【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板搬送の負荷を低減させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄するウェハ洗浄部１４１と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査するウェハ検査部１４２と、ウェハ洗浄部１４１とウェハ検査部１４２との間でウェハＷを搬送する搬送手段１４３を有している。ウェハ洗浄部１４１、ウェハ検査部１４２及び搬送手段１４３は、筐体１４０の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル１５からの液滴が基板Ｗの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Ｗの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板Ｗ上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 （もっと読む）

【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の割れ・欠けだけでなく、ヒビの検出も可能であり、且つ、割れ・欠け・ヒビが発生した工程から次工程に入る前に欠陥を検出し、そのことによって欠陥のあるガラス基板を排除可能な欠陥検査機構を備えた搬送装置を提供すること。
【解決手段】液晶表示装置の製造装置に使用されるガラス基板の搬送装置であって、
前記搬送装置は、駆動力を備えた複数の駆動ローラーと駆動力を備えていない複数の搬送ローラーを備えており、
少なくとも前記搬送ローラーは、荷重測定機構を備えていることを特徴とするガラス基板の搬送装置。 （もっと読む）

【課題】シリコンウェハの処理表面の性状に応じたリンス処理に好適なリンス液の調製方法を提供する。
【解決手段】汚染防止物質を超純水に添加して調製されるリンス液における超純水に添加する汚染防止物質の量を、所定の条件におけるシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値と、所定の条件におけるシリコンウェハ表面を洗浄した際の金属不純物の吸着量と、条件変更後のシリコンウェハ表面に存在する吸着活性点の量の分析値とからシリコンウェハへの金属不純物の予想吸着量を算出し、この予想吸着量に応じて決定する。 （もっと読む）

【課題】溶剤の取り扱い上の危険性を解決し、半導体基板に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）等に対し高い洗浄性を発揮し、ファイナル洗浄後の基板清浄度が飛躍的に向上する半導体基板の洗浄方法の提供。
【解決手段】本発明の半導体基板の洗浄方法は、炭化水素化合物、グリコールエーテル、アニオン界面活性剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ａ）により、半導体基板を洗浄する第１の洗浄工程と、水により、前記半導体基板を洗浄する第２の洗浄工程と、水酸化第４級アンモニウム、ドナー原子である窒素とカルボキシル基とを含むキレート剤、及び水を少なくとも含有する洗浄剤組成物（Ｂ）により、前記半導体基板を洗浄する第３の洗浄工程と、を少なくとも含み、前記第１の洗浄工程、前記第２の洗浄工程、前記第３の洗浄工程の順に、前記半導体基板を洗浄する。 （もっと読む）

【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板に付着したパーティクルなどの異物汚染を効率的に除去することができ、半導体装置などの製品歩留りを向上させることができる基板のウェット洗浄方法を提供する。
【解決手段】 例えば洗浄薬液に超音波を与えてウエハを洗浄する場合、洗浄前のウエハ上に付着したパーティクル数の基板内分布と超音波洗浄槽内の音圧分布に基づいて、洗浄効率が最大となるような洗浄液中のウエハ配置方向を求め、求めたウエハ配置方向を洗浄すべきウエハに設定し、その配置方向を洗浄液中で維持しながら洗浄処理を行う。 （もっと読む）

【課題】被処理基板と支持基板の剥離処理を効率よく行い、当該剥離処理のスループットを向上させる。
【解決手段】剥離システム１は、剥離処理ステーション３に対して、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬入出する搬入出ステーション２と、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ及び重合ウェハＴに所定の処理を行う剥離処理ステーション３と、搬入出ステーション２と剥離処理ステーション３との間で、被処理ウェハＷ、支持ウェハＳ又は重合ウェハＴを搬送する第１の搬送装置２０とを有している。剥離処理ステーション３は、重合ウェハＴを被処理ウェハＷと支持ウェハＳに剥離する剥離装置３０と、剥離装置３０で剥離された被処理ウェハＷを洗浄する第１の洗浄装置３１と、剥離装置３０で剥離された支持ウェハＳを洗浄する第２の洗浄装置３３とを有している。 （もっと読む）

