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Fターム[5F157BG39]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 気体による洗浄 (2,067) | 洗浄媒体の種類 (1,431) | 複数の洗浄媒体の組み合わせ (79)

Fターム[5F157BG39]に分類される特許

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【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】歩留まりおよび生産性の向上を図る。
【解決手段】圧力やガス流量などの装置動作条件を示す装置パラメータの現状態を抽出するパラメータ抽出手段41と、装置パラメータの現状態から装置加工結果を示す線幅や膜厚などの特徴量を算出する特徴量算出手段42と、算出した特徴量が規定範囲かどうかにより装置の処理を継続するかどうかを判断する継続判断手段43とを有し、継続判断手段43が装置の処理を継続すると判定した場合に所定の処理を行い、継続判断手段43が装置の処理を継続しないと判定した場合には、所定の処理を停止する。 (もっと読む)


【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第1処理工程と、第1処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第2処理工程と、を具備している。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥および金属汚染低減が可能な半導体基体の処理方法、そのための装置、また、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】CとNとを含む混合ガスをプラズマ化してCN活性種を生成し、生成したCN活性種により半導体基体11の半導体層の表面を処理する。特に、前記処理としては、前記半導体基体11の表面の半導体層を前記CN活性種によりパッシベートすることを含む。さらに、そのことにより、表面汚染金属および半導体中の欠陥を除去する。 (もっと読む)


【課題】残留物よりも下にポリマーコーティングを有する基板処理構成部品の表面から、残留物を除去する。
【解決手段】一変形例においては、構成部品表面を有機溶媒と接触させて、ポリマーコーティングに損傷を与えることなく、またはポリマーコーティングを除去することなく残留物を除去する。残留物はプロセス残留物でも可能であり、または接着剤残留物でも可能である。この洗浄プロセスは、改装プロセスの一部として行うことができる。別の変更形態においては、構成部品表面にわたってレーザを走査させることによって、残留物をアブレーションする。さらに別の変形例においては、ことによって、構成部品の表面にわたってプラズマ切断機を走査させることによって、残留物を蒸発させる。 (もっと読む)


【課題】誘電率値に不利に影響せずに基板を効果的に洗浄することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置は、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種との第一比率を有する活性ガスを形成するために水素含有ガスを遠隔励起するリモートソースを有する。本装置は、基板支持体と、遠隔励起ガスをろ過して、イオン水素含有化学種とラジカル水素含有化学種の第二比率を有し、第二比率が第一比率と異なる、ろ過された励起ガスを形成するイオンフィルタと、チャンバにろ過された励起ガスを導入するガス分配器とを備えたプロセスチャンバを有する。 (もっと読む)


【課題】フォーカスリングの温度を基板の温度とは独立して制御することで,これにより基板の面内処理特性を制御する。
【解決手段】ウエハWを載置する基板載置面115とフォーカスリングを載置するフォーカスリング載置面116を有するサセプタ114を備えた載置台110と,ウエハ裏面を基板載置面に静電吸着するとともに,フォーカスリング裏面をフォーカスリング載置面に静電吸着する静電チャック120と,伝熱ガス供給機構200とを備え,伝熱ガス供給機構は,基板裏面に第1伝熱ガスを供給する第1伝熱ガス供給部210と,フォーカスリング裏面に第2伝熱ガスを供給する第2伝熱ガス供給部220とを独立して設けた。 (もっと読む)


【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水PWを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器110と、水蒸気発生容器110に純水PWを供給する純水供給部400と、水蒸気発生容器110で発生した飽和水蒸気SVを加熱して過熱水蒸気HVを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器150と、過熱水蒸気生成容器150で発生した過熱水蒸気HVを基板Wの表面に噴射させる基板処理装置300とを備えている。 (もっと読む)


