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Fターム[5F157CB11]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 洗浄の後処理(一連の後処理) (2,790) | 水切り、乾燥 (1,676)

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【課題】HFガスを用いたガラス基板のエッチング時に、チェンバ内壁に付着したアルカリ元素のフッ化物からなる堆積膜やパーティクルを従来に比して容易に洗浄することができるガラス基板処理装置を得ること。
【解決手段】真空チェンバ11と、真空チェンバ11内でガラス基板100を保持する基板ステージ12と、真空チェンバ11内にガラス基板100を処理する処理ガスを供給するガス供給機構20と、基板ステージ12の基板保持面に対向して配置され、基板ステージ12に向けて処理ガスを吐出するガスシャワーヘッド13と、真空チェンバ11内のガスを排気する排気手段と、真空チェンバ11内を洗浄水110で洗浄するシャワーヘッド31と、真空チェンバ11内に貯留した洗浄水110を排水する排水機構40と、を備える。 (もっと読む)


【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも1種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも1種と、組成物全量に対して0.01〜2重量%のフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 (もっと読む)


【課題】基板の乾燥処理時に基板から液滴を迅速かつ良好に滴下させて、基板処理装置のスループットを向上させるとともに、基板を良好に乾燥させること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記液処理を行った前記基板(6)から液滴を除去するために前記基板(6)の外周縁部に対して相対的に接離可能に設けた液滴除去部材(46)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】基板の液処理時に遮蔽扉に付着した処理液によって、基板の乾燥処理時にパーティクルが発生してしまうのを防止すること。
【解決手段】本発明では、基板処理装置(1)において、処理液で基板(6)の液処理を行う液処理槽(7)と、前記液処理槽(7)の上方に設けられ、前記基板(6)の乾燥処理を行う乾燥処理槽(22)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間に設けられ、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)とを遮蔽可能な遮蔽扉(33)と、前記液処理槽(7)と乾燥処理槽(22)との間で前記基板(6)の搬送を行う基板搬送手段(5)と、前記遮蔽扉(33)に洗浄液を供給する洗浄液供給手段(36)とを設けることにした。 (もっと読む)


【課題】液体が付着した板状物を短時間で乾燥することができる乾燥装置を提供する。
【解決手段】板状物に付着した液体を除去して乾燥するための乾燥装置であって、板状物を保持する保持面を有する保持テーブルと、保持テーブルに超音波振動を付与する超音波振動付与手段とを具備し、超音波振動付与手段を作動して保持テーブルに超音波振動を付与し、保持テーブルに保持された板状物に超音波振動を付与することにより、板状物に付着した液体を微粒子にして飛散せしめる。 (もっと読む)


【課題】シリコン表面にウォーターマークが残ることを防止しつつ、洗浄装置の省スペース化に寄与することができる基板の洗浄方法及び、基板の洗浄装置を提供する。
【解決手段】まず、ウェハーをフッ酸槽4に運び、このフッ酸槽4内でHF溶液によるウェットエッチングを行ってウェハーのシリコン表面を露出させる。次に、ウェハーを純水リンス槽5に運び、この純水リンス槽5内でウェハーをリンスする。そして、ウェハーを乾燥装置6に運び、この乾燥装置6内でウェハーを乾燥させる。このように、HF溶液によるエッチングと、リンスとを行った後で、ウェハーを一旦乾燥させる。次に、ウェハーをアルカリ槽2に運び、このアルカリ槽2内でウェハーをアルカリ洗浄して、シリコン表面に薄いケミカル酸化膜を形成する。その後、ウェハーを純水リンス槽3に運び、純水リンス槽3内でウェハーをリンスする。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を加熱により融解した充填用融液で置換し、充填する、融液充填工程、
前記凹部に充填された前記融液を冷却することにより固体の昇華性物質を析出させる、冷却析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有するウェハの洗浄方法であって、前記充填用融液が、含有する昇華性物質の融点以上、融点+25℃以下の温度範囲内で充填用処理剤を融解させた融液であることを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを有するウェハの該表面の洗浄において、前記凹凸パターンに働く毛細管力の影響を低減し、パターン倒れを低減する、ウェハの洗浄方法を提供すること。
【解決手段】表面に凹凸パターンを形成したウェハの該表面を洗浄液で洗浄する、洗浄工程、
洗浄工程後の前記ウェハの凹部に残留する洗浄液を、昇華性物質を含む充填用処理剤を溶解または融解させた処理液で置換し、充填する、処理液充填工程、
前記凹部に充填された前記処理液から固体の昇華性物質を析出させる、固体析出工程、
前記凹部に析出した固体の昇華性物質を昇華により除去する、昇華除去工程
を有することを特徴とする、ウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】水シミの発生を充分に抑制でき、しかも、安定に連続運転できる水切り乾燥方法を提供する。
【解決手段】処理槽4内の第1の処理液に、物品Wを浸漬させたまま、処理槽4内に第2の処理液を供給し、処理槽4の上部から第1の処理液を排出し、処理槽4内の第1の処理液を第2の処理液に置換する。物品Wを第2の処理液に浸漬させた状態に維持した後、第2の処理液から物品Wを引き上げる。この際に、第1の処理液としてアルコール水溶液を用い、第2の処理液として、フッ素系溶剤とアルコールとの混合液を用いる。 (もっと読む)


