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Fターム[5F157BG94]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 気体による洗浄 (2,067) | 流れ生成 (85) | 噴射 (42)

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【課題】ガス管路118からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部113、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部115と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓111を備えた。 (もっと読む)


【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー13上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー20と回転モーター15により駆動される回転可能なチャック14とを備え、スプレーバー20により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック14上に支持されたウェハー13の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理のための、特に材料の除去、特に有機材料の除去、とりわけ例えば半導体ウエハのような基板からフォトレジスト材料を除去するための代替技術を提供する。
【解決手段】a)処理チャンバー内に、その表面上に材料を有する基板を配置すること;b)液状処理組成物の流れを基板の表面に衝突させるように向けること;及びc)水蒸気の流れを基板の表面に衝突させるように及び/または液状処理組成物に衝突させるように向けること、を含む、基板の処理方法。 (もっと読む)


【課題】紫外線ランプを収容するケーシング内のガスの置換効率を向上させることにより、ガスの置換時間を短縮するとともに、当該置換におけるガスの使用量を低減する。
【解決手段】ワークWに紫外線を照射する紫外線ランプ2と、紫外線ランプ2を収容し、ワークWに対向して開口する開口部31を有するケーシング3と、ケーシング3内にガスを供給するガス供給機構4とを備え、ケーシング3の内面又は内部空間に、ガス供給機構4により供給されたガスを紫外線ランプ2の周囲を一方向に循環させるための循環案内面3xが設けられている。 (もっと読む)


【課題】 処理液による処理中の基板への処理液の飛沫の付着を防止して清浄に保つことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 気体吐出ノズル11は中心に開口11gを有する円環状で、本体11aの外側の側面11bには上下2列に並んだ多数の外側気体吐出穴11cが、開口11gの側面11dには1列に並んだ多数の内側気体吐出穴11eが形成される。処理中に、基板Wは外側気体吐出穴11c、内側気体吐出穴11eからの気体により覆われて液の飛沫が付着することがない。 (もっと読む)


【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水PWを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器110と、水蒸気発生容器110に純水PWを供給する純水供給部400と、水蒸気発生容器110で発生した飽和水蒸気SVを加熱して過熱水蒸気HVを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器150と、過熱水蒸気生成容器150で発生した過熱水蒸気HVを基板Wの表面に噴射させる基板処理装置300とを備えている。 (もっと読む)


【課題】 レジストの水による物性変化(膨潤性等)を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル3をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 (もっと読む)


【課題】プラズマ処理の均一性及び効率が向上し、電極の絶縁が容易になるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】走査ヘッドにおいては、処理ガスが流れる流路を有する構造物と、棒形状を有し表面が固体誘電体からなる被覆電極と、が結合される。被処理ワークは、支持電極の支持面に支持される。流路の入口には処理ガスが供給される。被覆電極と支持電極との間にはパルス電圧が印加される。流路及び被覆電極は、少なくとも出口寄りの部分が支持面に平行な方向以外の方向に延在する。被覆電極は、流路の中に配置され、流路の内表面との間に間隙を有し、被覆電極の放電先端は、流路の出口に露出する。走査ヘッドの先端は、支持面との間に間隙を有する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウエハー洗浄プロセスにおける、完全ケミカルフリー・純水フリータイプのドライ型アッシングレス洗浄システム並びに洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面にレジストを有している基体を加温又は加熱せしめ、該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して、極低温マイクロソリッド微粒化ノズルから極低温マイクロ・ナノソリッド噴霧流体のジェット流を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】被処理物の表面に存在する有機物等の汚染物を高い効率で除去することができると共に、被処理物の表面の濡れ性を向上させることができ、被処理物の表面に高い密着性を有する薄膜を形成することができるドライ洗浄方法およびドライ洗浄装置を提供する。
【解決手段】被処理物1に大気圧プラズマを作用させることにより洗浄処理する第1洗浄工程と、この第1洗浄工程によって洗浄処理された被処理物1にエキシマランプから放射されたエキシマ光を照射することにより洗浄処理する第2洗浄工程とを有し、搬送される被処理物1に対して被処理物1の搬送方向の上流位置に大気圧プラズマ装置20を配置し、被処理物1の搬送方向の下流位置にエキシマ光照射装置30を配置する。 (もっと読む)


【課題】従来に比べて処理の面内均一性の向上を図ることができるとともに、処理チャンバー内の無駄な空間を削減して装置の小型化を図ることのできるプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】載置台と対向する対向面に複数設けられたガス吐出孔から基板に向けてガスをシャワー状に供給するシャワーヘッドを具備し、対向面に形成された排気のための複数の排気孔と、載置台の周縁部に沿って設けられ上下動可能とされた環状部材であって、上昇位置において載置台とシャワーヘッドと当該環状部材とによって囲まれた処理空間を形成する環状部材と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内にガスを供給するための複数の環状部材側ガス吐出孔と、環状部材の内壁部分に開口し、処理空間内を排気するための複数の環状部材側排気孔とを具備したプラズマ処理装置。 (もっと読む)


【課題】基板表面の全域に対して、処理液による処理を均一に施すことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】この基板処理装置1は、スピンチャック4と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面に向けて、高温(たとえば80℃)のSC1を供給するためのSC1ノズル5と、スピンチャック4に保持されたウエハWの表面に水蒸気を供給するための蒸気ノズル6と、スピンチャック4を収容するカップ8とを備えている。SC1ノズル5から吐出された高温のSC1は、ウエハWの中央部に供給される。蒸気ノズル6から吐出された水蒸気は、ウエハWの中間位置Mに供給される。 (もっと読む)


