【課題】本発明は、Cu及びlow-k膜にダメージを与えずに、従来のポリマー剥離液で解決し得なかったわずかな亀裂状のCu腐食の抑制が可能なドライプロセス後の残渣除去液を提供し、これを用いた半導体デバイスの製造方法を確立する。
【解決手段】ドライエッチング及び／又はアッシング後の半導体基板に存在する残渣の除去液であって、フッ素化合物を含まず、銅に配位し得る２以上の酸素原子を有する中性有機化合物及び／又はＣ４以上のモノアルコールのうち少なくとも１種と、水とを含むことを特徴とする残渣除去液、或いは、過塩素酸塩と水とを含むことを特徴とする残渣除去液に関する。 （もっと読む）

【課題】剥離性能に優れたレジスト剥離剤の提供及び剥離性能に優れたレジスト剥離剤を選別するためのレジスト剥離剤の評価方法を提供する。
【解決手段】炭酸エチレン、炭酸プロピレン又は炭酸エチレンと炭酸プロピレンの混合物に、８０容量％以下となる量のエチレングリコール及び／又はプロピレングリコールを添加したレジスト剥離剤、レジスト剥離剤を選別するための評価方法は、基板表面にネガ型レジストを塗布し、プリベーグ、露光を行ったレジスト被膜試料を作成する工程と、前記レジスト被膜試料とレジスト剥離剤を接触させてレジスト被膜の除去速度を計測する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜を研磨し、研磨完了時にポリシリコン膜が露出するＣＭＰ工程後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを効率よく除去する半導体基板用洗浄液と、それを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜と、該ポリシリコン層の少なくとも一部を被覆する酸化ケイ素膜とを有する基板を調整し、研磨粒子を含むＣＭＰ研磨液を用いて、前記ポリシリコン層の少なくとも一部が露出するまで前記酸化ケイ素膜を研磨し、前記基板の研磨がなされた面を洗浄する洗浄液であって、前記洗浄液が、分子内に少なくとも一つのアセチレン結合を有するノニオン性界面活性剤と、水とを含む、半導体基板用洗浄液。 （もっと読む）

【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】１種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。１種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 （もっと読む）

【課題】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの製造方法において、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、撥水性保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有し該凹凸パターンの少なくとも一部がシリコン元素を含むウェハの洗浄時に、該凹凸パターンの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、一般式Ｒ^１_ａＳｉ（Ｈ）_ｂ（Ｘ）_{４−ａ−ｂ}で表されるケイ素化合物Ａ及び酸、または、一般式Ｒ^７_ｇＳｉ（Ｈ）_ｈ（ＣＨ_３）_ｗ（Ｚ）_{４−ｇ−ｈ−ｗ}で表されるケイ素化合物Ｃ及び水の含有量が３５質量％以下の塩基を含み、前記薬液の出発原料中の水分の総量が、該原料の総量に対し５０００質量ｐｐｍ以下である、撥水性保護膜形成用薬液。 （もっと読む）

【課題】ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜から、ＴＦＴの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でＯＨ基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、ＯＨ基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのＯＨ基除去法。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】ＩＬＤ材料に対する腐食抑制機能に優れ、かつ、レジスト膜及び下層反射防止膜の除去性能にも優れたリソグラフィー用洗浄液、及びこのリソグラフィー用洗浄液を用いた配線形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るリソグラフィー用洗浄液は、４級アンモニウム水酸化物と、水溶性有機溶剤と、水と、無機塩基とを含有する。水溶性有機溶剤は、双極子モーメントが３．０Ｄ以上である高極性溶剤と、グリコールエーテル系溶剤と、多価アルコールとを含み、上記高極性溶剤とグリコールエーテル系溶剤との合計含有量が、全量に対して３０質量％以上である。 （もっと読む）

【課題】銅系配線の形成のためのレジスト除去用組成物を提供する。
【解決手段】本発明のレジスト除去用組成物は、剥離剤として、スルホン及び／又はスルフィン及び／又はエステル基を含む化合物を使用することを特徴とする。前記レジスト除去用組成物は、中間洗浄液としてのイソプロパノールを使用しなくても、レジストの下部に位置する銅又は銅合金配線などの導電性金属膜、及び酸化ケイ素膜や窒化ケイ素膜などの絶縁膜に対する腐食を効果的に防止することができ、低温でも変質及び／又は硬化したレジストを短時間内に綺麗に除去することができる。 （もっと読む）

本発明は、実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物に関する。特に、イオン注入工程の後にフォトレジストを剥離するのに有用な実質的に水分を含まないフォトレジスト剥離用組成物であって、
（ａ）アミン
（ｂ）有機溶媒Ａ，及び
（ｃ）共溶媒、
を含み、組成物は実質的に水分を含まない（＜３質量％Ｈ₂Ｏ）。本発明は、同様に、本発明の組成物を用いてポストイオン注入フォトレジスト剥離のプロセスを提供する。 （もっと読む）

【課題】金属を電気科学的腐食から保護しながら、良好な洗浄結果を生じる、多金属マイクロエレクトロニックデバイスのための良好な洗浄組成物を提供すること。
【解決手段】本発明は、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄するために適切なマイクロエレクトロニックフォトレジスト洗浄組成物、および引き続いて水を使用するすすぎ工程が存在する場合に、実質的または有意なあらゆる電気化学的腐食を起こさずに、多金属マイクロエレクトロニックデバイスを洗浄することに関する。本発明はまた、このような多金属マイクロエレクトロニックデバイスを、本発明の組成物を用いて洗浄するための方法に関する。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ後洗浄組成物およびそれを含む方法を提供すること。
【解決手段】洗浄組成物において、その組成物のｐＨが９．５〜１１．５の範囲にあり、水、有機塩基、ならびにアミノポリカルボン酸およびヒドロキシルカルボン酸を含む複数のキレート剤を含むように構成する。 （もっと読む）

