【課題】配線構造や層間絶縁構造を損傷することなく、半導体基板上のプラズマエッチング残渣やアッシング残渣を十分に除去しうる洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】（成分ａ）水、（成分ｂ）ヒドロキシルアミン及び／又はその塩、（成分ｃ）塩基性有機化合物、並びに、（成分ｄ）有機酸、を含み、ｐＨが７〜９であることを特徴とする、半導体用基板上に形成されたプラズマエッチング残渣及び／又はアッシング残渣除去用の洗浄組成物、並びに、前記洗浄組成物を用いた洗浄方法及び半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】基板表面上の液膜を蒸発乾燥させることなく当該液膜を薄膜化する。
【解決手段】リンス工程においてＤＩＷ供給部から低温ＤＩＷを基板表面に供給して基板および液膜の温度が雰囲気の露点以下に調整し、基板表面上に形成された液膜を薄膜化する間（薄膜形成工程）、液膜および基板の温度が雰囲気の露点以下となっているため、基板表面上の液膜が蒸発乾燥することなく当該液膜を所望の厚さに薄膜化することができる。凍結工程を実行する際に冷却高湿度窒素ガスを凍結用冷媒として用いているが、単にＤＩＷの凝固点よりも低い温度まで冷やされた冷却ガスを用いるのではなく、水蒸気を飽和した高湿度状態のものを用いることで冷却高湿度窒素ガスの露点を凍結膜の温度とほぼ同一温度に調整している。したがって、液膜の薄膜化から凍結膜の形成に切り替わる際、凍結前の液膜が蒸発乾燥するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 シリコンインゴットのスライス後の洗浄において、シリコンウエハ表面の平坦性を損ねることなく、シリコンウエハ表面の汚れに対し優れた洗浄性を実現するシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を提供する。
【解決手段】 重量平均分子量６００〜２００,０００のアニオン性界面活性剤（Ａ）、高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ１）およびシリコーン系界面活性剤（Ｂ２）からなる群より選ばれる１種以上の浸透剤（Ｂ）、並びにアルカリ（Ｃ）を必須成分とすることを特徴とするシリコンウエハ製造工程用洗浄剤を使用する。 （もっと読む）

【課題】複数のバッチ式洗浄処理槽を有する洗浄処理装置の洗浄処理効率を向上させることができる半導体基板洗浄生産管理システムを提供する。
【解決手段】洗浄管理装置２は、洗浄処理装置１で処理予定の複数の仕掛かりロットについて仕掛かりロット情報を取得するとともに、その時点での洗浄処理装置１の装置稼動情報を取得する検知部２１を備える。シミュレーション部２２は、検知部２１が取得した情報に基づいて洗浄処理装置１において各仕掛かりロットのいずれかに対する洗浄処理を開始する場合の、当該仕掛かりロットの各洗浄処理槽４への割り当てをシミュレーションし、当該シミュレーション結果に基づいて仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間を仕掛かりロットごとに算出する。処理順決定部２３は、各仕掛かりロットの処理完了時間または不処理時間が最短の仕掛かりロットを次処理ロットに決定する。 （もっと読む）

【課題】基板の検出時間を短縮することができ、このことにより基板の処理のスループットを向上させることができる基板処理システム、基板検出装置および基板検出方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１は、処理前の状態のウエハＷの検出を行う第１の検出部４０と、処理後の状態のウエハＷの検出を行う第２の検出部５０とを備えている。第１の検出部４０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理前の状態のウエハＷが収納されているか否かを検出するとともに各収納部分８２に収納された処理前の状態の各ウエハＷの収納状態を検出するようになっている。第２の検出部５０は、収納容器８０の各収納部分８２にそれぞれ処理後の状態のウエハＷが収納されているか否かを一括して検出するようになっている。 （もっと読む）

【課題】凸形状部の倒壊をより確実に防止するだけではなく、被処理体の処理効率を高くすること。
【解決手段】液処理装置は、本体部９１と、本体部９１に設けられた複数の凸形状部９２とを有する被処理体９０を処理する。液処理装置は、被処理体９０の本体部９１を支持する支持部５０と、支持部５０によって支持された被処理体９０に薬液を供給する薬液供給機構１と、薬液供給機構１によって薬液が供給された後の被処理体９０に、リンス液Ｒを供給するリンス液供給機構１０と、を備えている。液処理装置は、リンス液供給機構１０によってリンス液Ｒが供給された後の被処理体９０に、疎水化ガスを噴出して供給する疎水化ガス供給機構２０も備えている。 （もっと読む）

