Fターム[5F157BG14]の内容

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【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス14を、ノズル出口21に至る混合ガス供給路1で冷却源3により冷却して前記ノズル出口21から断熱膨張させながら真空処理室4内に噴出させて、反応性クラスタ45を生成し、この反応性クラスタ45を真空処理室4内の基板5に噴射して基板表面51を加工するようにしたから、反応性クラスタ45の加工性能を高めることができ、基板5の損傷が少なく、かつ高速で基板5の加工を行うことができるようにした。


【課題】基板の周縁部の不要部位を、基板の有効領域への悪影響を抑えた状態で良好に洗浄することができる技術を提供すること。
【解決手段】エッチング工程にて曝されて表面側ベベル部に針状突起群Tが生成され、また裏面側のベベル部に複合化合物Pが付着したウエハWを真空室内の回転ステージに載置する。真空室内には、ウエハWの上方側及び下方側にガスクラスターノズルが設けられ、これらノズルから洗浄処理に対応した洗浄ガスのクラスターCをウエハWの表面側及び裏面側のベベル部に照射し、ガスクラスターCの衝突による物理的作用とガスと除去対象部位との化学的作用とにより、針状突起群T及び複合化合物Pを除去する。さらに、パージガスをガスクラスターCの照射箇所に吐出することで、洗浄により生じた飛散物のウエハWへの再付着を防止する。


【課題】予備のNFを用いることによって、フッ素セルのオンサイトでの使用の困難性を克服して、安全で、連続的に、規制を遵守する方法でフッ素を与える。
【解決手段】次の工程を有する反応チャンバーの洗浄方法:
(a)目的の基材に材料を堆積させるための反応チャンバーを与える工程;
(b)上記反応チャンバーの内部で、上記目的の基材に上記材料を堆積させる工程;
(c)上記堆積を周期的に中断する工程;
(d)上記反応チャンバーの内部と、フッ素及び窒素の混合物とを接触させて、上記反応チャンバーの上記内部を洗浄する工程;及び
(e)上記フッ素及び窒素の混合物が使用できない場合に、切り替えを行って、上記反応チャンバーの内部と三フッ化窒素とを接触させる工程。


【課題】真空処理室において高温で処理された後に搬送されるウェハを微小異物や汚染が問題にならない温度に効率良く冷却できる真空処理装置を提供する。
【解決手段】試料を収納するカセットが設置されるカセット台と、大気搬送室と、該大気搬送室から搬送された試料を収納し大気圧雰囲気もしくは真空に切り替え可能なロードロック室と、該ロードロック室に連結された真空搬送室と、真空搬送された試料を処理する真空処理室と、を備える真空処理装置において、前記大気搬送室内に配置され、前記真空処理室で処理された後の高温の試料8を冷却する冷却部を備え、該冷却部は、試料8を載置し冷却液17の流路が設けられた試料台15と、試料8の搬入口側に配置され試料台15に向かって冷却用ガス10を吹き付けるガス吹き付け管11と、試料台15を境に前記搬入口の反対側に配置され、吹き付けられた冷却用ガス10を排気する排気口12と、を具備する。


【課題】サイドエッチングによるパターン細りを抑制しつつ、ドライ処理によってパターン側壁に堆積した金属を含む堆積物を効率良く除去することのできるプラズマ処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された金属層をプラズマエッチングする工程を経て積層構造中に金属層を有するパターンを形成した後、金属層を構成する金属を含みパターンの側壁部に堆積した堆積物を除去するプラズマ処理方法であって、金属層の側壁部に当該金属の酸化物又は塩化物を形成する保護層形成工程と、フッ素原子を含むガスのプラズマを作用させて堆積物を除去する堆積物除去工程と、保護層形成工程及び堆積物除去工程の後、水素を含むプラズマを作用させて金属の酸化物又は塩化物を還元する還元工程とを具備している。


【課題】液体原料のクラスターと気体原料のクラスターの比率を容易に制御することのできるクラスタービーム合せい装置を提供する。
【解決手段】クラスタービーム26を発生させるクラスタービーム発生装置10において、気体原料と液体原料とを混合する混合器40と、前記混合器40において混合された前記気体原料及び前記液体原料をクラスターとして供給するノズル21と、前記ノズル21の温度を調整する温度調整部23と、を有し、前記温度調整部23により、前記ノズルの温度を変化させることにより、前記クラスターにおける前記液体原料のクラスターと前記気体原料のクラスターとの比率を調整することを特徴とするクラスタービーム発生装置10を提供する。


【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハWを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハWに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハW及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハWの面に沿って相対移動させる手段を備える。