【課題】液体処理後の乾燥時のパターン倒壊を抑制した基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、基板処理方法が提供される。前記基板処理方法は、少なくとも主面上に形成された構造体を有する基板を液体によって処理する工程を含む。前記基板処理方法は、前記液体で濡れた状態の前記構造体に溶液を接触させ、前記溶液を反応させる、前記溶液に含まれる溶媒の量を減少させる、及び、前記溶媒に溶かされた物質の少なくとも一部を析出させる、の少なくともいずれかにより前記溶液の少なくとも一部を固体に変化させて、前記構造体を支持する支持材を形成する工程をさらに含む。前記基板処理方法は、前記支持材を固相から気相に、液相を経ずに変化させて前記支持材を除去する工程をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】高濃度の炭酸水を簡易かつ迅速に製造することができる炭酸水の製造装置及び製造方法と、この製造装置で製造された炭酸水で電子材料部材を洗浄する方法を提供する。
【解決手段】原水を、原水配管11を経由して脱気膜モジュール1の液相室1bに供給する。真空ポンプ3を作動させて気相室1c内を減圧する。原水に溶解している溶存ガスが、気体透過膜1aを透過し、気相室及び排気配管13を経由して系外に排出される。脱気水は、脱気水配管12を経由して炭酸ガス溶解膜モジュール2の液相室2b内に流入する。また、炭酸ガス供給器4から、炭酸ガス配管15を経由して気相室1cに炭酸ガスを供給する。所定量の炭酸ガスが、気体透過膜2aを透過し、液相室2b内の脱気水に溶解する。この炭酸ガスを溶解させた脱気水は、炭酸水配管14から流出する。 (もっと読む)


【課題】簡略な装置構成で電解装置への固形物の混入を防止して連続的かつ安定的な運転を実現する硫酸溶液供給システム及び硫酸溶液供給方法を提供する。
【解決手段】硫酸溶液を冷却する冷却器25、硫酸溶液を電解する電解セル4、バッチ式洗浄機2で使用された硫酸溶液を冷却器25、電解セル4をこの順に介してバッチ式洗浄機2に戻す電解側循環ラインと、バッチ式洗浄機2で使用された硫酸溶液を冷却器25を介さずにバッチ式洗浄機2に戻す使用側循環ラインを備え、電解側循環ラインと使用側循環ラインが、バッチ式洗浄機2から排液された硫酸溶液が流れる共通した共通排液ライン10を有し、共通排液ライン10の下流側端部にある分岐点10aからそれぞれが分岐しており、共通排液ライン10に固形物を捕捉する洗浄機側フィルタ21を備える。 (もっと読む)


