【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
（１）フッ化水素と、（２）塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 （もっと読む）

【課題】 基板上のパターンにダメージを与えることなく基板を良好に乾燥処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結する。次に、凍結膜を昇華乾燥すると侵入防止液の表面が露出することで平行して侵入防止液の除去が行われる。この除去工程によって凍結膜が除去されることでパターンへのダメージを生ずることなく基板表面Ｗｆを乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、洗浄によるウェーハの表面粗さの悪化を低減し、かつ、効果的にウェーハの洗浄を行うことができる半導体ウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハを洗浄する方法であって、前記半導体ウェーハをＳＣ１洗浄液により洗浄する工程と、前記ＳＣ１洗浄液により洗浄された半導体ウェーハをフッ酸により洗浄する工程と、前記フッ酸により洗浄された半導体ウェーハを、オゾン濃度が３ｐｐｍ以上のオゾン水により洗浄する工程とを含み、前記ＳＣ１洗浄液による半導体ウェーハのエッチング代を０．１〜２．０ｎｍとすることを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ基板のレーザ切削加工において、冷却時にウェーハ基板の表面に付着した切削屑をその表面から除去する。
【解決手段】レーザ切削加工される加工物１２の表面に界面活性剤膜１１を施し、レーザビームを用いる切削加工の間に生み出される切削屑１５が、その表面に付着するのを減らす。また、この界面活性剤膜１１は、好ましくは後で、この界面活性剤膜１１上に被着した切削屑１５１といっしょに除去される。 （もっと読む）

【課題】形成した微細パターンの乾燥工程での倒壊を防止する。
【解決手段】 被加工物に対して、第１パターンの形成領域と、前記第１パターンの形成領域に隣接して前記第１パターンに比べて少なくともパターン幅が広いかアスペクト比が小さい第２パターンの形成領域とを設ける構成の半導体装置の製造方法であって、最表面に第１の接触角を有する第１膜を配置した前記第１パターンと、最表面に前記第１の接触角よりも小さい第２の接触角を有する第２膜を配置した前記第２パターンを形成する工程と、前記第１パターンおよび第２パターンの形成領域を薬液により洗浄し、リンス液でリンスする工程と、リンスした前記第１パターン及び第２パターンを乾燥させる工程とを備える。 （もっと読む）

【解決課題】 熱膨張係数が大きく異なる基板同士を接合する場合でも貼り合わせ強度を高めて基板破損を回避することができる貼り合わせ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ３０％水溶液換算のＨ_２Ｏ_２の容量に対する２９％水溶液換算のＮＨ_４ＯＨの容量が、体積比で１を超え２００以下となる溶液によりハンドル基板を洗浄し、然る後にドナー基板と貼り合わせる工程を含む貼り合わせ基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】表面構造体に付着した第１の液体を迅速に凝固させ、一度に複数個の表面構造体の乾燥を可能とする表面構造体の乾燥方法を提供する。
【解決手段】第１の液体が付着した表面構造体の乾燥方法であって、該第１の液体の凝固点より低い温度で、該温度で液体である第２の液体中に前記表面構造体の表面構造部を置く工程、第１の液体を前記第２の液体中で凝固する工程、第１の液体を凝固させた状態で、第２の液体を表面構造部から取り除く工程、および凝固させた第１の液体を昇華させる工程を含む表面構造体の乾燥方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体インゴットをスライスする際に油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、太陽電池のテクスチャ構造形成においてほぼ同一のアルカリエッチング条件を適用することを可能とする。
【解決手段】加工用スラリーを用いて半導体インゴットをスライス加工して半導体ウェーハを切り出し（ステップＳ１）、半導体ウェーハの表面に付着した加工用スラリーを洗浄除去して（ステップＳ２）得た太陽電池基板用半導体ウェーハの表面を、酸化作用のみを有する酸化性薬液を用いて洗浄する（ステップＳ３）。この酸化性薬液を用いた洗浄は、半導体インゴットをスライスする際に、油性スラリーおよび水溶性スラリーのいずれを使用したかに関わらず、所定の条件により行う。 （もっと読む）

【課題】隣接基板またはキャリア内壁との間に支持材を入れることにより、基板の貼り付きを容易かつ確実に防止して基板表面の清浄度を保つ。
【解決手段】基板搬送用キャリア１において、複数枚の基板３のうちの隣接基板間およびキャリア内壁面と基板３間に、基板貼り付き防止用の球状の支持部材６が配設されている。この球状の支持部材６は、互いに対向するキャリア側板５の隣接溝部５１間にそれぞれ接続されて、基板３の高さ方向中心部とその上部に対応する上下位置にそれぞれ設けられている。このため、洗浄処理時や乾燥処理時に、キャリア溝ピッチ以上に基板３が反っても、基板３同士の貼り付きやキャリア内壁と基板３との貼り付きが防止される。 （もっと読む）