【課題】リンス処理時間の低減、及び、リンス液の使用量を低減させることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】第１の処理液で処理してから第２の処理液で処理する基板処理装置１００は、第１、第２の処理液を半導体ウェーハに向けて供給する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、半導体ウェーハＷ上面の膜厚を検出可能な膜厚検出手段８１，８２と、各処理液及び処理の特性等の情報を記憶したデータベース９０と、膜厚検出手段により検出された膜厚とデータベース９０に記憶された情報とに基いて、半導体ウェーハＷ上の液膜が第１の処理液から第２の処理液へと置換されたか否かを判定する制御装置７と、を備える構成とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を洗浄する際に、基板に十分な薬液を供給すると共に、除去対象物を基板に再付着させることなく除去する。
【解決手段】基板洗浄装置は、薬液カップ１３と、薬液カップ１３内に薬液を供給する第１の吐出口１５と、薬液カップ１３から薬液を排出するための排液口１４とを備える。薬液カップ１３内に、薬液カップ１３の底部から離れて略水平に基板１２が配置される。第１の吐出口１５から供給される薬液が薬液カップ１３内に蓄積されて基板１２の下面と接触することにより、該下面の洗浄を行なう。 （もっと読む）

【課題】Ｗｅｔ処理中のみならず、Ｗｅｔ処理後においても基板へのイオンコンタミネーションを防止する。
【解決手段】薬液に由来して処理チャンバ内に拡散するイオンを検出し、検出されたイオンの量が予め設定した数値範囲内にあるかどうかを判定し、検出されたイオンの量が該数値範囲の上限を超える場合に、処理チャンバ内への吸気量および処理チャンバからの排気量を調整することにより処理チャンバ内のイオンを排出する。 （もっと読む）

【課題】複数枚の基板の一括搬送および１枚の基板の枚葉搬送の切り換えに要する時間を短縮することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、バッチハンド２４によりフープ保持部に保持されたフープに対して複数枚の基板Ｗを一括して搬入および搬出するバッチ式の第１搬出入機構４と、第１および第２枚葉ハンド４５，４６によりそれぞれバッチハンド２４およびフープに対して１枚の基板Ｗを搬入および搬出する枚葉式の第２搬出入機構５とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着した液体を大気圧雰囲気で除去して基板を良好に乾燥させることができる基板乾燥装置および基板乾燥方法を提供する。
【解決手段】凍結膜１２を構成するＤＩＷの凝固点よりも低温で、かつ凍結膜１２の温度よりも低い露点を有する凍結乾燥用窒素ガスが基板表面Ｗｆに向けて継続して供給される。このため、凍結乾燥用窒素ガス中の水蒸気の分圧は凍結膜１２の蒸気圧（昇華圧）よりも低く昇華乾燥が進行する。また、昇華により発生した水蒸気成分は凍結乾燥用窒素ガスの気流に乗って基板表面Ｗｆから取り除かれるため、水蒸気成分が液相や固相に戻り基板表面Ｗｆに再付着するのを確実に防止することができる。このように大気圧雰囲気で基板表面Ｗｆに付着したリンス液を良好に除去して基板Ｗを乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を検査する検査治具のプローブ端子を損傷することなく、低接触抵抗値を維持し、信頼性の高いプローブカードの洗浄方法を得る。
【解決手段】ウエハ一括コンタクトボード６０を構成するニッケル（Ｎｉ）からなる半球状のバンプ（プローブ端子）２２を備えたバンプ付きメンブレンリング１０を、フッ素濃度が１ｗｔ％未満の酸性フッ化アンモン水溶液に浸漬する。これにより、半導体素子を検査した時にアルミニウムパッドから剥がれてバンプ２２に付着したアルミニウムや酸化アルミニウムを、バンプ２２を損傷することなく除去することが可能である。また、バンプ２２を構成するニッケル（Ｎｉ）を溶解すること無く、バンプの表面に形成されたニッケル酸化物（ＮｉＯ）を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク用ガラス基板を収納するディスクケースを再利用しても磁気ディスク用ガラス基板に影響が及ばないようにディスクケースの再利用回数を適確に管理することができるディスクケースの使用方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、複数の磁気ディスク用ガラス基板を収納して搬送する際に用いられるディスクケースの使用方法であって、前記ディスクケースに複数の磁気ディスク用ガラス基板を収納し、前記磁気ディスク用ガラス基板を搬送した後に、前記ディスクケースから前記磁気ディスク用ガラス基板を取り出し、その後、前記ディスクケースを洗浄・乾燥する全工程を１サイクルとし、前記磁気ディスク用ガラス基板のパーティクル発生率と前記ディスクケースのサイクル数との間の関係に基づき、前記パーティクル発生率が急激に上昇するサイクル回数未満のサイクル数で前記ディスクケースの再利用回数を管理することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】完全に乾燥させる前の少なくとも一部に液体が付着している基板表面の性状を、基板全体を乾燥させることなく疎水性から親水性に改質することで、乾燥後にウォーターマークが発生することを極力抑制するとともに、ＩＰＡなどの有機溶剤の使用を削減できるようにする。
【解決手段】液体が付着した基板表面の一部の領域に液排除ガスを吹き付けて液体を該ガスで基板表面から排除した露出領域を形成するか、または基板表面の液体の一部を吸引して基板表面の一部の領域に液体を排除した露出領域を形成し、露出領域にプラズマ含有ガスを吹き付けて該露出領域に位置する基板表面の性状を疎水性から親水性に改質する。 （もっと読む）

