【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板９を１枚ずつ処理する枚葉処理装置１、比抵抗がＳＰＭ液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部７１、および、基板９に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部７５を備える。基板処理装置１０では、カートリッジ７３に保持された複数の基板９が、除電液貯溜部７１内の除電液に浸漬され、基板９の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部７５による乾燥処理の終了後に、処理液供給部３により基板９の上面９１上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】隣接するブラシ毛同士の熱融着を防止し、合成繊維からなるブラシ毛に粒子を適切に熱融着したブラシ、ブラシの製造方法、クリーニングシステム、化学物質処理システムおよび電子写真装置を提供する。
【解決手段】ブラシ毛１２はポリエステル等からなり、芯部１２ａと鞘部１２ｂとを有する芯鞘構造を備え、芯部１２ａの融点が鞘部１２ｂの融点よりも高い。ブラシ毛１２を鞘部１２ｂの融点よりも高く芯部１２ａの融点よりも低い温度にて加熱することにより、鞘部１２ｂの少なくとも一部にはブラシ毛１２の繊維径に対して４０％以下の平均最大径を有する粒子１３が鞘部１２ｂから少なくとも一部が露出するように熱融着されている。ブラシ毛１２の総本数のうちの少なくとも７０％以上の本数の各ブラシ毛１２には、熱融着された粒子１３がブラシ毛１２一本当りの表面積の少なくとも５０％以上に被覆されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の酸化を抑制または防止しつつ、シリコン基板に対し処理液を用いた処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック３は、ウエハＷをほぼ水平な姿勢でその裏面（下面）を吸着して保持する保持電極板５を備えている。保持電極板５には、直流回路２２の電源の負極が接続されている。保持電極板５の上方には、対向電極板１０が設けられている。対向電極板１０には、直流回路２２の電源の正極が接続されている。対向電極板１０と、ウエハＷの表面とを隙間ｄを隔てて対向させ、対向電極板１０と保持電極板５との間に電位差が与えられる。この状態で、処理液ノズルからＳＰＭが供給される。 （もっと読む）

【課題】基板表面の薬液が吐出される領域への局所的なダメージを抑制する基板の処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂を供給して処理を行う基板の処理方法において、少なくとも薬液Ｌ₂が吐出される領域Ａを濡らすように、基板Ｗの表面に薬液Ｌ₂よりも電気伝導率の低い液体Ｌ₁を供給した状態で、領域Ａに薬液Ｌ₂を吐出し、基板Ｗの表面に供給された薬液Ｌ₂により処理を行う。 （もっと読む）

【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Ａで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水Ｐ中に溶解させた洗浄水Ｗでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水Ｗ中の二酸化炭素が洗浄水Ｗの比抵抗を低下させる。洗浄水Ｗが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Ｗが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 （もっと読む）

【課題】処理液を基板上に供給する際に、基板上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板との間の放電により生じる基板へのダメージを抑制する。
【解決手段】基板処理装置１は、導電性の処理液を基板９に向けて連続的に流れる状態で吐出する吐出部３２、および、吐出部３２に接続される供給管３１に分岐して設けられる補助管３５を備える。補助管３５には、接地部４１に接続される接液部３５２が設けられ、基板９とは異なる排出位置へと補助管３５に沿って導かれる処理液の一部に接地電位が付与される。これにより、帯電していない基板９上に処理液を供給する際に、絶縁性の供給管３１内を流れる処理液が帯電した状態で吐出されることが防止され、基板９上に吐出される処理液を汚染することなく、処理液と基板９との間の放電により生じる基板９へのダメージを抑制することができる。 （もっと読む）

半導体デバイスを湿式清浄化するときに採用される装置、システム及び方法が提供される。特に、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を供給することのできるシステム、及び半導体デバイスを湿式清浄化するときに使用するため、所望のＣＯ２濃度の脱イオン水を生成する方法が提供される。
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