【課題】基板底面を均一に処理できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】前記基板処理装置は、基板を支持し、回転可能なスピンヘッドと、前記スピンヘッド上に設けられ、工程のとき、基板の底面に流体を供給する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドに流体を供給する流体供給ユニットと、を含み、前記噴射ヘッドは、前記スピンヘッドのセンター部に位置し、前記流体供給ユニットから流体が供給されるボディと、前記ボディから前記スピンヘッドのエッジ部に向かって延長され、前記ボディから供給された流体を前記基板の底面に噴射する噴射部材と、を含み、前記噴射部材には、前記基板のエッジ部に流体を噴射する第１噴射口と、前記基板のセンター部とエッジ部との間に位置するミドル部に流体を噴射する第２噴射口とが形成され、前記流体は、前記第１噴射口に先に供給される。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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基板からフッ素化ポリマーを除去するためのプラズマ発生装置。この実施例は通電電極、第１誘電層及びそれら通電電極と第１誘電層との間に提供された第１ワイヤメッシュを含む通電電極構造体を含んでいる。この実施例はまた、通電電極構造体の反対側に設置された接地電極構造体を含んでおり、プラズマを発生させる空洞部を形成している。プラズマが空洞部内に存在するとき第１ワイヤメッシュは第１誘電層から遮蔽される。空洞部はフッ素化ポリマーを除去するプラズマを提供するためにその１端に出口を有している。 （もっと読む）

本発明は、インジェクションタイプのプラズマ処理装置に関し、常圧条件で誘電体バリア放電（ＤＢＤ；Dielectric Barrier Discharge）を利用して多様な面積、多様な大きさ、及び多様な形状を有する処理対象物を微細アークストリーマによる損傷なしに処理することができるインジェクションタイプのプラズマ処理装置を提供することをその目的にする。本発明に係るインジェクションタイプのプラズマ処理装置は、誘電体が形成された状態で、反応チャンバに提供される電源電極板と、前記電源電極板に交流電力が印加される時に前記電源電極板との間でプラズマを形成する、前記反応チャンバの壁の一部を構成し且つ複数のホールが形成された接地電極板と、前記反応チャンバ内に反応ガスを注入して、反応チャンバ内のプラズマを前記接地電極板のホールを介して外部に噴射させるガス供給ユニットとを含む。
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本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
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