【課題】硬化層が形成されたレジストを、基層にダメージを与えないように除去する。
【解決手段】レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。レジストには、１×１０^１４〜５×１０^１５個／ｃｍ^２のイオンが注入されており、前記照射工程における紫外光の照射量を少なくとも１８００ｍＪ／ｃｍ^２とし、前記除去工程では、６０℃以上に加熱された前記アルカリ溶液を用いる。 （もっと読む）

【課題】 材料ガスの分圧が変動したとしても、混合ガスにおける材料ガスの濃度を一定に保つことができ、応答性の良い材料ガス濃度制御システムを提供する
【解決手段】 材料Ｌを収容するタンク１３と、収容された材料Ｌを気化させるキャリアガスを前記タンク１３に導入する導入管１１と、前記タンク１３から気化した材料ガス及び前記キャリアガスの混合ガスを導出する導出管１２とを具備した材料気化システム１に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられた第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された材料ガスの測定濃度が、予め定めた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣとを具備した。 （もっと読む）

【課題】簡単にしかも低コストでウォータマークの発生を少なくできる洗浄・乾燥条件の選択を可能とした半導体ウェハと半導体集積回路装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウォータマークの検出を容易にしたＴＥＧとしての半導体ウェハとして、同じパターンの繰り返しが第１方向に並ぶ第１ウォータマーク検出パターンを含む第１領域と、同じパターンの繰り返しが上記第１方向と直交する第２方向に並ぶ第２ウォータマーク検出パターンを含む第２領域とを設ける。上記半導体ウェハを用いてウォータマークが最も少なくなる洗浄・乾燥条件を探し出して、その洗浄・乾燥条件により実際の回路機能を持つ半導体集積回路を形成する半導体ウェハの洗浄・乾燥を行う。 （もっと読む）

【課題】ウエハを薬液により洗浄する際、配管ラインの一部が帯電している状態でウエハ処理を開始した場合に、薬液がウエハに吐出され、配管内の帯電部分とウエハ間の電位差によって薬液が導線となって電流が流れ、ウエハにダメージが生じることにより歩留まりが発生するのを防ぐ。
【解決手段】薬液を半導体ウエハ１に吐出して洗浄する際、半導体ウエハ１に薬液を吐出する前にノズル１１を半導体ウエハ１外に移動し、半導体ウエハ１外で数秒薬液を吐出してから、半導体ウエハ１上にノズル１１を移動し薬液を吐出することで、帯電による半導体ウエハ１上のパターンの損傷を防ぎ、半導体装置の製造歩留まりを向上させることができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板を、スクラバーブラシを使用して洗浄する装置及び方法に関するものである。本発明の１つの実施形態は、基板洗浄装置を提供し、この基板洗浄装置は、処理容積部内に移動可能に配置される２つのスクラバーブラシアセンブリを備える。これらの２つのスクラバーブラシアセンブリは、前記処理容積部内に配置される基板の両面に接触し、そして両面を洗浄するように構成される。前記基板洗浄装置は更に、これらの２つのスクラバーブラシアセンブリの位置を同時に調整するように構成される位置決めアセンブリを備え、前記位置決めアセンブリは、略同じ量の調整を前記第１及び第２スクラバーブラシアセンブリに対して鏡面対称に行なう。
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【課題】ユーザの作業負担を増加させることなく、レシピの最適化を自動的に行い、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できるレシピ最適化方法及び基板処理システムを提供する。
【解決手段】複数の候補レシピをデータベース部３１に記憶させ、各候補レシピを順次に使用して、基板Ｗの処理および検査を行う。レシピ最適化装置３０は、基板検査装置２０から送信された品質パラメータＱＰに基づいて、複数の候補レシピの中から仮最良レシピを選択する。また、レシピ最適化装置３０は、仮最良レシピに基づいて新たに複数の候補レシピを作成する。このような候補レシピの作成と、基板Ｗの処理及び検査とを、品質パラメータが所定の基準値以上となるまで繰り返し、最良レシピを得る。これにより、ユーザの作業負担を増加させることなくレシピを自動的に最適化でき、基板の処理品質の低下やばらつきを防止できる。 （もっと読む）