【課題】 少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】 本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び／又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、ｐＨが１．５〜５．０に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】電子材料上のレジストを短時間で確実に剥離除去する。
【解決手段】電子材料を過硫酸含有硫酸溶液で洗浄してレジストを剥離洗浄し、その後ガス溶解水でウェット洗浄する。過硫酸含有硫酸溶液によるレジスト剥離後のウェット洗浄を、ガス溶解水を用いて行うことにより、洗浄に要する時間を従来法に比べて大幅に短縮することができる。過硫酸含有硫酸溶液は、硫酸溶液を電気分解することによって製造されたものであることが好ましく、レジストの剥離洗浄装置からの過硫酸濃度が低下した硫酸溶液を電解反応装置に送給して再生し、過硫酸濃度を十分に高めた硫酸溶液を洗浄装置に循環することにより、高濃度の過硫酸によりレジストを効率的に剥離除去すると共に、硫酸溶液を繰り返し使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ−ＬＣＤ用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもＣｕ及びＡｌの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】（ａ）１級アルカノールアミン１〜２０重量％；（ｂ）アルコール１０〜６０重量％；（ｃ）水０．１〜５０重量％；（ｄ）極性有機溶剤５〜５０重量％；及び（ｅ）腐食防止剤０．０１〜３重量％；を含むＬＣＤ製造用フォトレジスト剥離液組成物。 （もっと読む）

【課題】基板表面の微粒子付着による汚染、有機物汚染及び金属汚染を同時に除去することができ、しかも水リンス性も良好で、短時間で基板表面を高清浄化することができる半導体デバイス用基板洗浄液を提供する。
【解決手段】
半導体デバイス製造における化学的機械的研磨工程の後に行われる、半導体デバイス用基板の洗浄工程に用いられる洗浄液であって、成分（Ａ）含窒素芳香族カルボン酸を含有してなる半導体デバイス用基板洗浄液。該基板洗浄液は、酸性、アルカリ性のいずれの条件下においても優れた洗浄効果を示す。 （もっと読む）

【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第１の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第２の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】実質的に中性に調整されたヒドロキシルアミン化合物を含有する洗浄組成物に特有の課題を解決し、半導体基板の金属層、特に窒化チタンの腐食を防止し、しかもその製造工程で生じるプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去することができる洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】水と、洗浄剤と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、特定の含窒素非芳香族環状化合物とを含有し、実質的に中性に調整された半導体基板用洗浄組成物。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性有機化合物、並びに、（成分ｄ）有機酸、を含み、ｐＨが７〜９であることを特徴とする、半導体用基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 （もっと読む）

Ｎ−アルキルピロリドン及びヒドロキシルアミン、及びヒドロキシルアミン誘導体を含まず、回転式粘度計で測定して、５０℃で、動的せん断粘度が１〜１０ｍＰａｓである液体組成物であって、該液体組成物の全質量に対して、
（Ａ）溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す、４０〜９９．９５質量％の、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）０．０５〜＜０．５質量％の、水酸化第4級アンモニウム、及び
（Ｃ）＜５質量％の水、
を含む液体組成物；その製造方法、電気装置を製造する方法、及びパターン化Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａｓによる、及び／又はメッキ及びバンピングによる３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓの製造で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、この液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

（Ａ）それぞれの試験液（ＡＢ）の全質量に対する百分率で表して、０．０６〜４質量％の、溶解したテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｂ）の存在下に、遠ＵＶ吸収発色団を含む、厚さが３０ｎｍのポリマー性バリア反射防止層について、５０℃で一定の除去速度を示す溶媒から成る群から選ばれる、少なくとも１種の極性有機溶媒、
（Ｂ）少なくとも１種の水酸化第４級アンモニウム、及び
（Ｃ）少なくとも１個の第１級アミノ基を含む、少なくとも１種の芳香族アミン、
を含む液体組成物、その製造方法、及びこの液体組成物をレジストストリッピング組成物として使用した、電気装置の製造方法、及びシリコンビアを通してパターン化、及び／又はメッキ及びバンピングすることによって３Ｄ Ｓｔａｃｋｅｄ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ及び３Ｄ Ｗａｆｅｒ Ｌｅｖｅｌ Ｐａｃｋｉｎｇｓを製造する中で、ネガティブトーン及びポジティブトーンフォトレジスト、及びエッチング後の残留物を除去するために、上記液体組成物を使用する方法。 （もっと読む）

基材，例えば電子デバイス基材，例えば超小型電子ウェハまたはフラットパネルディスプレイからの有機物質の除去のために有用な組成物および方法を提供する。最小体積の組成物をコーティングとして無機基材に適用することによって、十分な熱を加え、そして直ちに水でリンスして完全な除去を実現する方法を提供する。これらの組成物および方法は、ポジ型およびネガ型の種類のフォトレジスト、更に電子デバイスからの熱硬化性ポリマーを除去および完全に溶解させるのに特に好適である。 （もっと読む）