【課題】その表面にレジスト膜からなるマスクが形成され、周縁部のレジスト膜の膜厚が中央領域よりも厚い基板にダメージを与えずに、当該基板の表面に形成されたレジスト膜を確実に除去できる技術を提供すること。
【解決手段】前記基板の表面全体にレジスト膜を酸化するための酸化性の処理流体を供給し、レジスト膜を除去する第1の工程と、前記基板の周縁部に当該基板の辺に沿ってアルカリ性の処理液をノズルから吐出して、基板の端部のレジストを除去する第2の工程と、を実施することにより、基板の端部におけるレジスト膜の残留を防ぎ、基板に与えるダメージを抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】マイクロ波の損失を極力低減し、高密度プラズマを効率良く生成できるプラズマ生成装置を提供する。
【解決手段】プラズマ生成装置100は、マイクロ波を発生させるマイクロ波発生装置21と、マイクロ波発生装置21に接続され、マイクロ波の伝送方向に長尺をなすとともに、該伝送方向に直交する方向の断面が矩形をした中空状の矩形導波管22と、矩形導波管22に接続されてその内部へ処理ガスを供給するガス供給装置23と、矩形導波管22の一部分であって、内部で生成したプラズマを外部で放出するアンテナ部40とを備えている。アンテナ部40は、その断面において短辺をなす壁40aに1又は複数のスロット孔41を有しており、大気圧状態の矩形導波管22内に供給された処理ガスをマイクロ波によってプラズマ化し、スロット孔41から外部の被処理体へ向けて放出する。 (もっと読む)


【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 30%水溶液換算のHの容量に対する29%水溶液換算のNHOHの容量が、体積比で1を超え200以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】リードタイムを短くし、処理性能において従来よりも信頼性のあるレジスト除去方法を提供する。
【解決手段】被処理物の処理表面に付着したレジスト膜を除去する方法であって、被処理物の処理表面に付着したレジスト膜に対し、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性水素原子を供給することによるドライ処理と、大気圧から100Paの間で誘導結合プラズマ法によって生成された活性酸素原子を供給することによるドライ処理及び/又は薬液によるウェット処理とを行う。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】半導体デバイス製造において、表面に凹凸パターンを有し該凹凸パターンの凹部表面にチタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、タンタル、及び、ルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を有するウェハ(金属系ウェハ)のパターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善するための、保護膜形成用薬液を提供することを課題とする。
【解決手段】金属系ウェハの少なくとも凹部表面に撥水性保護膜を形成するための薬液であり、Griffin法によるHLB値が0.001〜10であり炭素数が6〜18の炭化水素基を含む疎水部を有する界面活性剤と、水を含み、薬液中の前記界面活性剤の濃度が、該薬液の総量100質量%に対して0.00001質量%以上、飽和濃度以下であることを特徴とする、撥水性保護膜形成用薬液。 (もっと読む)


【課題】設備コストを低減しつつ、良好なエッチング特性を得ることができるドライエッチング方法およびドライエッチング装置を提供する。
【解決手段】本実施形態のドライエッチング方法は、水素を含む第1の反応ガスとフッ素を含む第2の反応ガスとをニッケルで形成された加熱体110に接触させることで、水素ラジカルとフッ素ラジカルとをそれぞれ生成し、前記水素ラジカルおよび前記フッ素ラジカルと、前記第1の反応ガスおよび前記第2の反応ガスとを反応させることでエッチングガスを生成し、前記エッチングガスによって基板上のシリコン酸化物層をエッチングする。これにより、マイクロ波を用いた従来のラジカル源と比較して、ラジカルの生成に必要な設備および電力を低コストに抑えることができる。また、反応ガスに対する加熱体110の耐久性が向上し、安定したエッチング特性を維持できる。 (もっと読む)


【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 (もっと読む)


本発明は、切り換え可能な疑中性ビームシステムを用いてリアルタイムで基板を処理して、フォトレジスト層のエッチング耐性を改善する装置及び方法を供してよい。それに加えて、前記の改善されたフォトレジスト層は、エッチング処理において、ゲート及び/又はスペーサの限界寸法(CD)のより正確な制御、ゲート及び/又はスペーサのCD均一性の正確な制御、並びに、ライン端部粗さ(LER)及びライン幅粗さ(LWR)の除去に用いられてよい。
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【課題】シリコン層の露出部を含むパターンをプラズマエッチングによって形成する際に、副生成物の除去と残留フッ素の除去とをパターンに損傷を与えることなく行うことのできる基板のクリーニング方法及び基板のクリーニング装置を提供する。
【解決手段】基板上のパターンをプラズマエッチングにより形成した後に、基板の表面をクリーニングする基板のクリーニング方法であって、基板をHFガス雰囲気に晒して副生成物を除去する副生成物除去工程と、水素ガスと、炭素と水素を構成元素として含む化合物のガスとを含むクリーニングガスをプラズマ化して基板に作用させ、当該基板に残留したフッ素を除去する残留フッ素除去工程とを具備している。 (もっと読む)


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