【課題】反応性クラスタによる基板の加工方法に係り、基板の損傷が少なく、高速加工ができるようにした。
【解決手段】反応性ガスと、前記反応性ガスと不活性であって前記反応性ガスより低沸点のガスとからなる混合ガス１４を、ノズル出口２１に至る混合ガス供給路１で冷却源３により冷却して前記ノズル出口２１から断熱膨張させながら真空処理室４内に噴出させて、反応性クラスタ４５を生成し、この反応性クラスタ４５を真空処理室４内の基板５に噴射して基板表面５１を加工するようにしたから、反応性クラスタ４５の加工性能を高めることができ、基板５の損傷が少なく、かつ高速で基板５の加工を行うことができるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板同士を接合する前に、当該基板の表面を適切に改質する。
【解決手段】表面改質装置３０は、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを収容する処理容器１００と、ウェハＷ_Ｕ、Ｗ_Ｌを載置する載置台１１０と、プラズマ生成用のマイクロ波を供給するラジアルラインスロットアンテナ１２０と、処理領域１１０内に処理ガスを供給するガス供給管１３０と、処理容器１００内をプラズマ生成領域Ｒ１と処理領域Ｒ２に区画するように設けられたイオン通過構造体１４０と、を有している。イオン通過構造体１４０は、所定の電圧が印加される一対の電極１４１、１４２を備え、当該イオン通過構造体１４０には、プラズマ生成領域Ｒ１から処理領域Ｒ２に処理ガスのイオンが通過する開口部１４４が複数形成されている。 （もっと読む）

【課題】基板に付着した異物を取り除きつつ、基板や該基板上に形成された膜の劣化を防止することができる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】異物２２が付着し且つほぼ真空の雰囲気中に配されるウエハＷに向けて０．３ＭＰａ〜２．０ＭＰａのいずれかの圧力で洗浄ガスを噴霧して複数のガス分子２０からなるクラスター２１を形成し、該クラスター２１をイオン化することなくウエハＷへ衝突させる。 （もっと読む）

【課題】帯電粒子からウェハを遮蔽するためにウェハに磁場を印加する磁石を備えたウェハ・チャックを有するプラズマ・エッチング・システムを提供する。
【解決手段】磁場はウェハと平行であり、その強度はウェハ表面の近傍で最も強い。磁場は直線状であっても、円形状であってもよい。動作中には、電子はローレンツ力によってウェハから偏向され、ウェハは正電荷を帯び、イオンは静電反発力によって偏向される。中性化学種は磁場を通り抜けることができ、ウェハに衝突する。中性化学種は一般に、帯電粒子より等方性および材料選択性の高いエッチングを実現するので、本発明の磁場は、エッチングの等方性および材料選択性を高める傾向がある。また、シーズニング・プロセスは、通常は帯電粒子によるエッチングに依拠しているので、磁場により、チャンバ表面から望ましくない膜を除去するようになされたシーズニング・プロセスからウェハを遮蔽することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させつつ基板の処理コストを十分に低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理槽４から引き上げられる基板Ｗに気体供給ダクト６２から気体が供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。気体供給ダクト６２は、主管１４１および２つの分岐配管１４２ａ，１４２ｂからなる配管１４０を介してドライエア発生装置１１０およびファンユニット１２０と接続されている。ドライエア発生装置１１０は分岐配管１４２ａを通して気体供給ダクト６２にドライエアを供給し、ファンユニット１２０は分岐配管１４２ｂを通して気体供給ダクト６２に大気を供給する。各分岐配管１４２ａ，１４２ｂには、制御バルブ１３０ａ，１３０ｂが介挿されている。制御バルブ１３０ａ，１３０ｂの開閉状態に応じてドライエアおよび大気のいずれか一方が気体供給ダクト６２に供給され、基板Ｗの乾燥処理が行われる。 （もっと読む）

