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Fターム[5F157BG22]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 気体による洗浄 (2,067) | 洗浄媒体の種類 (1,431) | 蒸気 (109)

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Fターム[5F157BG22]に分類される特許

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【課題】処理対象物の表面の損傷を抑制して表面処理の高効率化を図ることができる表面処理装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム照射部10の窓14から出力された電子ビームは、薄膜27を通過して配管24内の処理溶液80に照射され、その処理溶液80を活性化する。その活性化された処理溶液80は、溶液タンク23に注がれ、その溶液タンク23の中に入れられた処理対象物90の表面処理に使われる。処理溶液80が酸またはアルカリを含む場合、その処理溶液80に電子ビームが照射された後でも、その処理溶液80の活性化状態は充分に長い時間に亘って持続する。したがって、電子ビームが照射されて活性化された処理溶液80が処理対象物90の表面に供給される場合にも、その処理対象物90の表面処理の効率化を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の一方の面と端面部分(エッジ部分)を液体により処理をする際に、他方の面側への液体の回り込みを防ぐことができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、回転する基板Wに対して処理用の液体28を供給して基板Wの処理をする際に、基板Wの一方の面31と基板Wの端面部分33に対して処理用の液体28を供給する物理洗浄ツール15と、基板Wの他方の面32に対して保護用の流体55を供給して基板の他方の面側に処理用の液体が回り込むのを防止する回り込み防止用供給ノズル53と、を備え、回り込み防止用供給ノズル53は、基板Wの回転方向において少なくとも一か所に固定されている。 (もっと読む)


【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気PSMがチャンバ19内を満たすので、チャンバ19内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気PSMをチャンバ19外へ排出し、チャンバ19内に付着している希塩酸蒸気PSMの凝結分を洗浄除去する。希塩酸PSを貯留した容器71をチャンバ19内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気PSMによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ19に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸PSの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器37による測定温度と、圧力検出器39による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ87の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽77内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ87を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿81に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ87の空運転を防止できるので、ベローズポンプ87の負担を軽減できる。 (もっと読む)


本発明は、下面12と、上面22と、側面14,16,18,20とを有するウエハ状の基板10を、液状の化学作用のあるプロセス媒体26の、基板の少なくとも下面との接触によって、化学的に処理するための方法に関する。基板と、基板媒体と、これらを取り囲む雰囲気との間で三重線42を同時に形成しつつ、基板を、プロセス媒体に対し、相対的に移動させる。特に側面に存する欠損を化学的に除去するために、プロセス媒体の、基板10の上面22との接触を回避しつつ、相対移動を実行し、三重線を、基板とプロセス媒体26との間の相対移動に関し、プロセス媒体の流れ側から離隔した側面の所望の高さに形成することが提案される。かくして、雰囲気を、プロセス媒体26の中に存在する成分の分圧に関して、上面が疎水特性を保つように、調整することができる。 (もっと読む)


【課題】被処理物に付着する油分を確実に洗浄除去することができ、被処理物の洗浄処理に使用される溶剤を再生処理して洗浄力の回復及び維持を図ることができる被処理物洗浄方法及び被処理物洗浄装置の提供を目的とする。
【解決手段】被処理物Aに付着する油分Dを炭化水素系溶剤Bに溶解させて分離した後、被処理物Aに残着する炭化水素系溶剤Bをフッ素系溶剤Cに溶解させて分離する。油分Dが溶解した炭化水素系溶剤Bと再生処理済みのフッ素系溶剤Cとの混合溶剤BCをフッ素系溶剤Cの沸点より低い温度で該沸点に近い温度に加温する。炭化水素系溶剤Bに対してフッ素系溶剤Cを溶解させ、フッ素系溶剤Cに対して溶解性がない油分Dを分離する。油分Dが分離された混合溶剤BCを沸点より低い温度に冷却して、炭化水素系溶剤Bとフッ素系溶剤Cとに分離及び再生するとともに、被処理物Aの洗浄処理に繰り返し使用する。 (もっと読む)


【課題】Geを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Geを含有する半導体基板を、HClガス、HBrガスまたはHIガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Geを含有する半導体基板を、75℃以上110℃以下のHCl溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、MISFETのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 (もっと読む)