【課題】液浸液中の洗浄液の濃度を確実に規定値以下とすることが可能な液浸露光装置を提供する。
【解決手段】投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、露光対象膜を有する半導体基板を載置し、退避可能な基板ステージ１７、投影光学１４系下端部と露光対象膜との間に液浸液を満たすように供給する液浸液供給部３２及び液浸液を排出する液浸液排出部３６と液浸液排出管３７、基板ステージ１７を置き換えて、投影光学系１４下端部の鉛直下方に配設可能で、供給口から排出口へ流れる洗浄液２５または液浸液を保持し、退避可能な洗浄ステージ１５、洗浄ステージ１５中に、液浸液と接した接触領域を含むように洗浄液２５を供給する洗浄液供給部２１及び洗浄液を排出する洗浄液排出管２８、並びに、液浸液排出管３７に配設され、液浸液中の洗浄液２５の濃度を測定する濃度測定器３０を備える。 （もっと読む）

【課題】窒素を含む硝酸を用いずに、シリコン原料の表面に付着した異物又は表層に拡散した異物等を効率良く除去する。
【解決手段】シリコン原料に清浄化水溶液を適用することによりシリコン原料の表面を清浄化する。清浄化水溶液はマイクロバブル状態のオゾンと液中に溶存するオゾンとフッ化水素酸とを含み、上記マイクロバブルが平均直径１〜１００μｍで１〜２０体積％のボイド率で清浄化水溶液中に分散する。清浄化水溶液中のフッ化水素のモル濃度を[ＨＦ](ｍｏｌ／リットル)とし、オゾンマイクロバブルのボイド率及び平均直径をそれぞれｆ(体積％)及びｄ(μｍ)とし、フッ化水素とマイクロバブルの混合比率に関する指数をＡとするとき、清浄化水溶液がフッ化水素とマイクロバブルを[ＨＦ]／（[ＨＦ]＋１００ｆ／ｄ）＝Ａで規定する組成で含みかつ混合比率指数Ａが０．０５〜０．３である。 （もっと読む）

【課題】露光ユニットを大気開放することなくレチクルステージを洗浄することができる洗浄用レチクル、レチクルステージの洗浄方法及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】極端紫外線露光装置のレチクルステージの洗浄方法において、基板上にパーティクル取込層が形成された洗浄用レチクルのパーティクル取込層をレチクルステージに押し付ける工程と、洗浄用レチクルをレチクルステージから剥離する工程と、基板上からパーティクル取込層を除去する工程と、パーティクル取込層が除去された基板上に新たにパーティクル取込層を形成する工程と、を設ける。 （もっと読む）

【課題】吐出される液滴の噴霧状態を調整することができる二流体ノズルを提供すること。二流体ノズルから吐出される液滴を用いて所期の処理を基板に施すことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】二流体ノズル３は、ケーシングを構成する外筒２０と、外筒２０に内嵌された内筒２１と、内筒２１を外筒２０に固定するための固定ナット２３とを含む。内筒２１の大径円筒部２４の外周には、雄ねじ３６が形成されている。外筒２０の内周の基端部には、雄ねじ３６に螺合する雌ねじ３７が形成されている。固定ナット２３は、内筒２１の雄ねじ３６と螺合する雌ねじ孔３１を有している。外筒２０と内筒２１とはねじ嵌合により連結されている。雄ねじ３６に対する外筒２０のねじ込み量を調節することによって、遮蔽部４３に対する短筒部４７の軸方向の位置を調節することができる。 （もっと読む）

