【課題】
温水槽の表面の波立ちと泡の発生を抑制することができる温水乾燥装置を提供することにある。
【解決手段】
この発明は、温水槽の下に設けられた上に開いたコーン槽を有し、コーン槽の底にはその中心部に温水供給孔が設けられ、温水供給孔に被さるように温水供給孔の上部に温水供給孔からの吐出水を受ける下に開いた中空コーン部材が設けられ、中空コーン部材の最下端の外周がコーン槽の傾斜した壁面に所定の間隙をもって隣接し、中空コーン部材には吐出水により発生する泡を排出するために底にに排出管が結合されてこの排出管の端部が温水槽より上部に導出されているものである。 （もっと読む）

【課題】枚葉式処理の利点及び洗浄溶液を使用する箇所での洗浄溶液の準備の利点を上回るように改善された洗浄作用を有する洗浄方法を提供すること
【解決手段】初期の組成においてアンモニウム−アルカリ性の成分を含有する洗浄溶液を用いて、その際、前記半導体ウェハを枚葉式処理で洗浄溶液と接触させ、かつ洗浄の経過において、フッ化水素を他の成分として前記洗浄溶液に添加し、かつ前記洗浄溶液は、洗浄の完了時に、初期と組成とは異なる組成を有する、半導体ウェハを洗浄する方法 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の加工面の傷や加工時に生じる不純物などを効果的に除去する洗浄方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により作製したＳｉＣ成形体を所望の形状に加工した後、酸洗浄し、次いで、（１）該ＣＶＤ−ＳｉＣ成形体を陽極として２．０Ｖ以上の正電位を印加して表面に二酸化ケイ素の膜を形成する電解研磨処理、（２）引き続き、フッ化水素酸系の酸により二酸化ケイ素膜の溶解除去処理、を施した後、純水で洗浄し、乾燥することを特徴とするＣＶＤ−ＳｉＣ成形体の洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】真空装置を用いることなく、大気中で基板表面の清浄化処理を行うことができ、またプラズマクリーニングによることなく、基板表面の自然酸化膜あるいは有機物を除去できるようにする。
【解決手段】基板表面の全面または一部に不活性ガスを供給して酸素遮断ゾーン１０６を形成する不活性ガス供給部１２と、基板表面を所定温度に維持する加熱部１６と、酸素遮断ゾーン３０に清浄化ガスを供給して基板表面を清浄化する清浄化ガス供給部１４を有する。 （もっと読む）