【課題】専用の洗浄機構を設けることなくカップの上面および周囲を洗浄することができる洗浄処理方法を提供する。
【解決手段】スピンベース21を250rpm〜350rpm(第1の回転数)にて回転させつつ、スピンベース21の周囲を取り囲む処理カップ40の上端をスピンベース21の保持面21aよりも低くして吐出ヘッド31から保持面21aに洗浄液を供給する。そして、回転するスピンベース21の保持面21aから飛散した洗浄液によって処理カップ40の外側上面43dを洗浄する。その後、スピンベース21を第1の回転数よりも大きな350rpm〜450rpm(第2の回転数)にて回転させつつ、吐出ヘッド31から保持面21aに洗浄液を供給し、回転する保持面21aから飛散した洗浄液によって処理カップ40よりも外側の仕切板15およびチャンバー10の側壁11を洗浄している。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4と、混合槽4にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4および調整槽20と、混合槽4および調整槽20にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4および調整槽20に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段と、必要に応じて調整槽20の洗浄液を混合槽4へ供給する補充処理を実行する第三の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板の表面にダメージを与えることなく良好に洗浄することができる基板洗浄装置及び基板洗浄方法並びに基板洗浄プログラムを提供すること。
【解決手段】本発明では、洗浄液の液層(52)を形成するノズル(40)を備えた液層保持手段(25)と、基板(2)の表面を洗浄液の沸点以上に加熱する基板加熱手段(24)と、ノズル(40)を基板(2)に近接させる昇降機構(41a)とを有し、ノズル(40)に形成した液層(52)を基板加熱手段(24)で加熱した基板(2)の表面の熱で沸騰させて基板(2)の表面と液層(52)との間に蒸気層(60)を形成するように昇降機構(41a)を制御して、基板(2)の表面を洗浄することにした。 (もっと読む)


【課題】占有面積の増加を招くことなくハンド洗浄のための構成を設けることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、インデクサロボット11と、主搬送ロボット12と、処理ユニット6と、受渡ユニット9と、ハンド洗浄ユニット15とを含む。インデクサロボット11および主搬送ロボット12は、基板を保持するインデクサハンド20および主搬送ハンド30をそれぞれ有している。インデクサロボット11と主搬送ロボット12とは、受渡ユニット9を介して基板を受渡する。ハンド洗浄ユニット15は、受渡ユニット9の上方または下方に配置され、インデクサハンド20および主搬送ハンド30を洗浄する。 (もっと読む)


【課題】複数の基板を一括して容易に乾燥することができる乾燥ユニットおよび基板処理装置を提供する。
【解決手段】乾燥部70は、複数の基板Wを一括して乾燥させる乾燥ユニットである。乾燥部70は、主として、乾燥チャンバ71と、貯留槽72と、排出管71a、72aと、バルブ71b、72bと、吐出ノズル87(87a、87b)と、を備えている。IPAによる純水の置換処理において、貯留槽72に複数の基板Wが浸漬されると、吐出ノズル87から乾燥チャンバ71内にIPAの蒸気が供給され、純水80aの液面80bにIPAの液膜80cが形成される。続いて、貯留槽72から純水80aが排出され、IPAの液膜80cが、下降させられる。そして、各基板Wの基板面とIPAの液膜80cとが接触することによって、各基板Wに付着した純水が、IPAに置換される。 (もっと読む)


【課題】基板の表面のフォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去する洗浄工程を簡略化し、半導体装置の製造コストを低減する。
【解決手段】SPM洗浄、APM洗浄およびHPM洗浄を行わず、過硫酸生成装置を用いて生成された過硫酸を含む硫酸溶液を用いて半導体ウエハの表面を洗浄し、フォトレジスト膜などの有機物または金属粒子などを除去した後に、半導体ウエハを純水洗浄し、乾燥させる。これにより、過酸化水素水の補充を必要とするSPM洗浄を行う場合に比べて高いレジスト除去性能を維持し、また、少ない工程で洗浄を完了することができる。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸パターンを形成されたウェハにおいて該凹凸パターンの少なくとも凹部表面の一部がチタン、窒化チタン、タングステン、アルミニウム、銅、スズ、窒化タンタル、及びルテニウムからなる群から選ばれる少なくとも1種の物質を含むウェハ(金属系ウェハ)の凹部表面に撥水性保護膜を形成し、該凹部に保持された液体と該凹部表面との相互作用を低減せしめることによって、パターン倒れを誘発しやすい洗浄工程を改善する前記金属系ウェハの洗浄方法、及び、前記保護膜を形成する撥水性保護膜形成剤を含有する撥水性保護膜形成薬液を提供すること。
【解決手段】前記金属系ウェハの洗浄方法であって、
該ウェハ表面を酸化処理する、酸化処理工程
撥水性保護膜形成薬液を、ウェハの少なくとも凹部に保持し、該凹部表面に撥水性保護膜を形成する、撥水性保護膜形成工程
を含むウェハの洗浄方法。 (もっと読む)


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