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Fターム[5F157CB32]の内容

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Fターム[5F157CB32]に分類される特許

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【課題】銅配線に対する腐食性が低いこととともに、酸化銅系の化合物残渣やシリコン酸化物系の化合物残渣に対する除去能力が優れた、銅配線工程で使用されるフォトレジスト又はフォトレジスト残渣除去組成物を提供する。
【解決手段】リン酸、リン酸塩、硫酸及び硫酸塩からなる群から選択される少なくとも1種と、クエン酸、リンゴ酸、乳酸、コハク酸、マロン酸及び酢酸からなる群から選択される少なくとも1種と、組成物全量に対して0.01〜2重量%のフッ化水素酸及び/又はフッ化アンモニウム等のフッ化水素酸塩と水とを含有するレジスト残渣除去組成物。 (もっと読む)


【課題】検査の定量性を確保するとともに、作業効率を改善するフォトマスク洗浄システムを提供する。
【解決手段】フォトマスクを洗浄する洗浄装置と、フォトマスクに付着している異物を検出する異物検出手段を有し洗浄装置により洗浄されたフォトマスクを検査する検査装置と、検査装置による検査結果に基づいてフォトマスクに異物が付着している箇所を再生部位として指示する指示手段を有し当該フォトマスクを再生する再生装置と、洗浄装置、検査装置および再生装置との間でフォトマスクを運搬する運搬装置と、を備える。 (もっと読む)


【課題】4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含有する研磨液を用いてCMP工程を行った後の基板表面を荒らさずに、コンタミネーションを除去することができる洗浄液及び該洗浄液を用いた基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】CMP処理後の基板洗浄用である洗浄液を、アニオン性界面活性剤、水及びpH調整剤を含有して構成する。また基板の研磨方法は、4−ピロン系化合物及びセリア砥粒を含むCMP研磨液を用いて、被研磨膜を有する基板を研磨して前記被研磨膜の少なくとも一部を除去する研磨工程と、前記洗浄液を、前記基板の被研磨膜の少なくとも一部が除去された側の面上に付与して、前記面を洗浄する洗浄工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】重合基板から剥離された被処理基板を適切に保持し、当該被処理基板の搬送又は処理を適切に行う。
【解決手段】剥離システムは、重合ウェハから剥離された被処理ウェハWを搬送又は処理する際に、当該被処理ウェハWを非接触状態で保持する保持部60を有している。保持部60の保持面61には、気体を噴出する複数の噴出口62と気体を吸引する複数の吸引口63とが形成されている。複数の噴出口62と複数の吸引口63は、保持部60に保持される被処理ウェハWに対応する位置全体に亘って形成されている。剥離システムにおいて、保持部60は、被処理ウェハWを搬送する搬送装置、被処理ウェハWの表裏面を反転する反転装置、重合ウェハを被処理ウェハWと支持ウェハに剥離する剥離装置、被処理ウェハWを洗浄する洗浄装置、被処理ウェハWを検査する検査装置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板表面の清浄度を正確に確認することのできる半導体基板洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板洗浄装置100は、半導体基板10を洗浄する洗浄部1と、洗浄部1で洗浄された半導体基板10の表面の反射強度を測定する反射式センサ2と、反射式センサ2による反射強度の測定結果に基づき、半導体基板10の洗浄の適否を判定する判定部3とを備えている。 (もっと読む)


【課題】洗浄条件を変えることによって、洗浄効果が如何に変化するかを、実際に洗浄を行うことなく、容易に予測することができるようにする。
【解決手段】第1洗浄条件で基板を洗浄する時の、洗浄エリア上のロール洗浄部材と基板の相対速度がゼロとなって洗浄方向が逆転する逆転点までの基板の回転軸からの距離と面積換算として定義した相対速度量とをXY座標としてプロットした第1洗浄点までの第1距離を求め、第2洗浄条件で基板を洗浄する時の、前述と同様な第2洗浄点までの第2距離を求め、第2距離が第1距離よりも長いときに第2洗浄条件で基板を洗浄した方が第1洗浄条件で基板を洗浄した時よりも洗浄後に残るディフェクト数が少ないと予測する。 (もっと読む)


【課題】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面の金属汚染を十分除去することにより、製造された炭化珪素半導体素子の初期特性を改善する。また、金属汚染を低減し、半導体装置の長期信頼性を向上する方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素単結晶基板を用いた半導体装置の製造方法において、炭化珪素表面を酸化するステップと、該ステップにより炭化珪素表面に形成された二酸化シリコンを主成分とする膜を除去するステップとからなる炭化珪素表面の金属汚染除去工程を適用する。 (もっと読む)


【課題】 本発明は、酸化セリウムが表面に付着した被洗浄物に対し、当該酸化セリウムをセリウムイオンとして溶解させて洗浄除去することが可能な洗浄液及びそれを用いた洗浄方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 被洗浄物表面に残存する酸化セリウムを除去する洗浄液において、
(1)フッ化水素と、(2)塩化アンモニウム、硝酸アンモニウム、硫酸アンモニウム、塩化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、及び硫酸テトラメチルアンモニウムからなる群より選択される少なくとも1種のアンモニウム塩と、を含むことを特徴とする洗浄液。 (もっと読む)