【課題】微細パターンが形成されている基板を、その微細パターンに悪影響を与えることなく短時間で洗浄する基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】代表長が０．１μｍ以下の溝又は穴を有する微細パターンが形成されたウエハＷを、水分を含んだ空間において、所定位置に配置された対向電極４６を挟んで、鋭角状の先端部を有する冷却自在の放電電極４５の先端部に対して一定間隔で対面するように、ウエハＷを配置する配置ステップと、放電電極４５を冷却して放電電極４５に結露を生じさせると共に、放電電極４５と対向電極４６との間に一定電圧を印加する洗浄ステップと、により洗浄する。この洗浄ステップでは、放電電極４５の先端部で直径が１０ｎｍ以下の水微粒子を含有するエアロゾルを発生させ、エアロゾルをウエハＷに噴霧することによりウエハＷを洗浄する。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理物が落電等で損傷するのを防止するプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】電極３１にて処理ガスをプラズマ化する。この処理ガスを被処理物９に接触させる。処理容器１０が閉状態のときは、押さえ具２７が支持部２１及び被処理物９上に載り、引っ掛け部２７ａが係止部２６から離れる。このとき、押さえ具２７は、支持部２１と被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。支持部２１は、押さえ具２７と、絶縁保持部と、絶縁性の連結部材２５と、被処理物９の他は、いかなる部材とも接触していない。したがって、支持部２１及び押さえ具２７は、電気的に浮いている。ひいては、被処理物９が電気的に浮いた状態（電気的フロート）になっている。 （もっと読む）

【課題】基板に所望のプラズマ処理を適切に施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、ウエハＷを収容するチャンバ１１内部をプラズマ生成室１２及びウエハ処理室１３に仕切るイオントラップ１４と、プラズマ生成室１２内に配置される高周波アンテナ１５と、プラズマ生成室１２内に処理ガスを導入する処理ガス導入部１６と、ウエハ処理室１３内に配置されてウエハＷを載置し且つバイアス電圧が印加される載置台１７とを備え、イオントラップ１４は、プラズマ生成室１２からウエハ処理室１３へ向けて二重に配置された板状の上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１を有し、上側イオントラップ板２０及び下側イオントラップ板２１のそれぞれは設置された導電体２０ａ，２１ａと該導電体２０ａ，２１ａの表面を覆う絶縁体からなる絶縁膜２０ｂ，２１ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】出口部での清掃残りの発生を抑制し、マウンドやランプ加熱式成長装置の場合のスリップを抑制可能な枚葉式ＣＶＤ用チャンバのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内のクリーニング時、エッチングガスを成長ガスの流れ方向とは反対方向から内部流路へ供給するので、分解生成物が堆積し易い出口部の内壁に対して、充分な量のエッチングガスを供給できる。そのため、出口部における分解生成物の清掃残りの発生を抑制できる。その結果、分解生成物が内壁から剥がれて生じるパーティクルを原因としたマウンドや、ランプ加熱方式の気相成長装置を採用したときのスリップを抑制できる。 （もっと読む）

【課題】プラズマ処理における異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板９を処理室３ａ内に収容してプラズマ処理を行うプラズマ処理装置において、処理室３ａ内の異常放電を検出する放電検出センサ２３、処理室３ａ内を窓部２ａを介して撮影して動画データを出力するカメラ２６を備え、異常放電を検出した場合には異常放電の検出時点を含む時間帯に対応する動画データを記憶させ、異常放電を検出しない場合には正常な放電状態を示す動画または静止画のデータを、プラズマ処理が行われたことを示す正常履歴画像データとして記憶させる。これにより、異常放電の原因を究明するための有用なデータを取得するとともにトレーサビリティを確保することができる。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内で基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に汚染物質が発生する基板処理装置において、処理チャンバから汚染物質を良好に、しかも低コストでクリーニング除去する。
【解決手段】電子ビーム照射を停止している間、オゾンガス供給ユニット４８Ｂにより処理空間４１ａにオゾンガスが初期充填された後に循環ファン４９ａが作動してクリーニング用流路（給排気流路）の両端部を処理空間４１ａに連通してなる循環経路に沿ってオゾンガスが循環する。この循環流動するオゾンガスによって処理チャンバ４１内に付着した汚染物質が分解されて処理チャンバ４１の内壁面全体がクリーニング除去される。 （もっと読む）

【課題】 ライン状に発生したプラズマのプラズマ密度の均一性を改善し、高均一なプラズマ処理が出来るプラズマ発生装置を提供すること。
【解決手段】 ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器１７が設けられる。容器１７はライン状プラズマの長さ方向に設けられており、長さ方向のプラズマ濃度を調整する第１の調整機構２１、幅方向のプラズマ濃度を調整する第２の調整機構２２、微調整のための第３の調整機構２３を有している。第１の調整機構２１はライン状プラズマの長さ方向の複数位置において幅が異なる開口を持ち、第２の調整機構はライン状プラズマの長さ方向に渡り均一な幅の開口を有している。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置の通常運転時には排出ガスから処理ガス成分を回収する負荷を軽減し、異常発生時には安全性を確保する。
【解決手段】被処理物９を搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。第１排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。再利用部５０によって、排出ガスから処理ガス成分を回収し、供給系３０に送る。異常時には、第２排気系６０によって処理槽１０内のガスを第１排気系４０より大きな流量で排出する。 （もっと読む）