【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。


【課題】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させることのできるシリコン基板上のパターン修復方法及びシリコン基板上のパターン修復装置を提供する。
【解決手段】シリコン基板上にエッチングによって形成されたパターンの間に成長した異物を除去して当該パターンの形状を回復させるシリコン基板上のパターン修復方法であって、シリコン基板をチャンバー内に収容し、シリコン基板を160℃以上に加熱する加熱工程を有する。


【課題】 活性状態とされた酸素による処理をした後でも、金よりなる構造体の表面に、ボンディングワイヤーの形成や電着膜の形成が正常に行えるようにする。
【解決手段】 制御電極118及び可動部電極109の表面に残渣するカーボン系汚染物(有機物)を除去するために、これらの酸素プラズマが照射された状態とする。次に、この酸素プラズマによる処理がなされた基板101を、例えば、真空、不活性、もしくは還元性の雰囲気において加熱処理する。この加熱処理により、金からなる制御電極118及び可動部電極109の表面に、酸素を含むプラズマが照射されたことにより形成された酸化金が、除去されるようになる。


【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、(1)微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、(2)減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、(3)部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は(4)部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。


【課題】Cu表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のCu配線構造におけるCu表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第1の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してCu含有物残渣のエッチング除去を行う第1工程と、基板温度が前記第1の温度よりも高温の第2の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Cu表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第2工程とを行う。


【課題】不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】被処理物Wを収容し大気圧よりも減圧された雰囲気を維持可能な処理容器6と、前記処理容器内を減圧する減圧手段3と、前記被処理物を収容する空間と連通しプラズマを発生させる空間を有するプラズマ発生室と、前記プラズマを発生させる空間に電磁波を作用させてプラズマを発生させるプラズマ発生手段2と、前記プラズマを発生させる空間にプロセスガスを供給するガス供給手段4と、除去液蒸気を前記被処理物を収容する空間に供給する除去液蒸気供給手段30と、前記除去液蒸気が凝縮する温度以下となるように前記被処理物の温度を制御する第1の温度制御手段51と、を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置1。


【課題】球状突起の発生を抑制することができ、製品の品質および良品率の向上によるコストの低減をすることができる、基板保持部材、基板処理方法、及び基板保持部材のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板保持部材101は、上下に開口した円筒状をしている。また、基板保持部材101には、基板を保持する基板配置部107と、搬送機構の把持部材が挿入される把持部材挿入部102とが設けられている。さらに、把持部材挿入部102の上部に設けられた把持部材挿入用の開口部108を閉鎖することができる開口部閉鎖部材103をも有している。


【課題】自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、2つの処理装置を用いることなく1つの処理装置で効率的に除去することが可能なシリコン酸化膜の除去方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器4内にて、被処理体Wの表面に形成されているシリコン酸化膜を除去するための除去方法において、HFガスとNH ガスとを用いると共に、処理温度の設定範囲として150〜200℃の範囲内に設定することによりシリコン酸化膜を除去する除去工程を行うようにした。これにより、自然酸化膜であるシリコン酸化膜を、2つの処理装置を用いることなく1つの処理装置で効率的に除去する。


【課題】 HDIS用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。


【課題】被洗浄物にダメージを与えるのを抑制して超音波洗浄し、被洗浄物から異物を除去することができる超音波洗浄装置及び超音波洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 超音波洗浄装置であって、少なくとも、被洗浄物を載置して保持するテーブルと、該テーブルによって保持された前記被洗浄物にガス雰囲気下で圧電振動子の振動を超音波伝搬体によって前記雰囲気ガスを介して伝搬させて超音波洗浄する洗浄手段と、前記洗浄手段の圧電振動子に高周波電圧を印加する超音波発振器とを具備し、前記超音波伝搬体の前記被洗浄物に超音波振動を伝搬する側の端面が、該端面の逆側の前記圧電振動子が配置される端面より先細の形状に形成され、前記洗浄手段で前記被洗浄物の表面に超音波振動を伝搬させて無接触でドライ洗浄するものであることを特徴とする超音波洗浄装置。


【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。


【課題】ジクロロエチレンを熱分解させて、又はジクロロエチレンと酸素とを反応させて得られたクリーニングガスを使用して、カーボンや水が処理管の中に導入されないように、半導体処理装置の処理管内部の金属汚染をクリーニングできるクリーニングガス供給装置を提供する。
【解決手段】ジクロロエチレンを収容する容器部10と、ジクロロエチレンと酸素とを反応させて又はジクロロエチレンを熱分解させてクリーニングガスを調製するジクロロエチレン反応部20と、該容器部10中のキャリアガスのバブリングが生ずるように連結されたキャリアガス導入路30と、該容器部10から混合ガスを該ジクロロエチレン反応部20に供給するための混合ガス供給路40と、該ジクロロエチレン反応部20に酸素を供給するための酸素供給路50と、該ジクロロエチレン反応部20から処理管にクリーニングガスを供給するためのクリーニングガス供給路60とを有する。


【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。


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