Fターム[5F157BG22]の内容

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【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽1内でのリンス処理が完了した後に待機位置WPで置換処理を行うために、単に基板Wを待機位置WPに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりDIW蒸気が基板Wに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、DIW蒸気の動圧によって基板Wに付着しているDIWが下方へ押し流されて基板Wに残存するDIW量が低下する。また、基板WのうちDIW蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってDIWの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層(52)を形成するノズル(40)を備えた液層保持手段(25)と、基板(2)の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段(24)と、ノズル(40)を基板(2)に近接させる昇降機構(41a)とを有し、ノズル(40)に形成した液層(52)を基板加熱手段(24)で加熱した基板(2)の表面の熱で沸騰させて基板(2)の表面と液層(52)との間に蒸気層(60)を形成するように昇降機構(41a)を制御して、基板(2)の表面を洗浄することにした。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物の洗浄、乾燥残りを抑制し、効果的な洗浄を行うことができる枚葉式洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】枚葉式洗浄装置において、少なくとも、円筒状の凹部及び該凹部の内壁面に沿って液体及び/又は気体を吐出する吐出口を有する旋回流形成部を少なくとも一つ有し、前記被洗浄物の洗浄及び/又は乾燥させる少なくとも片面に前記旋回流形成部が近接するように配設される洗浄テーブルと、前記洗浄テーブルの周辺に配設され、前記洗浄テーブルの旋回流形成部に近接する前記被洗浄物の側面に接触して固定保持する保持体とを具備し、前記旋回流形成部の吐出口から液体及び/又は気体を吐出させ、前記保持体で前記被洗浄物の側面を固定保持し、該吐出させた液体及び/又は気体によって前記被洗浄物の少なくとも片面を洗浄及び/又は乾燥するものである枚葉式洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】OH基を含有するシリコン酸化膜から、TFTの性能である界面特性や絶縁性のため、及び基板を安価なものにするため低温で作製するため、低温で簡便な方法でOH基を減少させる方法を提供する。
【解決手段】基板上に低温形成された、OH基を含有するシリコン酸化膜を有機溶媒に接触・浸漬させる工程と、その後、前記シリコン酸化膜を低温加熱する熱アニール処理を加える工程と、を有することを特徴とするシリコン酸化膜からのOH基除去法。 (もっと読む)


【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物11の洗浄乾燥方法であって、該被処理物11を大気圧下の洗浄乾燥室18に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室18内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物11を該洗浄乾燥室18から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室18内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物11を該洗浄乾燥室18に搬入した際の該洗浄乾燥室18内における空隙容積の100倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】ミスト成分が十分に除去された液体原料の蒸気を生成することが可能なバブリング装置を提供する。
【解決手段】バブリング装置10は、液体原料17を収容する容器11と、液体原料17が供給される液体原料供給口12と、キャリアガスが供給されるキャリアガス供給口13と、容器11内のガスを排出するガス排出口14と、キャリアガスを用いて液体原料17をバブリングさせる下部フィルタ15と、バブリングによって得られた液体原料17の蒸気を含むキャリアガスから液体原料17のミスト成分を除去する上部フィルタ16とを備えている。 (もっと読む)


【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハWを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハWに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハW及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハWの面に沿って相対移動させる手段を備える。 (もっと読む)


【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】少ない薬品の使用量で、ウェーハ表面に付着した有機物および金属等の微粒子をより精度高く除去することができるシリコンウェーハの表面浄化方法を提供する。
【解決手段】オゾンガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に酸化膜を形成させ(ステップS1)、フッ化水素ガスをウェーハ表面に接触させ、ウェーハ表面に形成された酸化膜を除去し(ステップS2)、シュウ酸またはクエン酸のジカルボン酸の薬液を用いてウェーハ表面を洗浄し、微粒子の再付着防止と金属粒子の除去とを行い(ステップS3)、さらに、オゾン水を用いてウェーハ表面を洗浄して微粒子を除去するとともに、更なる酸化膜の形成を行う(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム100に用いられるものであって、前記導出管12上に設けられる第1バルブ23と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部CSと、前記濃度測定部CSで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第1バルブ23の開度を制御する濃度制御部CCと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器41と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部42とを備えた。 (もっと読む)