【課題】基板表面の平坦性を損なうことなく自然酸化膜や有機物を除去する表面処理が可能となる洗浄手法を提供する。
【解決手段】プラズマ中のラジカルをプラズマ分離用のプラズマ閉じ込め電極板（１１０）のラジカル通過孔（１１１）を通して処理室に導入し、処理室に処理ガスを導入して処理室（１２１）内でラジカルと混合し、そしてラジカルと処理ガスとの混合雰囲気により基板表面を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工形状のウエハ面内における均一性が良好で、極微細加工、あるいは多層膜エッチングに好適なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】内部を減圧可能な減圧処理室８と、該減圧処理室内に処理ガスを供給するガス供給手段９と、前記減圧処理室内にマイクロ波を供給してプラズマを生成するマイクロ波供給手段１と、前記減圧処理室内に被処理材である試料を載置して保持する試料載置電極１１と、前記減圧処理室に接続され該減圧処理室内のガスを排気する真空排気手段１４を備え、前記減圧処理室、ガス供給手段の処理室へのガス供給部、マイクロ波供給手段の処理室へのマイクロ波導入部、試料載置電極、および真空排気手段を前記減圧処理室の中心軸に対して同軸上に配置し、前記マイクロ波導入部は、入力されたマイクロ波の偏波面を回転させて前記処理室に供給するマイクロ波回転発生器２２を備えた。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜上に仕事関数制御金属導体を堆積した構造の半導体において、素子を劣化させることなく微細加工を施す。
【解決手段】半導体基板１０１上に形成されたＨｆあるいはＺｒを含む絶縁膜１０２、該絶縁膜上に形成されたＴｉあるいはＴａあるいはＲｕを含む導体膜１０３を有し、該導電膜上に形成したレジスト１０７を用いて、プラズマ雰囲気中で前記導電膜を加工する半導体加工方法において、前記レジスト１０７を、水素を含み酸素を含まないガスのプラズマ雰囲気中で除去する。 （もっと読む）

【課題】被処理物表面に対する親水化の処理効率を向上させる。
【解決手段】第１プラズマ生成部１１の第１電極１２，１２間に略大気圧の第１の放電空間１５を形成し、そこに第１処理ガスの窒素（Ｎ_２）を通してプラズマ化し、紫外領域の発光性を付与する。一方、第２空間形成部２１の第２空間２５で第２処理ガスの酸素（Ｏ_２）をオゾン化又はラジカル化して酸化能を付与又は強化する。第１放電空間１５を通過後の第１処理ガスを噴出部３０の第１噴出路３３から処理位置Ｐへ噴き付けるとともに、第２空間２５からの第２処理ガスを処理位置Ｐの近傍で前記第１処理ガスと合流させながら処理位置Ｐへ噴き付ける。第１放電空間１５を、第２空間２５より処理位置Ｐの近くに配置する。 （もっと読む）

【課題】ウエハの周辺へ誘導される反応ガスの圧力にバラツキが生じることなく、その圧力を均一に保持することができ、プラズマによるガス分配板の汚染を最小化することができるプラズマエッチングチャンバを提供する。
【解決手段】ウエハの周縁へ反応ガスを誘導するガス分配板と、上記ガス分配板から離間して配設されるプレートと、上記ガス分配板とプレートとの互いに対向する面のうちの少なくとも一方の面に突設され、上記ウエハの周縁に流れていく反応ガスの圧力を均一にする緩衝部と、を提供する。 （もっと読む）

【課題】 基板洗浄方法及び装置が開示される。
【解決手段】 レーザービームを利用する基板洗浄方法及び装置において、工程チャンバー内にはレーザー誘起衝撃波が発生する空間を限定する内部チャンバーが配置される。前記レーザービームは前記内部チャンバー内に位置した焦点に集中され、これによってレーザー誘起プラズマ衝撃波が前記レーザー焦点の周囲に発生する。前記プラズマ衝撃波は内部チャンバーの内側表面によって反射され、前記内部チャンバーの下部を通じて基板上に照射される。結果的に基板上に照射されるプラズマ衝撃波の強度が増加し、これによって、基板上の汚染物質の除去効率が向上する。 （もっと読む）