【解決手段】プロキシミティヘッドを形成及び使用するシステム並びに方法。プロキシミティヘッドは、ヘッド表面を含み、該ヘッド表面は、第１のゾーンと、第２のゾーンと、内部戻りゾーンとを含む。第１のゾーンは、第１の平坦な表面領域と、複数の第１の個別穴とを含む。複数の第１の個別穴の各穴は、複数の第１の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第１の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第１の平坦な表面領域に広がっている。複数の第１の個別穴の少なくとも一部分は、第１の列に配置される。第２のゾーンは、第２の平坦な表面領域と、複数の第２の個別穴とを含む。複数の第２の個別穴の各穴は、複数の第２の導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の第２の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第２の平坦な表面領域に広がっている。内部戻りゾーンは、複数の内部戻り個別穴を含む。内部戻りゾーンは、第１のゾーンと第２のゾーンとの間にそれらに隣接して位置している。複数の内部戻り個別穴の各穴は、複数の内部戻り導管のうちの対応する１本に接続されている。複数の内部戻り個別穴は、ヘッド表面内にあり、ヘッド表面に広がっている。複数の内部戻り個別穴の少なくとも一部分は、内部戻り列に配置される。第１の列と内部戻り列は、実質的に平行である。複数の内部戻り個別穴の各穴の縁の第１の部分は、ヘッド表面内に入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】一括処理される基板群中の基板間における処理のバラツキを抑制する。
【解決手段】加熱された処理液中に基板Ｗ群を保持したリフター２０を浸漬する前に、リフター２０を加熱された燐酸溶液中に浸漬して燐酸溶液と略同じ温度にまで予め加熱しておくことにより、このリフター２０に基板Ｗ群を保持して燐酸溶液中に浸漬したときに、リフター２０の影響で燐酸溶液の温度が低下するのを阻止することができる。その結果、一括処理される基板Ｗ群中の基板間における処理のバラツキを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】遮断部材と基板上面との間に形成される間隙空間に発生する気流によって中心軸部材に設けられた処理液吐出口から残留処理液が落下するのを防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】中心軸部材６の下端面６ａが遮断部材５の下面５ａに対して上方位置に配置されるとともに、混合液吐出口６２ａが中心軸部材６の下端面６ａに対して上方に退避した位置に配置されている。このため、混合液吐出口６２ａの近傍に混合液が残留付着している場合であっても、残留混合液に対する間隙空間ＳＰ１に発生する気流の影響を低減することができる。このため、混合液吐出口６２ａからの混合液の吐出が停止している間に混合液吐出口６２ａから残留混合液が基板表面Ｗｆに落下するのを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】溶剤中の純水濃度を極力低くすることにより、純水に起因する乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部９７は、基板Ｗを純水で洗浄する純水洗浄処理の後、溶剤を注入して純水を溶剤で置換する置換処理を行い、処理液の流れを第１の分岐配管４９に切り換え、油水分離フィルタ５１によって純水を処理液から除去する分離除去処理の後、処理液の流れを第２の分岐配管５３に切り換え、吸着フィルタ５５により吸着除去処理を行う。したがって、分離除去処理によっても除去しきれない微量の純水だけを吸着フィルタ５５によって吸着除去することができ、溶剤中の純水濃度を極力低くすることができる。その結果、溶剤中の純水に起因する乾燥不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】溶剤で置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部９９は、純水洗浄処理の後、ＨＦＥ／ＩＰＡを供給して純水を溶剤で置換する置換処理を行う。その後、分岐配管３１に切り換えて、油水分離フィルタ３３により処理液から純水を除去する純水除去処理を行う。したがって、ＨＦＥ／ＩＰＡで置換した処理液中の純水を極力除去することにより、乾燥不良や微細構造の倒れを防止することができる。なお、純水除去処理によって処理液中の純水だけでなくＩＰＡもある程度除去されてＨＦＥ／ＩＰＡを含む処理液が減少するが、注入部３７によってＩＰＡを補充するので、純水除去に伴う溶剤の目減り分を補うことができる。 （もっと読む）

【課題】シリサイドゲート上の微小突起物を除去することにより、ゲート電極とコンタクトプラグとのショート不良の発生を抑制した洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ゲート電極３上及びソース／ドレイン領域の拡散層６，７上にＴｉ膜を形成する工程と、このＴｉ膜に熱処理を施すことにより、ゲート電極上及びソース/ドレイン領域の拡散層上にＴｉシリサイド膜９ａ〜９ｃを形成するシリサイド化工程と、このシリサイド化工程でシリサイド化されずに残留するＴｉ膜を除去する洗浄工程であって、アンモニア水及び過酸化水素水を含む洗浄液に超音波を加えながら洗浄する工程と、Ｔｉシリサイド膜上に層間絶縁膜１０を形成する工程と、この層間絶縁膜をエッチングすることにより第１の接続孔及び第２の接続孔を形成する工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面周縁領域のうち処理領域に薬液を供給して当該処理領域の不要物をエッチング除去する基板処理方法および基板処理装置において、当該エッチング除去により表面周縁領域に形成される処理領域と非処理領域の界面を良好なものとする。
【解決手段】基板Ｗの表面周縁領域（＝ＮＴＲ２＋ＴＲ）のうち非処理領域ＮＴＲ２にリンス液を供給して表面周縁領域をリンス液で覆った状態で処理領域ＴＲに薬液が供給されて当該処理領域ＴＲの不要物（薄膜ＴＦ）がエッチング除去されて当該表面周縁領域に処理領域ＴＲと非処理領域ＮＴＲ２の界面が形成される。このように表面周縁領域全体をリンス液で覆いながらエッチング除去を行っているので、非処理領域ＮＴＲ２側への薬液付着やリンス不良を防止することができ、表面周縁領域に処理領域とＴＲ非処理領域ＮＴＲ２の界面を良好に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜が除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】本発明は、溶媒としてのアセタールまたはケタール、水およびｐＨ調整剤を含む処方について説明する。
【解決手段】これらの消泡は少なくとも７またはそれより大きいｐＨを有さなければならない。本発明における処方は共溶媒としての水溶性の有機溶媒、腐食防止剤およびフッ化物を随意的に含むことが可能である。本発明における処方は、ポリマー性残留物だけでなく、ポストエッチングした有機および無機の残留物も半導体基材から除去するために使用可能である。 （もっと読む）