【課題】基板洗浄プロセスにおける金属汚染物質を除去する方法を提供する。
【解決手段】ウェット・センド・インデクサ・ステーション１１０では、基板の表面状態が、疎水性から親水性に変化させられる。このプロセス・ステップにおいて表面金属汚染の増加なしに基板の表面状態を変化させるよう、本発明を使用する。これを行うには、クエン酸・過酸化水素溶液に基板を浸漬させる。前記溶液のｐＨレベルは、水酸化アンモニウムとコリンおよびテトラメチル水酸化アンモニウムから選択された塩基混合物の添加により約６．５ないし１４に調整される。両面ブラシスクラバに関して説明される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−ＣＭＰ後洗浄におけるパーティクルのウェハへの再付着によるポイゾニング不良発生の課題に対して、その不良を抑制し効率よくＣｕ配線構造を形成することにある。
【解決手段】上層配線と、下層配線と、上層配線と下層配線とを接続するビアとを含む多層配線構造の半導体装置の製造方法において、トレンチの形成後に、低誘電率膜の上面に銅を含む導電性膜を成膜する工程と、上記導電性膜を化学的機械的研磨して上記トレンチに下層配線を形成する工程と、上記化学的機械的研磨後に、上記基板を洗浄する工程と、上記低誘電率膜の上面にアンモニアプラズマによる還元処理を実行し、その上に拡散防止膜を形成する工程とを含み、上記洗浄工程は、少なくとも２段階の洗浄を行ない、第１段目は、有機酸洗浄薬液を用いてブラシスクラブ洗浄を行ない、第２段目は、有機アルカリ洗浄薬液を用いて洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】ブラシに付着した異物を十分に除去し得るブラシの洗浄方法を提供する。
【解決手段】スクラブ洗浄に用いられたブラシ１４を洗浄槽２２内に貯留された洗浄液４４に浸漬し、洗浄液に超音波振動を印加するステップと、ブラシを洗浄槽内に設けられた洗浄用基板２４に接触させながら回転させるステップとを有している。 （もっと読む）

【課題】最上層配線はAl膜厚が厚いため、レジストの膜厚も下層に比べて厚く、エッチング時間も長いためAl側壁へのポリマ堆積が他製品に比べても非常に多い。Alエッチ後のポリマ剥離液として使用している標準的なフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液の処理時間を単に延長するだけでは、強固なポリマ膜等に対しては完全に除去することができていないことが明らかとなった。
【解決手段】本願発明はフッ化アンモニウム系のポリマ剥離液（弗化物塩添加有機溶剤水溶液）が一定の水希釈領域（高Ａｌエッチ・レート領域）において、アルミニウム系の金属又は合金に対して、著しく大きなエッチング速度を呈する性質を利用してアルミニウム系の配線をドライ・エッチングする際に形成される側壁ポリマをリフトオフさせるために、ウエハのデバイス面へのポリマ剥離液および純水等の洗浄液の供給を交互に繰り返すものである。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト等の残留物を選択的に除去し、かつこの組成物にさらされる場合がある高誘電率の誘導性材料、低誘電率の誘導性材料、及び／又は範囲の金属領域の望ましくない攻撃をすることなく、基板から残留物を処理することができる組成物を提供すること。
【解決手段】製品から残留物を除去するための組成物であって、当該組成物が、グリコールエーテルを含む１種以上の水溶性有機溶媒；水；フッ化物含有化合物がアンモニウムフルオライドである場合に、追加のフッ化物含有化合物を当該組成物に添加しないことを条件とするフッ化物含有化合物；そして随意選択的な第４級アンモニウム化合物；
を含む、残留物を除去するための組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの表面からフォトレジスト、エッチング残留物又はアッシング残留物を除去するためのフォトレジスト剥離剤配合物及び方法を提供する。
【解決手段】ヒドロキシルアミンと、水と、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチルピロリジン、ジメチルアセトアミド、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、モノエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される溶媒と、水酸化コリン、モノエタノールアミン、水酸化テトラメチルアンモニウム、アミノエチルエタノールアミン及びそれらの混合物からなる群より選択される塩基と、カテコール、没食子酸、乳酸、ベンゾトリアゾール及びそれらの混合物からなる群より選択される金属腐食防止剤と、グリセリン、プロピレングリコール及びそれらの混合物からなる群より選択される浴寿命延長剤とを含むフォトレジスト剥離剤配合物が提供される。さらに、上記配合物を使用する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ガラス又はシリコン基板表面の平坦性を損ねることなく、優れたパーティクルの除去性を実現し、低起泡性かつ経時安定性に優れた電子材料用洗浄剤及び洗浄方法を提供する。
【解決手段】アニオン成分が一般式（１）で示されるアニオン性界面活性剤（Ａ）と、炭素数６〜１８のアルケン及び一般式（２）で示される有機溶剤からなる群から選ばれる１種以上の有機溶剤（Ｂ）と、アルカリ成分（Ｃ）とを含有してなり、前記（Ｂ）のＳＰ値が６〜１３であり、有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨが１０〜１４であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
Ｒ¹［−（ＯＡ¹）_a−Ｑ^- ］_b （１）
Ｒ³［−（ＯＡ²）_c−ＯＨ］_d （２） （もっと読む）