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Fターム[5F157BF38]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄液成分による洗浄(有機) (1,513) | 成分 (1,057) | 有機アルカリ (266) | 有機アミン類 (234)

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【課題】基板からフォトレジスト及びエッチング残渣を選択的に除去できる組成物であって、上記組成物に対して同様に露出している可能性のある金属に破壊的化学作用を及ぼさない組成物を提供することを課題とする、また、極微量の酸化シリコンを呈し、一般的に絶縁体に対するエッチング速度の低い組成物を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明は、フォトレジスト及びエッチング残渣を除去するのに適切な組成物であって、a)少なくとも約50重量%の、テトラフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、1,4−シクロヘキサンジメタノール及びアルキレングリコールエーテルからなる群より選択される溶媒;b)約0.005〜約0.8重量%のフッ素ソース;c)上限約49.9重量%の水;及び、d)上限約20重量%の腐食抑制剤を含むことを特徴とする組成物を含む。また、本発明は、基板からフォトレジスト及び/又はエッチング残渣を除去する方法であって、上記の組成物と基板を接触させることを含むことを特徴とする方法にも関する。 (もっと読む)


【課題】蛋白質汚れに対して良好な洗浄力を示し、アルマイトに対する防食性に優れ、且つ保存安定性に優れたアルマイト用洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】(A)アルカノールアミン、(B)脂肪族カルボン酸及び/又はその塩、並びに、(C)ポリカルボン酸及び/又はその塩を、それぞれ特定範囲の質量%で含有するアルマイト用洗浄剤組成物。 (もっと読む)


【課題】薬液の除去性能を高く維持することができる半導体装置の製造方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】レジストパターン3をマスクとして絶縁膜2をドライエッチングすることにより開口部4を形成する。絶縁膜2のドライエッチングの際に開口部4の内面に付着した反応生成物5に波長が200nm以下の紫外線を照射して、反応生成物5に含まれる有機成分を分解する。薬液を用いて、有機成分の分解後に開口部4の内面に残存している付着物6を除去する。付着物6が除去された開口部4内に導電膜7を形成する。 (もっと読む)


【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄(プレ洗浄)技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄(プレ洗浄)剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にGaAs、サファイア、SiCのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル(研削屑等の異物)の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体集積回路及び/又は液晶のための半導体デバイス上に回路を作製し、及び/又は電極を形成するために有用な、金属及び合金エッチレート(特に銅エッチレート及びTiWエッチレート)の低下したレジスト剥離剤及び、その使用方法の提供。
【解決手段】銅塩を添加するか、又は銅塩無しで、及び銅塩の可溶性を改善するためのアミンを添加するか、又はアミン無しで、低い濃度のレゾルシノール又はレゾルシノール誘導体を含有し、更に、これらの方法によって製造された集積回路デバイス及び電気的相互接続構造。 (もっと読む)


【課題】 優れたレジスト剥離性を示すとともに、アルミ及び銅を腐食しない安価なレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】 モノメチルアミン・ギ酸塩を含むレジスト剥離剤を用いて銅配線用レジスト又はアルミ配線用レジストを剥離する。 (もっと読む)


【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、4級アンモニウムヒドロキシド(A)、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物(B)および水を必須成分として含み、そのpHが12.5〜14.0であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が30°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】防食剤として尿素を使用せず、しかも20℃程度の常温で確実に防食性能を発揮できる剥離剤組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】ピロガロールを必須成分とする防食剤と、アルカノールアミンを含有し、pHを8〜10に調整する剥離剤組成物の構成とすることにより、アルカノールアミンが剥離機能を発揮して、レジスト膜やエッチング残渣が除去され、またpH値が8〜10にあれば、ピロガロールが水分の溶存酸素を強力に除去することができ、露出する銅膜などの金属表面に溶存酸素が反応するのを未然に防いで、防食機能を発揮する剥離剤組成物が得られる。 (もっと読む)


【課題】大面積の基板上のCu膜若しくはCu合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Cu膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Cu膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 (もっと読む)


【課題】半導体製造における大型のメタル等の洗浄において、プラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去する高い洗浄力を発揮し、部材の剥離や変色を抑制し、さらには必要によりメタル材料の表面荒れをも抑制しうる半導体基板用洗浄組成物、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】洗浄組成物により、エッチング工程及び/又は前記アッシング工程において半導体基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び/又はアッシング残渣を洗浄除去する洗浄工程を含む半導体素子の製造方法であって、該洗浄組成物は、水と、塩基性有機化合物と、酸性有機化合物と、有機溶媒とを組み合わせて含有し、pHが1.5〜5.0に調整されたことを特徴とする半導体素子の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、銅配線を腐食させることなく、配線金属の腐食抑制の目的で添加されている防食剤などの有機残渣、および研磨された銅配線金属の銅の残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨工程に続く洗浄工程において使用される洗浄剤であって、HLBが15〜35であって分子内に少なくとも1個の水酸基を有するアミン(A)、HLBが10〜30であって分子内に少なくとも1個の3級アミノ基を有しかつ水酸基を含まないアミン(B)、および水を必須成分とし、使用時のpHが7.5〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 (もっと読む)


