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Fターム[5F157BH01]の内容

Fターム[5F157BH01]に分類される特許

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【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 (もっと読む)


【課題】SiC半導体の表面特性を向上できるSiC半導体の洗浄方法を提供する。
【解決手段】SiC半導体の洗浄方法は、以下の工程を備えている。SiC半導体の表面にイオン注入する。表面に酸化膜を形成する。酸化膜を除去する。形成する工程では、150ppm以上の濃度を有するオゾン水を用いて酸化膜を形成する。形成する工程は、SiC半導体の表面およびオゾン水の少なくとも一方を加熱する工程を含むことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】半導体基板における金属膜表面の酸化による腐食(浸食)を抑制ないし防止する酸化防止方法及び酸化防止液を提供する。また、酸化防止液の適用による金属膜や絶縁層の腐食がより短時間処理でより長期にわたり抑えられ、かつ、その酸化防止効果を利用して、特にダイシング工程において多量に付与される水の影響を緩和し、良好な金属膜表面の維持を可能とする酸化防止方法及び酸化防止液を提供する。
【解決手段】半導体基板の金属膜表面を酸化防止液により処理するに当たり、前記酸化防止液として、水に少なくともリン含有化合物及び塩基性化合物を含有させ、pHを10超に調整したものを用いる金属膜表面の酸化防止方法。 (もっと読む)


【課題】真空処理室でプラズマ処理が再開可能な異常が発生した場合に、オペレータによる長時間のウエハの処理再開操作待ちによりウエハに成膜された金属膜の腐食が進行する問題が考慮されていなかった。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行う真空処理室と、洗浄処理を行う洗浄処理装置とを備え、表面に金属膜の単層または金属膜を含む積層膜が成膜されたウエハを腐食性ガスにより、プラズマ処理する真空処理装置において、真空処理室に異常が発生し、プラズマ処理が中断されたウエハを所定時間経過後に、プラズマ処理が中断されたウエハを洗浄処理装置へ搬送し、洗浄処理を行うシーケンスを有する制御手段を備えたことを特徴とする真空処理装置である。 (もっと読む)


【課題】 均一で高密度且つ大面積のプラズマを安定的に生成することが可能であるプラズマ発生源及びプラズマ発生装置、並びにこのプラズマ発生装置を利用した成膜装置、エッチング装置、アッシング装置、表面処理装置を提供すること。
【解決手段】 絶縁体上方に配置された電極及び磁石と、前記電極に接続された交流電源を備えており、前記電極は、対向配置された一対の櫛型状電極からなり、
前記一対の櫛型状電極は、櫛歯状部が互いに平行に且つ交互に配置され、該櫛歯状部間に前記磁石が配置されており、前記電極からの電界と前記磁石からの磁界によりプラズマ生成用ガスをプラズマ化することを特徴とする磁場付容量結合プラズマ発生源とする。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの表面に付着するパーティクルがより微細なものとなっても、それらを効果的に除去することができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄液による半導体ウェーハの洗浄方法において、
前記洗浄液として、水より低表面張力、且つ水より低粘性を有するものを用い、前記半導体ウェーハの表面の温度を30℃〜50℃とした状態において、前記洗浄液で洗浄する。前記半導体ウェーハの裏面にウェーハの温度を上昇させるための流体を噴き付けることによってウェーハの温度を上昇させる。 (もっと読む)


【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器10の処理室10a内に支持部21を設け、この支持部21にて被処理物9を支持する。処理ガス供給系60によって処理ガスを被処理物9に供給する。排気系70によって、処理室10a内のガスを排出する。排気系70の排気孔71を被処理物9と直交する方向から見て被処理物9(処理領域)を囲むように環状に分布させて設ける。 (もっと読む)


【課題】基板上の半導体デバイスにおける絶縁膜の劣化を防止するとともに、容易に製造することができる載置台を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置10の載置台12は、第1の高周波電源28及び第2の高周波電源29に接続される下部電極20と、該下部電極20の上面中央部分において埋設される誘電体層21と、該誘電体層21の上に載置される静電チャック22と、ウエハW及び誘電体層21の間に配される導電膜45とを有し、該静電チャック22は電極膜37を有し、導電膜45は条件「δ/z≧85」及び条件「ρs1≦2.67×10Ω/□」を満たし、電極膜37は条件「δ/z≧85」を満たす。但し、z:導電膜45の厚さ、δ:導電膜45のスキンデプス、ρs1:導電膜45の表面抵抗率、z:電極膜37の厚さ、δ:電極膜37のスキンデプス。 (もっと読む)