【課題】制御動作および／または装置動作の妥当性（レシピに適合するか否か）に関する検査を確実にかつ短時間に実施できるようにする。
【解決手段】この基板処理装置は、基板の処理手順を記述したレシピを記憶するレシピ記憶手段(193)と、レシピに対応した検査基準を記述した検査基準ファイルを生成する検査基準生成手段(16,191,192)と、検査基準ファイルを記憶する検査基準記憶手段(196)と、レシピに従う制御動作を実行する制御手段(16,190)と、制御動作を記録する制御動作記録手段(16,191)と、記録された制御動作と検査基準とを照合することにより制御動作の適否を判定する制御動作判定手段(16,191)とを含む。基板処理装置は、さらに、基板処理装置が実行した装置動作を記録する装置動作記録手段(16,192)と、記録された装置動作と検査基準とを照合することにより装置動作の適否を判定する装置動作判定手段(16,192)とをさらに含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置を検査するためのレシピを自動生成することによって、基板処理装置の検査工程を確実かつ簡単にする。
【解決手段】基板処理装置の制御装置１５は、コンピュータ１６と記憶装置１９とを備えている。記憶装置１９には、基板処理制御プログラムおよび検査レシピ自動生成プログラムが格納されており、さらに、レシピ、構成定義データおよび動作条件データを記憶できるようになっている。コンピュータ１６は、検査レシピ自動生成プログラムを実行することにより、基板処理装置が備える複数の構成要素を動作させるための処理手順を記述した検査レシピを生成して記憶装置１９に登録する。その際、コンピュータ１６は、構成定義データおよび動作条件データに基づいて、検査レシピを構成する処理手順を生成する。 （もっと読む）

【課題】洗浄後の反応炉部品上の残留反応生成物（不可視膜）の有無を、簡単な方法で検知できる反応生成物の検知方法を提供する。
【解決手段】基板上に薄膜を気相成長させた後の反応炉部品１１上に付着した反応生成物を洗浄した後、反応炉部品１１に特定の波長の光、例えば、ブラックライト１６を照射して反応炉部品１１上に残留する反応生成物の発光状態を検出することにより、反応炉部品１１上の反応生成物の残留状態を検知する。 （もっと読む）

組成物、方法、およびシステムは、反応器の金属部（チタンおよび／またはチタン合金など）における金属酸化物を選択的にエッチングできる。エッチング組成物はアルカリ金属水酸化物および没食子酸を含む。この方法は酸化アルミニウムなどの金属酸化膜の堆積に用いられる反応チャンバの洗浄に有用である。 （もっと読む）

【課題】処理槽を洗浄している間に異常が発生した場合に、安全を確実に確保できる技術を提供する。
【解決手段】処理槽１０を洗浄している間に異常検知部９６が異常を検知した場合に、リカバー制御部９７が、比抵抗計１４から取得した計測値に基づいて処理槽１０が純水状態であるか否かを判定し、処理槽１０が純水状態でない場合には、比抵抗回復処理を行って、処理槽１０を薬液状態から純水状態に移行させる。一方、処理槽１０が純水状態である場合には、基板処理装置１をスローリーク状態とする。 （もっと読む）

本発明の実施例は、洗浄溶液を半導体ウエハの一以上の表面に供する最適化されたすすぎ洗浄システム及び方法を供する。本発明の実施例は、製造サイクルにおける様々な時点でのウエハの処理に適用されて良い。前記ウエハは一層以上の金属層を有して良い。
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【課題】洗浄部材の摩耗・汚染の状態をモニターすることで、その交換時期を判断して、常に洗浄部材を清浄で摩耗していない状態に保つ基板洗浄装置の洗浄部材交換時期判定方法及び基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】洗浄部材と基板の少なくとも一方を回転させた状態でこれらを当接させて洗浄部材と基板の相対運動により基板をスクラブ洗浄する際に、回転測定手段により洗浄部材の回転状態又は基板の回転状態を測定し、回転状態の変化から洗浄部材の表面状態を検知し、検知した表面状態の変化から洗浄部材の交換時期を判定する。 （もっと読む）