【課題】この発明は、洗浄液を、第2処理槽内に滞留させることなく効率よく排出及び濾過することができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物Aの浸漬洗浄処理が完了した際に、第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cを、そのフッ素系溶剤Cの自重を利用して第2処理槽2Bの底部に接続された排出路2fから下方へ排出して貯液槽7へ供給する。第2処理槽2Bと貯液槽7との間に重力に沿ったフッ素系溶剤Cの流れを作ることができるので、フッ素系溶剤Cの全体を、第2処理槽2B内の角隅部等に滞留させることなく貯液槽7へ供給することができる。これにより、フッ素系溶剤Cの全体を排出及び濾過する際に要する時間が短縮され、作業の能率アップ及びレベルの高い濾過が行える。 (もっと読む)


【課題】表面に酸化銅が形成された銅膜を有する基板に対し、有機酸にてドライクリーニングを施して酸化銅を除去する際に、その終点を簡便にかつ高精度で、迅速に検出することができる終点検出方法を提供すること。
【解決手段】処理室内に有機酸ガスを導入してドライ洗浄処理を行っている際の処理室内のガスまたは処理室から排出されたガスの分析を行って、酸化銅が形成されている際と酸化銅が除去された際との所定のガス成分の濃度変化に基づいて終点を検出する。 (もっと読む)


【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置1により被処理物Aを浸漬洗浄処理する際に、第1処理槽1B内に放出されたフッ素系溶剤Cの蒸気Caを、第2処理槽2Bより下方に配置された冷却ジャケット3の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Aを、第1処理槽1B内の第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Aを第2処理槽2Bに収容したまま位置を変更せずに、第2処理槽2Bに貯留されたフッ素系溶剤Cを蒸気Caに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第2処理槽2Bに放出された蒸気Caをフッ素系溶剤Cに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 (もっと読む)


【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート31の表面に多数の溝部36を形成し、毛細管現象により薬液であるHMDS液をこれら溝部36を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してHMDS液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたHMDS液がキャリアガスに接触するといったことがないので、HMDS液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置3を小型化できることから、処理容器22の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の回路基板と半導体素子との隙間の洗浄効果を高める。
【解決手段】回路基板2に半導体素子3を実装する半導体装置1の製造方法において、回路基板2に形成された電極21および半導体素子3に形成された半田バンプ31の少なくとも一方にフラックス7を供給する工程と、フラックス7を供給した後、電極21と半田バンプ31とを接合する工程と、電極21と半田バンプ31とを接合した後、回路基板2と半導体素子3との隙間に蒸気81を供給して、回路基板2と半導体素子3との隙間を洗浄する工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】水を含む高沸点、高蒸発潜熱の洗浄剤においても、再付着がなく、洗浄後の乾燥効率が高く、洗浄、乾燥時間を短縮でき、複雑な形状の被洗浄物でも乾燥シミを作ることなく乾燥させることができるベーパー洗浄を可能にする。
【解決手段】被洗浄物をベーパー洗浄するためのベーパー洗浄槽6と、ベーパー洗浄槽6内における下方部分に蓄えた洗浄剤16と、ベーパー洗浄槽6に連通した乾燥槽5と、ベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を遮断又は開放可能とした遮断蓋13と、被洗浄物を載置可能であるとともにベーパー洗浄槽6と乾燥槽5間を移動可能なキャリアと、を具備した装置本体2と、装置本体2に連結された、装置本体2の内部を加減圧する圧力調整手段3と、被洗浄物に付着した洗浄剤等を排液するための排液弁17と、洗浄剤16を加熱するための加熱システム19と、を具備した。 (もっと読む)


【課題】本発明は被洗浄乾燥物を有機溶剤の蒸気エリア内に設置して洗浄及び乾燥処理を行う洗浄乾燥装置及び洗浄乾燥方法に関し、乾燥じみの発生を確実に防止し高い洗浄及び乾燥品質を実現することを課題とする。
【解決手段】有機溶剤23の蒸気エリア25内に設置されたローバ11(被洗浄乾燥物)の洗浄及び乾燥を行う工程(ステップ16〜21−1)と、蒸気エリア25からローバ11を取り出す工程(ステップ22〜25)とを有する洗浄乾燥方法において、蒸気エリア25内の温度を検出し、この蒸気エリア25の温度がローバ11の表面に有機溶剤23が結露可能な温度(T)以下であるときは、ステップ21−1からステップ22への移行を禁止させる。 (もっと読む)