【課題】剥離処理により被処理基板と支持基板の剥離処理を行う際に発生するパーティクルが、当該剥離装置の外部に拡散することを抑制する。
【解決手段】剥離システム1は、被処理ウェハW、支持ウェハS又は重合ウェハTを搬入出する搬入出ステーション2と、被処理ウェハW、支持ウェハS及び重合ウェハTに所定の処理を行う剥離処理ステーション3と、搬入出ステーション2と剥離処理ステーション3との間に設けられた搬送ステーション7とを有している。剥離処理ステーション3は、重合ウェハTを剥離する剥離装置30と、第1の洗浄装置31と、第2の洗浄装置33とを有している。搬送ステーション7内の圧力は、剥離装置30内の圧力、第1の洗浄装置31内の圧力及び第2の洗浄装置33内の圧力に対して陽圧である。 (もっと読む)


【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部11と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部12と、基板に薬液を吐出する吐出部15と、吐出部15を基板の一端から他端への第1方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部13と、位置制御部13により移動される吐出部15が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部15から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部14とを備える。 (もっと読む)


【課題】リンス処理によって静電気が発生して静電破壊が発生したり、洗浄したシリコンウェハ表面に静電気によってゴミが付着したりすることがなく、シリコンウェハのリンス処理時における金属不純物の付着を防止することができるとともに、コストにも配慮しつつ、更には、残渣が生じる懸念のないクリーンなリンス液を用いたリンス処理を行うことのできるシリコンウェハ清浄化方法及びシリコンウェハ清浄化装置を提供する。
【解決手段】洗浄液により洗浄したシリコンウェハを、炭酸水によりリンスする。 (もっと読む)


【課題】 洗浄時において電子材料基板の表面の平坦性を損ねることなく製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 アルカリ成分(A)、下記一般式(1)で表わされるポリオキシアルキレン化合物(B)および水を必須成分とすることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
HO−(EO)m−(PO)n−(EO)m−H (1)
[式(1)中、EOはオキシエチレン基、POはオキシプロピレン基;mはエチレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜250の数、nはプロピレンオキサイドの平均付加モル数を表し1〜100の数である。式(1)中の(EO)mと(PO)nと(EO)mは、エチレンオキサイドとプロピレンオキサイドがブロック状で付加している。] (もっと読む)


【課題】表面及び裏面にチタン含有膜が形成された基板の裏面からチタン含有膜を除去するときに、基板の裏面に残留するチタン元素を従来より短い時間で除去することができる液処理方法を提供する。
【解決手段】処理液により基板の裏面を処理する液処理方法において、回転可能に設けられた、基板を支持する支持部により、表面及び裏面にチタン含有膜が形成されている基板を支持し、支持部に支持されている基板を、支持部とともに回転させ、回転する基板の裏面にアンモニア過水を含む第1の処理液を供給し、供給した第1の処理液により基板の裏面を処理する第1の工程S11を有する。 (もっと読む)


【課題】基板の厚みにかかわらず、その少なくとも一方表面の周縁領域および周端面を良好に洗浄することができる、基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】ブラシ16は、略円板状の胴部27と、先端側に向けて拡がる略円錐台状の第1周端面当接部28と、先端側に向けて拡がる略円錐台状の第2周端面当接部72とを備えている。胴部27の先端側の端面における第1周端面当接部28の周囲の円環帯状の部分が、基板の一方表面の周縁領域に当接する第1洗浄面29Aとなっている。第1周端面当接部28の側面が、基板の周端面に当接する第2洗浄面29Bとなっている。第1周端面当接部28の大径側端面における第2周端面当接部72の周囲の円環帯状の部分が、基板の一方表面の周縁領域に当接する第3洗浄面74Aとなっている。第2周端面当接部72の側面が、基板の周端面に当接する第4洗浄面74Bとなっている。 (もっと読む)


【課題】従来の丸断面毛材に比べ、毛材に洗浄液が含みやすいと共に、毛材が中空形状であり、且つ柔軟である為、被洗浄面に対して押圧が低くても高い洗浄性能を有する洗浄ブラシ用毛材および洗浄用ブラシを提供する。
【解決手段】熱可塑性エラストマー製モノフィラメントのカットブリッスルからなる洗浄ブラシ用毛材であって、前記モノフィラメントの断面は、複数の単位形状を環状に連結してなるとともに、中心に中空部を有する異形中空断面であることを特徴とする洗浄ブラシ用毛材、およびこの洗浄ブラシ用毛材を毛材の少なくとも一部に使用した洗浄ブラシ。 (もっと読む)


【課題】微細配線を有する半導体装置を高信頼性及び高歩留まりで得る。
【解決手段】この半導体装置の製造方法は、下層配線を形成する工程(ステップS101)と、下層配線上に絶縁膜を形成する工程(ステップS102)と、絶縁膜上にレジストを形成する工程(ステップS103)と、レジストをマスクとしてドライエッチングにより下層配線を露出する開口部を形成する工程(ステップS104)と、開口部を洗浄液を用いて洗浄する工程(ステップS105)と、洗浄した開口部をリンスする工程(ステップS106)と、含む。ステップS106では、リンス液と還元性ガスとを二流体ノズルから吐出して、開口部の底部をリンスする。 (もっと読む)


【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料にダメージを与えることなく、エッチング残渣やレジスト残渣等の洗浄性能に優れた電子デバイスの洗浄用組成物及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式(1)
【化1】


(式中、R、Rは各々独立して水素原子、メチル基又はエチル基を示し、R及びRが共に水素原子になることはない。)
で表されるアミン類、フッ化物、及び水を含む洗浄用組成物を用い、アルミニウム、チタン、コバルト及び銅からなる群より選ばれる金属材料を含有する電子デバイスの製造プロセスにおいて発生する有機物及び/又は無機物を洗浄する。 (もっと読む)


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