【課題】 高圧蒸気を微小領域に吹き付け、当該微小領域を拡大させることで被洗浄対象物の洗浄を行う洗浄装置を提供する。
【解決手段】 特定部に開口する槽形状の洗浄槽の開口部をエアカーテンにて閉鎖することとし、洗浄槽内に置かれた被洗浄物に対して高圧蒸気を吹き付けるノズルを、該エアカーテンを超えた洗浄槽内に配置することとする。 (もっと読む)


【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇(ひさし)が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 (もっと読む)


【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ(25)は、基板(50)を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ(25)に導入するガス分配器(90)は、基板(50)平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ(25)に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置(100)は、処理ガスの流れを1つ又はそれ以上のガスノズル(140)を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ(25)からの処理ガスを排出するのに用いられる。 (もっと読む)


【課題】キャピラリ内でのパーティクルの発生を防止できるドライアイススノー洗浄装置を提供する。
【解決手段】供給源から供給された液化炭酸ガスを膨張させ冷却させるオリフィス3と、上記オリフィス3から噴射ノズル1に至るキャピラリ2と、上記キャピラリ2が接続されてドライアイススノーを噴射する噴射ノズル1と、上記噴射ノズル1に対してドライアイススノーの噴射ガスを供給する噴射ガス供給管4とを備え、上記キャピラリ2における噴射ガス供給管4の合流部よりも上流側の部分に、キャピラリ2を外側から加温する加温手段を設けたことにより、キャピラリ2内面をドライアイスの温度よりも高い温度に保ってキャピラリ2内面に薄いガス層を形成し、固体のドライアイスがキャピラリ2内面に衝突することを防止してパーティクルの発生を防止する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効果的に除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置を提供するところにある。
【解決手段】本発明はスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に係り、処理対象物10の表面から異物を脱離可能な高速のガスを噴射するノズルにおいて、前記処理対象物10の幅方向に沿って延設されるノズル本体111と、前記ノズル本体111に供給された高圧のガスが前記ノズル本体111の長手方向に沿って均一に分布可能となるように前記処理対象物10の幅方向に連続する流路を有して前記ノズル本体111の内部に形成される圧力均配路112と、前記ノズル本体111および圧力均配路112の一方の端部に前記処理対象物10の幅方向に連続するように開放形成され、前記圧力均配路112を介して高圧のガスを供給されて衝撃波を生じさせる超音速ガスジェットを生成し、前記処理対象物10に向けて噴射するスリット113と、を備ええてなることを技術的要旨として、処理対象物の表面に損傷を負わせないつつも、処理対象物の表面に強固に付着した微細汚染物を効率よく除去することのできるスリット型超音速ノズルおよびこれを備えた表面処理装置に関する。 (もっと読む)


【課題】エッチング処理中に、チャンバの構成部品の表面上にもポリマー堆積物が形成され、時間が経つと、剥離、剥がれ落ちて、パーティクル汚染源となる。そのパーティクルを低減できるプラズマ反応室の構成部品を提供する。
【解決手段】プラズマ処理チャンバに用いられる構成部品を、洗浄し、ポリマーの付着を促進する表面粗さに粗面化し、セラミック又は高温ポリマー等の被覆材料32を構成部品の面上にプラズマ溶射する。構成部品としては、チャンバ壁、チャンバライナ30、バッフルリング、ガス供給板22、プラズマ閉じ込めリング14及びライナ支持体が含まれる。ポリマーの付着を向上させることによって、プラズマ溶射構成部品の面は、処理チャンバ内のパーティクル汚染レベルを低下し、それによって歩留まりを改善し、チャンバ構成部品を洗浄及び/又は取り替えるのに必要な停止時間を減らすことができる。 (もっと読む)


【課題】基板の裏面を下側にして基板を回転しつつ非回転の部材に形成されたノズルから基板に処理液を供給して所定の処理を行う処理装置において、ノズルが形成された部材に液滴が残ることを抑制すること。
【解決手段】基板であるウエハを裏面を下側にして水平にした状態で回転させながらウエハ裏面に処理液を供給して液処理を行う液処理装置は、ウエハWの下方に非回転状態で、その上面に、処理液を吐出する処理液吐出ノズル20および乾燥ガスを吐出するガス吐出ノズル21を有するノズル部材5が設けられ、処理液吐出ノズル20は基板に向けて処理液を吐出する処理液吐出口20aを有し、ガス吐出ノズル21は、ウエハWに向けて乾燥ガスを吐出する第1のガス吐出口21aと、ノズル部材5の上面に沿って乾燥ガスを放射状に吐出する複数の第2のガス吐出口21bとを有する。 (もっと読む)


【課題】球状突起の発生を抑制することができ、製品の品質および良品率の向上によるコストの低減をすることができる、基板保持部材、基板処理方法、及び基板保持部材のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】基板保持部材101は、上下に開口した円筒状をしている。また、基板保持部材101には、基板を保持する基板配置部107と、搬送機構の把持部材が挿入される把持部材挿入部102とが設けられている。さらに、把持部材挿入部102の上部に設けられた把持部材挿入用の開口部108を閉鎖することができる開口部閉鎖部材103をも有している。 (もっと読む)


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