【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置1は、スピンチャック4と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面に向けて、高温(たとえば80℃)のSC1を供給するためのSC1ノズル5と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル6と、スピンチャック4を収容するカップ8とを備えている。SC1ノズル5から吐出された高温のSC1は、ウエハWの中央部に供給される。蒸気ノズル6から吐出された水蒸気は、ウエハWの中間位置Mに供給される。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れを生じさせることなく基板に付着した異物を除去する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄方法では、基板が載置台に載置され(ステップS1)、載置台に載置された基板に所定の金属に対して化学結合性を有する有機物質、例えばフタロシアニンが蒸気の状態で供給され(ステップS2)、基板に付着した金属を含む異物と有機物質との結合物質の生成を促進するエネルギが基板に供給され(ステップS3)、載置台に載置された基板が所定温度に加熱されることにより基板から結合物質が揮発させられる(ステップS4)。 (もっと読む)


【課題】 基板処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】 基板処理方法は、フォトレジスト膜が形成された基板を設け、フォトレジスト膜を除去するために処理液を基板上に提供し、処理液と接触するようにミストを基板上に提供する。ミストは、処理液と反応して水酸化ラジカルを追加的に形成し、ミストと処理液が発熱反応するため、フォトレジスト膜の除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板表面にウォーターマークが生成されるのを抑制しつつ、疎水性を示す基板表面を洗浄後にリンスし乾燥させることができるようにする。
【解決手段】少なくとも一部が疎水性である基板Wの表面をリンスし乾燥させる基板処理装置であって、水平に配置された基板Wの外周部を囲繞する位置に堰18を配置し、基板Wの表面にリンス水を供給して基板Wの全表面に堰18によって流れを堰き止めたリンス水の連続した液膜26を形成し、基板Wを回転させ基板Wの表面の中心部にある液膜26を基板Wの表面の外周部に移動させて基板表面の中心部を露出させ、しかる後、基板Wの表面の液膜26を完全に除去して基板Wの表面を乾燥させる。 (もっと読む)


【課題】タクトタイムの増大による生産性の低下を生じることなく、被洗浄物の表面にシミのない清浄な乾燥状態を得る。
【解決手段】搬送治具13aに載置された被洗浄物13をIPA蒸気雰囲気4に浸漬して蒸気乾燥を行うIPA蒸気乾燥槽2の後段に余熱乾燥槽6を設け、IPA蒸気乾燥槽2で蒸気乾燥を終え、IPA蒸気雰囲気4の潜熱によって所定の温度まで加熱された状態にある被洗浄物13および搬送治具13aを、余熱乾燥槽6に搬入し、当該被洗浄物13および搬送治具13a自体が持つ余熱によって乾燥を加速させ、IPA蒸気乾燥槽2におけるIPA蒸気雰囲気4への反復浸漬等の煩雑な操作を必要とすることなく、被洗浄物13や搬送治具13aの表面における液滴の残留に起因する被洗浄物13のシミ等の欠陥の発生を確実に防止する。 (もっと読む)


【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Wと、複数のダミー基板DWとを、複数段の被処理基板保持部6aを有する被処理基板ボート5に、交互に保持させていく工程と、被処理基板W及びダミー基板DWを、交互に保持した被処理基板ボート5を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート5に保持された被処理基板Wに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 (もっと読む)


【課題】Cu表面の酸化銅の除去および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣の除去を効率良く確実に行うことができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上のCu配線構造におけるCu表面の酸化銅膜および層間絶縁膜に付着したCu含有物残渣を有機酸含有ガスを用いて除去するにあたり、基板温度が相対的に低温の第1の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給してCu含有物残渣のエッチング除去を行う第1工程と、基板温度が前記第1の温度よりも高温の第2の温度になるように基板を加熱しつつ基板に有機酸ガスを含む処理ガスを供給して前記Cu表面の酸化銅膜を還元を主体とする反応により除去する第2工程とを行う。 (もっと読む)


【課題】微細パターンが形成されている基板を、その微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】代表長が0.1μm以下の溝又は穴を有する微細パターンが形成されたウエハWを、水分を含んだ空間において、所定位置に配置された対向電極46を挟んで、鋭角状の先端部を有する冷却自在の放電電極45の先端部に対して一定間隔で対面するように、ウエハWを配置する配置ステップと、放電電極45を冷却して放電電極45に結露を生じさせると共に、放電電極45と対向電極46との間に一定電圧を印加する洗浄ステップと、により洗浄する。この洗浄ステップでは、放電電極45の先端部で直径が10nm以下の水微粒子を含有するエアロゾルを発生させ、エアロゾルをウエハWに噴霧することによりウエハWを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体10は、蒸気室12と、空気室14と、蒸気室12に通じる蒸気入力口15と蒸気噴射口16と蒸気排気口17と、空気室14に通じる空気入力口18とを有し、蒸気室内12には、噴射用バルブ20と排気用バルブ30を有し、空気入力口18から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ20と排気用バルブ30を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口15から入力された蒸気を、蒸気噴射口16から噴出させ、待機時には、蒸気排気口17から排気させる。 (もっと読む)


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