【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗを第１回転数で回転させながら基板Ｗへ乾燥液を供給する第１乾燥処理工程と、第１乾燥処理工程の後、基板に乾燥液を供給しながら基板を第１回転数より低い第２回転数へ減速させる第２乾燥処理工程とを有する。第２乾燥処理工程において、基板Ｗ上のリンス液および乾燥液に対してブレーキをかけた状態とし、リンス液と乾燥液を撹拌して置換させる。第２乾燥処理工程の後、第３乾燥工程において基板に乾燥液を供給しながら基板の回転数を第２回転数から第３回転数まで上げ、その後第４乾燥工程において基板を回転させて、基板上の乾燥液を振り切る。 （もっと読む）

【課題】環状のフレームの内側に配置されて、当該フレームとテープにより保持された状態の被処理基板の接合面を適切に洗浄する。
【解決手段】洗浄装置１３は、被処理ウェハＷを保持して回転させるウェハ保持部１３０と、被処理ウェハＷの接合面Ｗ_Ｊを覆う供給面１４１を備えた洗浄治具１４０とを有している。洗浄治具１４０には、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に接着剤Ｇの溶剤、溶剤のリンス液、及び不活性ガスを供給する気液供給部１５０と、接合面Ｗ_Ｊと供給面１４１との間の隙間１４２に供給された溶剤やリンス液（混合液）を吸引する吸引部１７０と、段部Ａに気体を供給する気体を供給する気体供給部１８０とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材１０を準備する工程と、基材１０の上方に金属膜２０を形成する工程と、金属膜２０上にレジスト膜３０を形成する工程と、レジスト膜３０をマスクとして金属膜２０をエッチングして配線２０Ａを形成する工程と、レジスト膜３０を剥離する工程と、基材１０を洗浄する工程と、を含み、基材１０を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第１の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材１０を洗浄する第２の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材１０の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材１０に残った金属微粒子２０ａが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線２０Ａをエッチングしない濃度である。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面をＩＰＡなどの低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、乾燥処理の効率化を図る。
【解決手段】遮断部材９０と基板表面Ｗｆとの間に形成される間隙空間ＳＰに環状気体吐出口９９ａから低露点空気を供給しつつ溶剤吐出口９７ａから低表面張力溶剤を吐出させて基板表面Ｗｆの処理液を低表面張力溶剤で置換するのに続いて、溶剤吐出口９７ａからの低表面張力溶剤の吐出を停止させるとともに、環状気体吐出口９９ａから間隙空間ＳＰへの低露点空気の供給を継続させたまま、基板Ｗの表面中央部に向けて中央気体吐出口９８ａから乾燥用ガスを吹きつけ、さらに基板Ｗを高速回転させて低表面張力溶剤を基板表面Ｗｆから除去して該基板表面Ｗｆを乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】酸化物の不所望量を失うことなく及び基板を過度に損傷することなく格別のパーティクル除去効率を達成する清浄方法の提供。
【解決手段】液体エーロゾル小滴をウェハー１３上へ向けるための複数のノズルを含むスプレーバー２０と回転モーター１５により駆動される回転可能なチャック１４とを備え、スプレーバー２０により水及び張力活性化合物を含む液体エーロゾル小滴を形成して、チャック１４上に支持されたウェハー１３の表面からパーティクルを除去するのに十分な力でもって、該表面と接触させる。 （もっと読む）

【課題】基板の乾燥処理時に基板から液滴を迅速かつ良好に滴下させて、基板処理装置のスループットを向上させるとともに、基板を良好に乾燥させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置（１）において、処理液で基板（６）の液処理を行う液処理槽（７）と、前記液処理槽（７）の上方に設けられ、前記基板（６）の乾燥処理を行う乾燥処理槽（２２）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間に設けられ、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）とを遮蔽可能な遮蔽扉（３３）と、前記液処理槽（７）と乾燥処理槽（２２）との間で前記基板（６）の搬送を行う基板搬送手段（５）と、前記液処理を行った前記基板（６）から液滴を除去するために前記基板（６）の外周縁部に対して相対的に接離可能に設けた液滴除去部材（４６）とを設けることにした。 （もっと読む）

【課題】液処理工程中に基板を上方から支持する基板支持部、あるいは基板とともに回転する天板を基板へ供給されるリンス液を用いて洗浄する。
【解決手段】液処理装置１００はウエハＷを上方から支持する回転自在の基板支持部１０と、基板支持部１０の回転中心に設けられ少なくともリンス液をウエハＷに対して供給するトッププレートノズル１０ｎとを備えている。トッププレートノズル１０ｎは基板支持部１０に対して上下方向に移動可能となっており、トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０から離間した状態でトッププレートノズル１０ｎからリンス液をウエハＷに対して供給する。トッププレートノズル１０ｎを基板支持部１０に接近させた状態で、トッププレートノズル１０ｎからリンス液を基板支持部１０の下面に供給して洗浄する。 （もっと読む）