太陽電池基板の層を洗浄するための方法および装置が開示される。基板が反応性ガスに露出されるもので、この反応性ガスは、窒素およびフッ素を含む中性ラジカルを含むことができるか、あるいは無水HFおよび水、アルコール、または水とアルコールとの混合物を含むことができる。さらに、反応性ガスは、キャリアガスを含みうる。反応性ガスは、太陽電池基板表面をエッチングして、酸素および他の不純物を除去する。中性ラジカルに露出されると、基板は、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウムを含有する薄膜を成長させ、この薄膜はその後熱処理によって除去される。
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【課題】 処理対象物を所望の面内処理分布でプラズマ処理する。
【解決手段】 処理対象物の面内温度分布が処理結果に影響を与えるため、処理中の処理対象物に、予め定められた特定の面内温度分布を与える事ができる機構を提案する。処理対象物を載置する載置台に電磁波吸収発熱素材を組み込む。プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第一の工程ではプラズマを発生させず、電磁波吸収発熱素材が組み込まれた載置台を加熱して予め定められた特定の面内温度分布を付与する。載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 (もっと読む)


【課題】被処理物の外側に位置する保護部の交換頻度を少なくするため、保護部の長寿命化を図るプラズマ処理装置及び方法を提供する。
【解決手段】内部を真空とすることが可能な処理室1に、被処理物Sを載置する載置部3と、ガスを供給するためのガス供給部2とを備えたプラズマ処理装置において、載置部3は、被処理物Sの外周側に配置されたマスクリング33を有し、ガス供給部2は、被処理物Sの上部に位置し、プラズマ処理用のガスを供給する中心側開口部22a、中間開口部22bと、マスクリング33の上部若しくは外側に位置し、マスクリング33に堆積物を生じさせるガスを供給する外周側開口部22cとを有する。 (もっと読む)


【課題】微細パターン基材にダメージを与えることなく、基材表面のゴミ、異物を除去することを可能にする。
【解決手段】微細パターンを有する微細パターン基材1の微細パターンの表面を洗浄保護膜3で被膜する工程と、洗浄保護膜の洗浄を行う工程と、洗浄保護膜を除去する工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室1の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段41、42と、被処理体Wを載置する試料載置電極13と、プラズマ生成用高周波電源21と、アンテナ11と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段17を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Wの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Wを試料載置電極13に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室1の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 (もっと読む)


【課題】アッシング及びクリーニング時における処理スピードと処理均一性を向上させるバレル型プラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】反応容器の内部に反応ガス導入管を1本以上取り付ける。そしてガス導入管のガス噴出口は1個以上設けそれぞれ中空型孔加工とする。 (もっと読む)


【課題】アニールウェーハの熱処理後の洗浄による表面粗さの悪化を防止することで、該アニールウェーハに薄い酸化膜を形成した場合であっても、表面粗さに基づく酸化膜耐圧の劣化のないアニールウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶ウェーハを熱処理したアニールウェーハの洗浄方法において、少なくとも、前記シリコン単結晶ウェーハ表面の前記熱処理後に形成された自然酸化膜を除去した後、RCA洗浄を行うことを特徴とするアニールウェーハの洗浄方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】廃液処理の問題がなく設備費などを抑えながら、清浄効率や効果に優れた表面清浄化方法及び装置を提供する。
【解決手段】水中燃焼による表面清浄化方法であり、被洗浄物を保持しかつ被洗浄物表面を冠水ないしは水中に浸すとともに、燃焼炎を被洗浄物表面に該表面上の水を排除しながら照射し、該燃焼炎及び該燃焼炎にて発生する活性種に被洗浄物表面を曝すことにより該被洗浄物表面の汚染物を除去するようにした。また、前記燃焼炎は、保炎器を介して前記被洗浄物側へ照射されるとともに、前記被洗浄物が所定温度となるよう制御されることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】 半導体装置の製造方法に関し、界面活性剤を含んだ洗浄液による洗浄後の低誘電率膜のk値の変動を回復する。
【解決手段】 基板上にk値が3.0以下の低誘電率膜1を成膜したのち、低誘電率膜1に凹部を形成し、次いで、凹部及び低誘電率膜1上に導電体膜を堆積したのち、低誘電率膜1が露出するまで導電体膜を研磨し、次いで、低誘電率膜1の表面を界面活性剤3を含む洗浄剤で洗浄したのち、低誘電率膜1の表面に残存する界面活性剤3を、界面活性剤3が表面に残存した状態における低誘電率膜1の比誘電率の増大分を60%以下に低減できる界面活性剤除去方法で除去する。 (もっと読む)


静電チャック(ESC)の洗浄方法であって、ESCのセラミック表面を誘電性流体に浸す工程と、ESCのセラミック表面を導電性表面から離して、誘電性流体がESCのセラミック表面と導電性表面との間に満たされる工程と、誘電性流体を超音波攪拌すると同時にESCに電圧を印加する工程と、を含む。 (もっと読む)


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