【課題】高度に清浄化された表面を得ることが可能な半導体デバイス用基板用の洗浄液を提供する。
【解決手段】 本発明の洗浄液は、ナトリウムイオン、カリウムイオン、鉄イオン、および下記一般式（１）で表される硫酸エステルのアンモニウム塩、および水を含有し、前記ナトリウムイオン、前記カリウムイオン、および前記鉄イオンの含有量がそれぞれ５００ｐｐｂ以下の半導体デバイス用基板用の洗浄液。
ＲＯＳＯ₃^-（Ｘ）⁺ （１）
但し、式（１）中、Ｒは、炭素数８〜２２のアルキル基、または炭素数８〜２２のアルケニル基であり、（（Ｘ）⁺は、アンモニウムイオン、第一級アンモニウムイオン、第二級アンモニウムイオン、または第三級アンモニウムイオンである。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜の表面特性の変化を抑えながらレジスト膜上の付着物を除去することが可能な洗浄除去液を提供する。
【解決手段】本発明に係る洗浄除去液は、非極性ポリマーを含有する保護膜形成用材料を用いてレジスト膜上に形成された保護膜など、レジスト膜上の付着物を除去するために用いられるものであり、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤とを含有する。極性溶剤の含有量は、炭化水素系非極性溶剤と極性溶剤との合計量に対して１〜５０質量％であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】銀及び／又は銀合金を含む基板に適用できるフォトレジスト剥離液組成物を提供する。
【解決手段】銀および／または銀合金を含む基板のフォトレジスト剥離液組成物であって、−式（Ｉ）ＮＨ_２−Ａ−Ｙ−Ｂ−Ｚ式中、Ａ、Ｂは、それぞれ相互に独立して、直鎖状または分枝鎖状の炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｙは、ＮＨまたはＯのいずれかであり、Ｚは、ＮＨ_２、ＯＨ、ＮＨ−Ｄ−ＮＨ_２（ここでＤは直鎖状または分枝鎖状の、炭素数１〜５のアルキレン基である、）で表される化合物、−式（ＩＩ）ＮＨ_２−Ａ−Ｎ(−Ｂ−ＯＨ)_２式中、Ａ，Ｂは式（Ｉ）と同じで表される化合物、−モルホリン、−Ｎ−置換モルホリン、−ピロカテコール、−ハイドロキノン、−ピロガロール、−没食子酸、及び−没食子酸エステルからなる群から選択される１種または２種以上と、１種または２種以上の極性有機溶剤とを含有する、前記フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の洗浄剤組成物は、枚葉処理装置に用いるには除去能力は必ずしも十分ではない。ＨＳＱ、ＭＳＱ等のシロキサン膜からなる低誘電率膜のドライエッチングにおいてはＨＳＱ、ＭＳＱのエッチング表面に変質層が生成されるが、従来の洗浄剤組成物は、この変質層に対するエッチング速度が極めて速く、このため、この組成物を用いたドライエッチングの後処理洗浄においては意図するエッチング寸法よりも実際のエッチング寸法が拡大してしまう問題がある。
【解決手段】半導体回路の製造工程においてドライエッチング後及び／又はアッシング後の半導体基板からフォトレジスト残渣及び／又はポリマー残渣を除去する洗浄剤組成物であって、残渣除去成分（Ａ）、半導体基板の配線材料に用いる金属の腐食防止成分（Ｂ）、半導体基板の層間絶縁膜材料の保護成分（Ｃ）及び水を含有し、（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）が下記化合物であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】従来の銅配線半導体用洗浄剤は、銅配線に付着する研磨剤由来の有機残渣を除去する効果が不十分であるばかりか、金属配線材料（銅、タングステン等）が腐食するという問題がある。
【解決手段】有機アミン（Ａ）、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）からなる群より選ばれる少なくとも１種の多価水酸基含有化合物（Ｂ）及び水（Ｗ）を含有してなり、２５℃でのｐＨが２〜１４であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤。
（Ｉ）分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩ）エーテル基、エステル基、ホルミル基、スルホ基、スルホニル基、ホスホノ基、チオール基、ニトロ基及びアミド基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有する分子量が１，０００未満の多価水酸基含有炭化水素
（ＩＩＩ）上記（Ｉ）、（ＩＩ）を脱水縮合した分子構造を有する多価水酸基含有化合物
（ＩＶ）糖類
（Ｖ）変性されていてもよいポリビニルアルコール （もっと読む）

【課題】
現像処理した後ウエハ周辺部を、現像液やイソプロピルアルコールのようなアルコール類の溶剤でリンスしても、ウエハ周辺部に異物が付着している。
【解決手段】
半導体装置の製造方法は、被加工層を有する半導体ウエハの表面上方に、周辺部を除いて、レジスト膜を塗布し、塗布したレジスト膜にパターンを露光し、潜像を形成し、潜像を形成したレジスト膜を現像し、現像後の半導体ウエハの周辺部にシンナを供給し、クリーニングした後、現像したレジスト膜を用いて半導体ウエハの被加工層に加工処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】実質的な剥離性能の減少や金属パターンの損傷無しに再使用できて、写真エッチング工程の費用を減少させることができるフォトレジスト剥離組成物を提供する。
【解決手段】本発明によるフォトレジスト剥離組成物は、スルホン系化合物８０〜９８．５質量％、ラクトン系化合物１〜１０質量％、及びアルキルスルホン酸０．１〜５質量％を含む。 （もっと読む）