【課題】１つの液処理装置にて異なる種類の液処理を行うにあたって、各液処理時に基板の周辺の処理液由来の雰囲気が拡散することを防止ないし抑制しつつ、クロスコンタミネーションを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、基板（Ｗ）を水平に保持して回転させる基板保持部と、基板に対して第１の処理液および第２の処理液をそれぞれ第１処理液供給ノズルおよび第２処理液供給ノズルと、基板に供給された後の処理液を受けるための液受けカップ（４０，４２，４４）と、液受けカップの周囲に配設され、その上端が前記液受けカップの上方にある上昇位置と、前記上昇位置よりも下方に位置する下降位置との間で昇降自在な、上部に上部開口（５０ｎ）が形成された筒状の第１カップ外周筒（５０Ａ）と、その外側の第２カップ外周筒（５０Ｂ）を備えている。使用される処理液に応じて、カップ外周筒５０Ａ、５０Ｂを使い分ける。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも基板の熱洗浄によって表面の不純物および酸化物の除去が可能な程度に表面が清浄なＧａＡｓ半導体基板を提供する。
【解決手段】 本ＧａＡｓ半導体基板１０は、Ｘ線光電子分光法により、光電子取り出し角θが１０°の条件で測定されるＧａ原子およびＡｓ原子の３ｄ電子スペクトルを用いて算出される、ＧａＡｓ半導体基板１０の表面層１０ａにおける全Ａｓ原子に対する全Ｇａ原子の構成原子比Ｇａ／Ａｓが０．５以上０．９以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＡｓ原子の比（Ａｓ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下であり、表面層１０ａにおける全Ｇａ原子および全Ａｓ原子に対するＯ原子と結合しているＧａ原子の比（Ｇａ−Ｏ）／｛（Ｇａ）＋（Ａｓ）｝が０．１５以上０．３５以下である。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の雰囲気の置換効率を向上させることができる液処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による液処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持する基板保持部２１と、基板保持部２１に保持された基板Ｗを上方から覆い、基板保持部２１に保持された基板を覆う処理空間３０を形成する天板３２と、を備えている。処理空間３０においては、薬液ノズル８２ａにより、基板保持部２１に保持された基板Ｗに対して薬液が供給され、置換ノズル８２ｃにより、処理空間３０の雰囲気を置換するための置換ガスが処理空間３０に供給されるようになっている。また、置換ノズル８２ｃは、処理空間３０内に進出した進出位置と処理空間３０から外方に退避した退避位置との間で水平方向に移動する置換ノズル支持アーム８２ｒによって支持されると共に、置換ガスを上方に吐出するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 基板の搬送速度を変更した場合においても、基板を均一に処理することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 ガラス基板１００を水平方向に搬送する搬送ローラ９と、処理液吐出口２１が形成され、この処理液吐出口２１とガラス基板１００の表面との間が処理液の液膜により液密状態となる位置に配置された処理液吐出ノズル２と、処理液保持面３１を備え、処理液吐出口２１と処理液保持面３１との間に処理液の液溜まりを形成可能となる位置に配置された液溜まり保持部材３と、ガラス基板１００の表面に供給された処理液がガラス基板１００の搬送方向に対して上流側に流出することを防止するためのエアナイフ５と、ガラス基板１００の裏面に洗浄液を供給する一対の裏面洗浄部４とを備える。 （もっと読む）

【課題】フットプリントや洗浄時間を増大させることなく、スクラブ洗浄部材への負荷を低減させ、研磨後の基板表面の研磨性能を向上させた洗浄を行う。
【解決手段】移動アーム４８を移動させて、基板Ｗのエッジ上方の退避位置に位置するスクラブ洗浄部材４０を基板Ｗのセンタ上方のスクラブ洗浄位置に移動させ、移動アーム４８の移動に伴って、２流体ノズル７０を該２流体ノズル７０から回転中の基板Ｗの表面に向けて流体を噴出させて該表面の２流体ジェット洗浄を行いながら移動させ、２流体ノズル７０からの流体の噴出を停止させた後、スクラブ洗浄部材４０を基板Ｗの表面に接触させてスクラブ洗浄を行う。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、内部空間Ｓ１を有するチャンバー２と、チャンバー２内で基板Ｗを保持して回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック３と、チャンバー２内で基板Ｗの上面に対向する遮断板４と、遮断板４と基板Ｗとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構５と、基板Ｗに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Ｗの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル２９と、処理液ノズル２９に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 （もっと読む）

【課題】コストの増加を抑制しながら、基板の主面全域を覆う液膜を速やかに形成でき、それによって、基板処理の品質を向上できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転させる基板保持回転機構２，３と、基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出する処理液ノズル１１を有する処理液供給機構４と、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成するのに十分な量の処理液を貯留する処理液溜まり５と、処理液溜まり５に貯留された処理液を一気に基板Ｗの主面に供給することにより、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成する液膜形成ユニット６と、制御ユニット７とを含む。制御ユニット７は、基板Ｗの主面の全域を覆う液膜を形成させた後に、処理液ノズル１１から基板Ｗの主面に向けて処理液を吐出させる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ現像液に含まれているレジスト成分を起因とする、半導体ウェハのパターン欠陥を抑制する。
【解決手段】図１に示すように、半導体ウェハ上の感光膜を液浸露光する（ステップＳ１０）。なお、感光膜上には、トップコート膜が設けられていない。次に、半導体ウェハをアルカリ性の現像液に浸す（ステップＳ２０）。次に、アルカリ性の現像液に浸した半導体ウェハを超純水によって洗浄する（ステップＳ３０）。そして、二酸化炭素を含んだ水を用い、半導体ウェハを洗浄する（ステップＳ４０）。 （もっと読む）