【課題】操作画面にレシピのステップ毎に必要なステータスを視覚的に分かりやすく表示させる。
【解決手段】複数のステップから構成されるレシピの作成を行う操作画面を有し、この操作画面上からの指示で前記レシピを実行させることにより、基板の処理を行う基板処理装置であって、前記レシピの各ステップ名を順番に表示すると共に、各ステップに対応する内容を示すアイコンを前記操作画面に表示し且つガス配管図G2を前記操作画面に表示する表示手段を備える。 (もっと読む)


【課題】 大型基板(少なくとも0.25m)のさらされた表面から有機含有材料を除去する方法を提供する。
【解決手段】 基板は、電子デバイスを備えていてもよい。さらされた表面は、溶媒にオゾン(O)を含むストリッピング溶液で処理され、ここで、溶媒は酢酸無水物を含む。ストリッピング溶液を形成するのに用いられるストリッピング溶媒は、酢酸無水物と、2-4個の炭素原子を含有するカーボネート、エチレングリコールジアセテート、及びこれらの組み合わせからなる群より選ばれる共溶媒との混合物を含んでいてもよい。一定の場合、ストリッピング溶液は、酢酸無水物とオゾンだけを含んでいてもよいが、オゾンの濃度は、典型的には約300ppm以上である。 (もっと読む)


【課題】基板端部の洗浄を行なうことによって、基板端部で生じた異物に起因する汚染発生を防止し、歩留まり低下を抑制することのできる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板Wの端部W1を洗浄する基板洗浄装置1A、1Bであって、前記基板Wを略水平姿勢に保持し、該基板Wを鉛直軸周りに回転自在な基板保持手段2と、前記基板保持手段2により保持され、所定の回転速度で回転する基板Wの端部W1に洗浄液を噴射する洗浄液噴射手段7とを備え、前記洗浄液噴射手段7は、前記洗浄液を前記基板Wの端部W1に対し側方から噴射する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの後面処理およびウェーハとの物理的接触の困難な問題を解決できる新規な処理機および処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ワークを保持しかつ回転させるヘッドを備えた遠心ワーク処理機。ヘッドはガスシステムを備えたロータを有している。ガスは、ロータの入口からスプレーされ、回転ガス流を発生する。回転ガス流は、ワークの第一面の縁部をロータの接触面に対して保持する圧力状態を形成する。ロータおよびワークは一緒に回転する。外周部に隣接するガイドピンが、ワークとロータとを整合させる補助をする。傾斜面が、消費されかつワークから飛散した処理液体を偏向させる補助をする。ヘッドは、ボウルとの多くの異なる係合位置に移動できる。ワークが回転されて処理されるとき、ボウル内のスプレーノズルがワークの第二面上に処理液体をスプレーする。 (もっと読む)


残渣を表面から除去する方法であって、表面を、式E−またはZ−RCH=CHRを有する化合物(式中、RおよびRは独立に、C〜Cペルフルオロアルキル基、またはC〜Cヒドロフルオロアルキル基である)からなる群から選択される少なくとも1つの不飽和フッ素化炭化水素を含む組成物と接触させるステップと、表面を組成物から回収するステップとを含む方法が開示されている。フッ素系潤滑剤を表面に被着させる方法、および少なくとも水の一部分を濡れた基板の表面から除去する方法において、フッ素化炭化水素は溶媒組成物としても使用される。 (もっと読む)


【課題】 効率の良い半導体基板処理装置及び半導体基板を処理するための方法の提供すること。
【解決手段】 半導体基板処理装置には、半導体基板支持体と、半導体基板支持体の上に位置する分配ヘッドと、液体容器と、搬送サブシステムが含まれる。半導体基板は半導体基板支持体上に載置されてもよく、第1半導体処理液がその上に分配される。第1半導体処理液を除去するためにウエハを半導体基板支持体によってスピンさせてもよい。半導体基板を第2半導体処理液に浸漬させてもよい液体容器に搬送サブシステムが半導体基板を搬送させてもよい。その後、半導体基板が第2半導体処理液の表面と接触している半導体基板の表面に蒸気を送るとともに半導体基板が第2半導体処理液から取り出されてもよい。 (もっと読む)


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