【課題】イオン注入されたレジストを除去する際に、レジスト生じた好ましくない化学的変化の影響を小さくできる方法、装置および化学物質を提供すること。
【解決手段】実施形態の方法は、炭化材料および有機材料の少なくとも一方を半導体構造から除去する方法であり、超酸種を具備する超酸組成に前記半導体構造を接触させることを具備する。 (もっと読む)


【課題】非有毒かつ環境に優しいクリーニング組成物、従来の高有機含有量系クリーニング組成物に比肩するクリーニング効率を有するクリーニング組成物を提供すること。
【解決手段】A半導体基材がアルミニウムを含む用途におけるフォトレジストおよびエッチング後/アッシング後残留物除去のための水に富んだヒドロキシルアミン調合物。クリーニング組成物は、約2〜約15wt%のヒドロキシルアミン;約50〜約80wt%の水;約0.01〜約5.0wt%の腐食防止剤;約5〜約45wt%の、:pKa<9.0を有するアルカノールアミン、水混和性溶媒、およびそれらの混合物からなる群から選択される成分を含む。そうした組成物の使用は、一方で両方の材料を含む基材でアルミニウムを保護しながら、Al基材での効率的なクリーニング能力、最小限のケイ素エッチングを示す。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、有機残渣がベンゾトリアゾールが防錆剤の場合はもちろんのこと、カルボキシル基や水酸基などの官能基を有するHLBの高い防錆剤の場合においても、銅配線を腐食させることなく、有機残渣除去性に優れ、かつ金属残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】
水酸基を1個以上有するアミン(A1)、および特定の化学構造を有する脂肪族ポリアミン(A2)からなる群より選ばれる1種以上のアミン(A)、2〜5個の水酸基を有し、それらの水酸基のうちの少なくとも2個が芳香環のオルト位もしくはパラ位に結合し、かつHLBが15〜40であるポリフェノール化合物(B)、塩基性化合物(C)、並びに水を必須成分とし、使用時のpHが8.0〜13.0であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を使用する。 (もっと読む)


【課題】 酸化ケイ素膜を研磨し、研磨完了時にポリシリコン膜が露出するCMP工程後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを効率よく除去する半導体基板用洗浄液と、それを用いた半導体基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】 ポリシリコン膜と、該ポリシリコン層の少なくとも一部を被覆する酸化ケイ素膜とを有する基板を調整し、研磨粒子を含むCMP研磨液を用いて、前記ポリシリコン層の少なくとも一部が露出するまで前記酸化ケイ素膜を研磨し、前記基板の研磨がなされた面を洗浄する洗浄液であって、前記洗浄液が、分子内に少なくとも一つのアセチレン結合を有するノニオン性界面活性剤と、水とを含む、半導体基板用洗浄液。 (もっと読む)


【課題】本発明は、特に、IC、ウェーハ基板上のWLP回路、及びPCBから、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための組成物と方法を提供することによって、上記限界及び欠点を克服する。
【解決手段】配線、ウェーハレベルパッケージング、及びプリント回路基板からフォトレジスト、ポリマー、エッチング後残渣、及び酸素アッシング後残渣を除去するための改良された組成物と方法を開示する。一方法は、有効量の有機アンモニウム化合物と、約2〜約20質量%のオキソアンモニウム化合物と、任意的な有機溶媒と、水とを含有する混合物と前記基板を接触させる工程を含む。 (もっと読む)


【課題】TFT−LCD用剥離液組成物添加剤であるメルカプト基が含まれたアゾール系化合物を腐食防止剤として用いて、水の含有量変化時にもCu及びAlの腐食防止及びフォトレジスト剥離能力を一定に維持する水系フォトレジスト剥離剤を提供する。
【解決手段】(a)1級アルカノールアミン1〜20重量%;(b)アルコール10〜60重量%;(c)水0.1〜50重量%;(d)極性有機溶剤5〜50重量%;及び(e)腐食防止剤0.01〜3重量%;を含むLCD製造用フォトレジスト剥離液組成物。 (もっと読む)


【課題】低反射率をもたらす、シリコンウェハー表面でのピラミッドの均一かつ密な分布を与える。
【解決手段】1種以上の界面活性剤を有する、シリコンウェハーをテクスチャ形成するためのテクスチャ形成前処理組成物。1種以上の界面活性剤を有するテクスチャ形成前処理組成物でシリコンウェハーを濡らす工程に続いて、テクスチャ形成工程を有する、シリコンウェハーのテクスチャ形成方法。 (もっと読む)


【課題】ゲート絶縁膜や基板などの損傷を抑制ないし防止し、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性に優れた多剤型半導体基板用洗浄剤、これを用いた洗浄方法及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に少なくとも第1剤と第2剤とを混合して使用する多剤型洗浄剤であって、前記第1剤がアミン化合物を含有し、前記第2剤が酸化剤を含有し、さらに炭酸アルキレンを組み合わせて用いる半導体基板用洗浄剤。 (もっと読む)


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