【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式（１）


で表される含フッ素３級アルコールまたは一般式（２）


で表される含フッ素３級ジオールを含む。 （もっと読む）

【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、ａ）少なくとも約５０重量％の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒；ｂ）約０．００５〜約０．８重量％のフッ素ソース；ｃ）上限約４９．９重量％の水；及び、ｄ）上限約２０重量％の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び／又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 （もっと読む）

【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 （もっと読む）

【課題】基板上に塗布された接着剤を溶剤に溶解させて除去するときに、接着剤の濾過とは異なる手法により、基板上に溶解残渣物が残存することを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】本発明の基板の処理方法は、基板１上に塗布された接着剤２を溶剤５に溶解させて除去する洗浄工程の前１０分以内に、接着剤２を接着剤２のガラス転移温度以上に加熱する加熱工程を包含する。 （もっと読む）

【課題】一定のドレイン電圧及びゲート電圧に対して得られるドレイン電流を増大することの出来る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンネル領域と、ソース領域及びドレイン領域と、前記ソース領域及びドレイン領域にそれぞれ電気的に接続する合計二つの第１の電極と、前記チャンネル領域上にゲート絶縁膜を介して設けられた第２の電極とを備えた半導体装置の製造に際し、前記ゲート絶縁膜を、酸素の含有量を１ｐｐｂ以下にした水素添加超純水にＩＰＡを添加した洗浄液を用いて、酸素含有量１ｐｐｂ以下の窒素雰囲気でしかも遮光した状態で表面の洗浄を行ない、かつ等方性酸化または窒化で形成することにより、前記チャンネル領域と前記ゲート絶縁膜との界面の平坦度を、前記ソース領域から前記ドレイン領域に向かう方向での長さ２ｎｍにおけるピーク・トゥ・バレイ値が０．３ｎｍ以下となるようにするとともに、前記第１の電極から前記チャンネル領域までの抵抗率を４Ω・μｍ以下とした。 （もっと読む）

【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽４内の第１の処理液に、物品Ｗを浸漬させたまま、処理槽４内に第２の処理液を供給し、処理槽４の上部から第１の処理液を排出し、処理槽４内の第１の処理液を第２の処理液に置換する。物品Ｗを第２の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第２の処理液から物品Ｗを引き上げる。この際に、第１の処理液としてアルコール水溶液を用い、第２の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 （もっと読む）

【課題】有機化合物ガスによる基板処理を清浄に行うことが可能となる金属付着物の除去方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】金属付着物の除去方法は、金属層が形成された被処理基板を処理する処理空間を内部に有する処理容器の内部に付着した金属付着物を昇華させるように、前記処理容器内部の温度と、前記処理空間の圧力とを、制御する。 （もっと読む）

【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄（プレ洗浄）技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄（プレ洗浄）剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にＧａＡｓ、サファイア、SｉＣのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 （もっと読む）

【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも２０℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、ｐＨを８〜１０に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またｐＨ値が８〜１０にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス製造において、金属系ウェハのパターン倒れを改善する薬液を提供する。
【解決手段】金属系ウェハ１の、少なくとも凹部４表面に撥水性保護膜１０を形成する薬液であり、撥水性保護膜形成剤が、下記一般式［１］及びその塩から選ばれる少なくとも一つであり、前記薬液中に含まれる溶媒の総量に対する水の濃度が５０質量％以上である。


Ｒ^１は一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の１価の炭化水素基。Ｒ^２はそれぞれ互いに独立して一部または全ての水素元素がフッ素元素に置き換えられていても良い炭素数が１乃至１８の炭化水素基を含む１価の有機基。ａは０乃至２の整数。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された凹部の内部を薬液により処理するにあたって、凹部の内部に速やかに薬液を侵入させること。
【解決手段】液処理方法は、薬液より表面張力が小さい有機溶剤を基板に供給して凹部の内部を濡らすプリウエット工程と、その後、薬液からなる洗浄液を基板に供給して、凹部の内部の液体を薬液で置換して、この薬液によって前記凹部の内部を洗浄する薬液洗浄工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び／又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、ｐＨが１．５〜５．０に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽４および調整槽２０と、混合槽４および調整槽２０にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽４および調整槽２０に純水を供給する純水供給手段と、混合槽４と洗浄装置１００との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽４内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段と、必要に応じて調整槽２０の洗浄液を混合槽４へ供給する補充処理を実行する第三の制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板を効率よく撥水化することが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】撥水化剤溶液を加温する溶液加温工程と、加温された前記撥水化剤溶液を基板に対して供給する撥水化処理工程と、前記撥水化処理工程後の前記基板に対し、リンス液を供給するリンス工程と、前記基板を回転させて、前記リンス液を除去する乾燥工程と、を含む液処理方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽４と、混合槽４にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽４に純水を供給する純水供給手段と、混合槽４と洗浄装置１００との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽４内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段とを有する。 （もっと読む）

【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 （もっと読む）