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Fターム[5F157BF32]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(有機) (1,513) | 成分 (1,057) | エーテル類 (102)

Fターム[5F157BF32]に分類される特許

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【課題】表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がケイ素元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善し、特に該改善効果の持続性(ポットライフ)に優れる、ウェハの凹凸パターン表面に撥水性保護膜を形成する保護膜形成用薬液の調製方法及び該薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】上記ウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための、非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを有する、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法であり、
非水有機溶媒中の水分濃度を200質量ppm以下にする、脱水工程、
脱水工程後の非水有機溶媒と、シリル化剤と、酸又は塩基とを混合する、混合工程
を有することを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液の調製方法。 (もっと読む)


【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式(1)


で表される含フッ素3級アルコールまたは一般式(2)


で表される含フッ素3級ジオールを含む。 (もっと読む)


【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、a)少なくとも約50重量%の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒;b)約0.005〜約0.8重量%のフッ素ソース;c)上限約49.9重量%の水;及び、d)上限約20重量%の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び/又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 (もっと読む)


【課題】被処理物に形成された凸パターンに対する超音波洗浄時のダメージを抑え、かつ凹パターンの底部及び側壁部も十分に洗浄し得る超音波処理技術を提供する。
【解決手段】被処理物を超音波により洗浄処理する超音波処理装置を、超音波振動を放射する超音波振動部と、前記超音波振動部に電力を印加する発振部と、前記被処理物と該被処理物を処理する処理液を収容する収容部を有し該収容部内へ前記処理液を供給する処理液供給部とを備えるように構成し、前記処理液供給部が、前記収容部内へ供給される前の前記処理液を脱気する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び/又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る2以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び/又はC4以上のモノアルコールのうち少なくとも1種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 (もっと読む)


【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽4内の第1の処理液に、物品Wを浸漬させたまま、処理槽4内に第2の処理液を供給し、処理槽4の上部から第1の処理液を排出し、処理槽4内の第1の処理液を第2の処理液に置換する。物品Wを第2の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第2の処理液から物品Wを引き上げる。この際に、第1の処理液としてアルコール水溶液を用い、第2の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モルホリン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄(プレ洗浄)技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル(研削屑等の異物)の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】クーラント、砥粒、あるいはシリコン粉に対する優れた洗浄性能を有し、かつ、その後のエッチング工程において良好なテクスチャーを形成することができるウェハ表面を作り上げることができるシリコンウェハ用表面処理剤組成物を提供する。
【解決手段】次の成分(a)〜(d)からなる;(a)エーテル型非イオン界面活性剤0.1〜40重量%、R−O−(AO)n−H、R:炭素数8〜24の直鎖又は分岐の脂肪族炭化水素基、AO:炭素数2〜4のオキシアルキレン基、n:1〜100(b)アルキルポリグルコシド5〜40重量%、R−O−(G)n−H、R:炭素数1〜22の直鎖又は分岐のアルキル基、G:炭素数5〜6の還元糖、n:1〜5(c)アルカリ剤1〜30重量%(d)水、前記成分(a)、(b)、(c)との合計量100重量%中の残部。 (もっと読む)


【課題】大面積の基板上のCu膜若しくはCu合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Cu膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Cu膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造において、表面の凹凸パターンの少なくとも一部にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を有するウェハ(金属系ウェハ)のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、ウェハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成された金属系ウェハの洗浄方法であって、該方法は、少なくとも、
前記ウェハ表面に撥水性保護膜を形成するための撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成用薬液を、前記ウェハの少なくとも凹部に供し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程、
を有し、前記撥水性保護膜形成工程中に生じる余剰な撥水性保護膜形成用薬液、および/または、前記撥水性保護膜形成工程後の撥水性保護膜形成用薬液を回収し、再利用すること、および、前記撥水性保護膜形成剤が加水分解性の官能基を持たない化合物である、ウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び/又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び/又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、pHが1.5〜5.0に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第1の方向に沿って長尺に形成され、第1の処理液を供給する第1の処理液供給部81と、第1の方向に沿って長尺に形成されており、第1の処理液供給部81と平行に設けられた、第2の処理液を供給する第2の処理液供給部83と、第1の処理液供給部81と第2の処理液供給部83とを、第2の方向に移動させる移動駆動部123と、制御部200とを有する。制御部200は、第1の処理液を供給するときは、第1の処理液が基板の回転中心に到達するように、第1の処理液供給部81を移動駆動部123により移動させ、第2の処理液を供給するときは、第2の処理液が基板の回転中心に到達するように、第2の処理液供給部83を移動駆動部123により移動させる。 (もっと読む)


【課題】非有毒かつ環境に優しいクリーニング組成物、従来の高有機含有量系クリーニング組成物に比肩するクリーニング効率を有するクリーニング組成物を提供すること。
【解決手段】A半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後/アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。クリーニング組成物は、約2〜約15wt%のヒドロキシルアミン;約50〜約80wt%の水;約0.01〜約5.0wt%の腐食防止剤;約5〜約45wt%の、:pKa<9.0を有するアルカノールアミン、水混和性溶媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む。そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Al基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 (もっと読む)


【課題】薬液又はリンス液よりなる処理液を供給する処理液供給ノズルの表面への処理液の付着を防止或いは低減することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部30、40と、基板保持部30、40に保持されている基板W上に、第1の処理液を吐出する複数の第1の処理液吐出口が配列されてなる第1の処理液吐出口列を含む第1の処理液供給部と、第1の処理液吐出口列と略平行に、第2の処理液を吐出する複数の第2の処理液吐出口が配列されてなる第2の処理液吐出口列を含む第2の処理液供給部と、第1の処理液吐出口列と第2の処理液吐出口列との間に、ガスを吐出する複数の第1のガス吐出口が配列されてなる第1のガス吐出口列を含む第1のガス供給部とを有する。複数の第1のガス吐出口の各々は、第2の処理液供給部側へ向けてガスを吐出するように、配列されている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも1個有する有機酸0.05〜50重量%、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも1種の錯化剤0.01〜30重量%、〔III〕炭素数1〜5の飽和脂肪族1価アルコール、炭素数3〜10のアルコキシアルコール、炭素数2〜16のグリコール、炭素数3〜20のグリコールエーテル、炭素数3〜10のケトン及び炭素数2〜4のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒0.05〜50重量%を含んでなる洗浄剤。 (もっと読む)


【課題】 凝固体を形成するための冷却ガスを使用せず、基板を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Wに凝固対象液としての過冷却状態のDIWを供給し、基板Wへ着液する衝撃でDIWの凝固体を形成する。これにより、凝固体形成に必要な気体の冷媒を使用する必要がなくなり、気体の冷媒を生成する設備を不要とし、処理時間を短縮し、更にランニングコスト等を抑えることが可能となる。 (もっと読む)


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