【課題】汚れの除去と乾燥を同じ工程で行う洗浄であって、洗浄時間の高速化と洗浄処理物面積の広域化を可能とする省エネルギー型で、小型で高速の洗浄乾燥を可能にする、洗浄乾燥方法および装置を提供する。
【解決手段】洗浄除去すべき物質を含む被処理物１１の洗浄乾燥方法であって、該被処理物１１を大気圧下の洗浄乾燥室１８に搬入する工程、加圧過熱液体または加圧過熱蒸気の状態にある洗浄溶剤を該洗浄乾燥室１８内に噴射する工程、および洗浄乾燥された該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８から搬出する工程を含み、該洗浄乾燥室１８内に噴射された該洗浄溶剤から発生する該洗浄溶剤の蒸気の大気圧での体積が、該被処理物１１を該洗浄乾燥室１８に搬入した際の該洗浄乾燥室１８内における空隙容積の１００倍以上であることを特徴とする、洗浄乾燥方法、およびその方法を実施するための洗浄乾燥装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＬＳＩ用半導体ウエハやＭＥＭＳ用基板のような微細構造を有する被洗浄物を、洗浄によるダメージを与えることなく、ガス溶解水により効果的に洗浄してこれらの被洗浄物を高度に清浄化する。
【解決手段】洗浄容器内１０で、被洗浄物を、当該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含む洗浄液（過飽和ガス溶解液）と接触させて洗浄する。洗浄容器に、過飽和ガス溶解液を導入するか、或いは、洗浄容器内に洗浄液を導入した後加圧ガスを導入して洗浄容器内で過飽和ガス溶解液を調製した後、洗浄容器内で被洗浄物を過飽和ガス溶解液に接触させた状態で洗浄容器内を減圧し、過飽和ガス溶解液から発生した過飽和の溶存ガスの気泡で被洗浄物を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】エレクトロニクス材料、金属、ガラス、サファイア、樹脂等の洗浄工程で要求される製品表面の高清浄度を実現することができる、水溶性洗浄剤組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）アニオン性ポリマー0.01〜20質量％、（Ｂ）キレート剤：0.01〜30質量％、（Ｃ）水：40〜99.9質量％を含む水溶性洗浄剤組成物であって、前記アニオン性ポリマー（Ａ）は、（Ａ−１）炭素数２〜８のエチレン系不飽和モノマーの少なくとも１種と、（Ａ−２）スルホ基（ＳＯ_３Ｈ）を含むエチレン系不飽和モノマー及びカルボキシル基（ＣＯＯＨ）を含むエチレン系不飽和モノマーからなる群から選ばれる少なくとも１種のアニオン性不飽和モノマーとの共重合体である、水溶性洗浄剤組成物。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）

【課題】複数の液体を混合してなる混合液を用いる液処理装置における混合液の濃度について、大きなコストをかけることなく、よりワイドレンジな調整を実現すること。
【解決手段】液処理装置１０は、主配管２０と、主配管に接続された液供給機構４０と、主配管から分岐する複数の分岐管２５と、各分岐管に接続された複数の処理ユニット５０と、を有する。液供給機構４０は、主配管上に設けられた混合器４３と、第１液源からの第１液を前記混合器へ供給する第１液供給管４１ｂと、第２液源からの第２液を前記混合器へ供給する第２液供給管４２ｂと、を有する。第２液供給管４２ｂに流量調整バルブ４２ｄが設けられると共に、主配管２０を液供給機構４０に対して他側から開閉し得る主開閉機構２２が設けられている。前記混合比に基づいて流量調整バルブ４２ｄと主開閉機構２２とが制御される。 （もっと読む）

【課題】希釈された溶液を用いて、貴金属を含む被処理膜等を迅速に且つ効果的にエッチングでき、且つ、設備の稼働率を向上できるようにする。
【解決手段】薬液を調合する薬液調合槽２４と、調合された薬液を貯蔵する薬液貯蔵槽２８と、貯蔵された薬液を用いて半導体基板を処理する処理チャンバ２１とを有する半導体装置の製造装置を用いた半導体装置の製造方法は、薬液調合槽２４において、酸化剤と錯化剤とを混合して第１の薬液を調合し、薬液調合槽２４において、第１の薬液を活性化する。続いて、薬液貯蔵槽２８において、活性化された第１の薬液と純水とを混合し、第１の薬液の濃度及び温度を調整することにより、第１の薬液を希釈した第２の薬液を調整する。続いて、処理チャンバ２１に投入された半導体基板に第２の薬液を供給する。 （もっと読む）

【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程（ステップＳ１０１）と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程（ステップＳ１０２）と、絶縁膜上にレジストを形成する工程（ステップＳ１０３）と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程（ステップＳ１０４）と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程（ステップＳ１０５）と、洗浄した開口部をリンスする工程（ステップＳ１０６）と、含む。ステップＳ１０６では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 （もっと読む）

【課題】露光ユニットを大気開放することなくレチクルステージを洗浄することができる洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】極端紫外線露光装置のレチクルステージの洗浄方法において、基板上にパーティクル取込層が形成された洗浄用レチクルのパーティクル取込層をレチクルステージに押し付ける工程と、洗浄用レチクルをレチクルステージから剥離する工程と、基板上からパーティクル取込層を除去する工程と、パーティクル取込層が除去された基板上に新たにパーティクル取込層を形成する工程と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】微細なレジストパターンが形成された基板からリンス液を除去する際にパターン倒れを防止でき、また、疎水化剤の使用量を低減し、基板処理を行う際の処理コストを低減できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】レジストパターンが形成された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程Ｓ１２と、レジストパターンを疎水化する第１の処理液の蒸気を含む雰囲気で、リンス液が供給された基板からリンス液を除去するリンス液除去工程Ｓ１４〜Ｓ１６とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板の洗浄時において基板の回路パターンの倒壊を防止すること。
【解決手段】本発明では、基板の回路パターンを形成した表面を洗浄液で洗浄した後に、洗浄後の基板の表面をリンス液でリンス処理し、その後、基板の回路パターンの間に形成される凹部に残留するリンス液を充填剤で置換して凹部を充填剤で充填固化した後に、基板の表面から充填剤を除去することにした。また、前記充填剤としてポリマーを用い、前記除去工程でプラズマ処理により充填剤としてのポリマーを除去することにした。また、前記充填剤としてフォトレジストを用い、前記除去工程で現像処理により充填剤としてのフォトレジストを除去することにした。 （もっと読む）