【課題】基板処理メニスカスによって残される入口マークおよび／または出口マークを低減させるためのキャリア
【解決手段】上側および下側のプロキシミティヘッドによって形成されるメニスカスによって処理されている基板を支えるためのキャリアについて説明される。キャリアは、基板を受ける大きさの開口と、該開口内において基板を支えるための複数の支持ピンとを有するフレームを含む。開口は、基板と開口との間にギャップが存在するように基板よりわずかに大きくしてある。基板上の入口マークおよび／または出口マークの大きさと頻度とを低減させるための手段が提供され、該手段は、メニスカスからの液体をギャップから立ち退かせることを補助および促進する。入口マークおよび出口マークの大きさと頻度とを低減させるための方法も、提供される。 （もっと読む）

【課題】 薬剤を効率的に基板表面に供給することでその消費量を抑制することができる洗浄処理方法および装置、ならびに基板の表面に発生する洗浄痕（ウォーターマーク）を低減することが可能な洗浄処理方法を提供すること。
【解決手段】 外側チャンバと内側チャンバからなる処理チャンバ内に保持された半導体ウエハＷの洗浄処理における薬剤を用いた乾燥処理を、半導体ウエハＷを停止または低速回転させた状態において、薬剤を吐出するノズルに薬剤を供給する薬剤供給管７７に薬剤（ＩＰＡ）を滞留させた後に薬剤供給管７７に高温のガスを供給することにより、薬剤を蒸気状として蒸気状の薬剤を基板に供給する工程と、薬剤の供給を停止した後に前記基板を前記低速回転よりも高い回転速度で高速回転させることにより前記基板に付着した薬剤を振り切る工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄・乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板が在置されるチャックを有する基板支持機構と、基板の上面に乾燥用流体を噴射する第１のノズルユニットと、上部が開放され、チャックの周辺を囲むような形状を有する下部カバーと、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で行なわれるように、下部カバーの上部を開閉する上部カバーと、を含むことを特徴とする基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】流体混合ノズルを用いて疎水性ウェハの処理を行うことができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理液を供給する処理液供給手段６６と，不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段６７と，前記処理液に前記不活性ガスを混合し、不活性ガスによって圧力を加えられた処理液を基板に吐出する二流体混合ノズル６５を備え，前記処理液によって基板を処理する基板処理装置であって，前記処理液供給手段６６に，前記処理液の表面張力を低下させる流体と前記処理液とを混合する流体混合手段１２を備えた。 （もっと読む）

ここに開示されるのは、板状物品の流体処理用の装置であって、板状物品を保持しかつこれを実質的に垂直方向の回転軸線まわりに回転させるための回転ヘッド；回転ヘッドのまわりの放射状に配列され非接触で回転ヘッドを懸架しかつ駆動するための駆動手段；回転軸線と実質的に同心であり、かつ回転ヘッドと駆動手段との間に配置されそして回転ヘッドと駆動手段との間の間隙に挿入された実質的に円筒状の側壁；回転ヘッドと壁とを互いに昇降させるための持上げ手段を備えた装置である。
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（ａ）選択された１種以上のフッ素化物類と（ｂ）選択された１種以上の有機試薬とを混合することによって得られる反応生成物（未反応構成成分を包含するもの）から本質的に成る組成物であって、その場でのフッ化物イオン類の発生を提供する、前記組成物。更には、かかる組成物を形成するためのキット類、およびかかる組成物の使用方法。 （もっと読む）

洗浄液で円盤状物品の表面を覆い、これにより閉じられた液体層（Ｌ）が形成され、更に前記洗浄液を除去することを含んだ前記表面の乾燥方法であって、前記洗浄液が少なくも５０重量％の水と少なくも５重量％の物質とを含み、この物質は水の表面エネルギーを低下させ、前記液体の除去が前記液体層の上への気体の吹き付けにより開始され、これにより閉じられた液体層が孤立した区域（Ａ）において開かれる前記方法が開示される。
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