄する。 (もっと読む)


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