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Fターム[5F157CA01]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 前洗浄(洗浄の準備他) (239) | 加熱 (136)

Fターム[5F157CA01]の下位に属するFターム

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薬液 (45)
ガス (21)
被洗浄物 (47)

Fターム[5F157CA01]に分類される特許

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【課題】基板上に塗布された接着剤を溶剤に溶解させて除去するときに、接着剤の濾過とは異なる手法により、基板上に溶解残渣物が残存することを抑制する技術を提供すること。
【解決手段】本発明の基板の処理方法は、基板1上に塗布された接着剤2を溶剤5に溶解させて除去する洗浄工程の前10分以内に、接着剤2を接着剤2のガラス転移温度以上に加熱する加熱工程を包含する。 (もっと読む)


本発明は、薄いウェハ(6)を洗浄する装置で、ウェハ(6)が各々の一辺で担持装置(2)に固定されており、2つの隣接する基板間に空隙(7)が形成されている。本装置は、流体を各空隙(7)内に注入するシャワー装置(15)と、流体を満たすことができ且つ担持装置(2)を収容できる寸法を有する槽(14)とから実質上構成される。本発明によれば、任意選択的に、シャワー装置(15)が移動不能な担持装置(2)に対して移動可能であるか、あるいは担持装置(2)が移動不能なシャワー装置(15)に対して移動可能であるか、あるいは担持装置(2)とシャワー装置(15)が相対的に移動可能である。本発明による方法は、好ましい洗浄処理において、担持装置(2)を槽内で移動しながらまず温流体でシャワー洗浄を行った後、冷流体で超音波洗浄を行い、さらに温流体でシャワー洗浄を再度行うことを特徴とする。
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超臨界状態にある二酸化炭素のような超圧流体で基板(105,205)を処理するための方法およびシステム(100,200)を説明する。プロセス成分が、基板表面を処理するための高圧流体に導入される。このプロセス成分はフルオロケイ酸を有する。
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