【課題】本発明は、基板処理装置に関する。
【解決手段】本発明の実施例によると、第１外壁で取り囲まれ、処理液を噴射する上部チャンバと、上部チャンバの下部に形成され、第２外壁で取り囲まれており、第２外壁に平行に離隔されるように形成された隔壁を含み、上部チャンバから噴射された処理液を回収する下部チャンバと、上部チャンバと下部チャンバとの間に形成され、基板を進行方向に沿って移送する基板移送部と、を含み、下部チャンバの第２外壁間の幅が上部チャンバの第１外壁間の幅より大きい基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】液処理と乾燥処理を異なる高さ位置で行うことができる液処理装置を提供する。
【解決手段】基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部を回転させる回転駆動部と、前記基板保持部を上昇及び下降させる基板保持部昇降部材と、前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板を囲う液受けカップと、前記基板に前記処理液を供給するときに、前記基板と前記液受けカップの上方に位置し、前記基板を乾燥するときに、前記基板を囲い、かつ前記液受けカップの上方に位置する乾燥カップとを備えることを特徴とする液処理装置により上記の課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】基板を洗浄するのに使用された薬液を再生する基板処理装置及び薬液再生方法 が提供される。
【解決手段】本発明の基板処理装置１は基板の上の異物を洗浄する洗浄チャンバー２と、上記基板を洗浄するのに使用された第１薬液及び第２薬液を含む混合液を回収して再生する再生ユニット３と、を含み、再生ユニット３は、洗浄チャンバー２で回収された上記混合液を分離する分離ユニット３０と、分離ユニット３０と洗浄チャンバー２とを連結し、上記混合液が分離ユニット３０へ流入するようにする回収ライン７００と、一側が分離ユニット３０に連結され、分離ユニット３０で蒸発した混合液が排気される減圧ライン７１０と、減圧ライン７１０に設置され、分離ユニット３０の内部の圧力を低くする減圧ユニット４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】極めて微細且つ高精度パターンを洗浄乾燥するための、フッ素イオンを遊離せず、且つ引火点を持たない洗浄乾燥剤、および基板の洗浄乾燥方法を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄乾燥剤は、一般式（１）


で表される含フッ素３級アルコールまたは一般式（２）


で表される含フッ素３級ジオールを含む。 （もっと読む）

【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 （もっと読む）

【課題】処理工程全体の処理時間の短縮を図る。
【解決手段】本発明による液処理方法は、第１ノズル３１Ａを用い第１処理液をウエハＷに供給するとともに、第１処理液を第１排出路４６ａから排出して第１気液分離器４８ａへ導く第１処理工程と、第２ノズル３１Ｂを用い第２処理液をウエハＷに供給するとともに、第２処理液を第２排出路４６ｂから排出して第２気液分離器４８ｂへ導く第２処理工程とを備えている。第２処理工程が開始される前に、第１ノズル３１Ａから第２ノズル３１Ｂへのノズル切換作業と、案内カップ４４を上下させて第１排出路４６ｂから第２排出路４６ｂへ切換える排出機構切換作業が行なわれる。切換作業に要する時間のうち最長となる時間を最大準備時間として、第１処理工程の終了時から最大準備時間以上早めた時間から上記切換作業が開始される。 （もっと読む）

【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】高温高圧流体の準備を行う容器の急激な圧力変動を抑え、簡素な手法で液体原料の移送を行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、高温高圧流体により基板Ｗの乾燥を行うための処理容器１と、液体状態の原料を収容する原料収容部３と、高温高圧流体を処理容器１に供給するための供給部２と、を備え、この供給部２は、前記処理容器１及び原料収容部２に接続され、密閉自在な外部容器２１と、この外部容器２１を加熱するための加熱機構２５と、外部容器２１内に設けられ、原料収容部３から原料を受け入れて、加熱機構２５により加熱される外部容器２１の被加熱部に向けて当該原料を落下させるための開孔部２２１が設けられた内部容器２２と、を備え、内部容器２２に原料を受け入れた後、当該原料を前記被加熱部に接触させて得られた高温高圧流体を処理容器１へ供給する。 （もっと読む）

【課題】マイクロエレクトロニクス用の加工物を処理するための装置を提供する。
【解決手段】加工物12を処理するために、特別のバッフル174,218,262またはダクト構造を含み、加工物12および／または支持部材94の外側周辺部に近接して入口（340）を有する。また、障壁板556が、外側周辺部（566）、前記支持部材94の上に配置されて前記加工物を覆う内側表面（560）、この表面に対向配置される外側表面、及び両表面間に処理流体の連通を与える通路576を形成する内側周辺表面を含み、支持部材94の支持表面と内側表面が、その間に制御された流体の流路576を提供する。そして、排気ダクト通路（330）を開放するために、入れ子化されたバッフルを独立に移動し、前記バッフルの各々は、内側周辺部を有する流量制御表面（180,224,268）を備えて、流路外周縁部から流体の流れを受け入れて選択されたバッフルに関連した排気ダクト通路内に流体の流れを導くことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面に生じるパーティクルを低減する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥装置は、半導体基板を収容し、密閉可能なチャンバ２１０と、チャンバ２１０の内部を加熱するヒータ２１２と、チャンバ２１０に二酸化炭素を供給する供給部と、チャンバ２１０から二酸化炭素を排出する排出部と、チャンバ２１０を回転させる回転部２７０と、を備えている。回転部２７０は、チャンバ２１０を水平方向に対して９０°以上１８０°以下回転させる。 （もっと読む）

【課題】カップ部を昇降する昇降ユニットの高さを低減することを図る。
【解決手段】昇降ユニット５０は、第１シャフト５４１、ボールねじナット５４２およびスプラインナット５４３を有するボールねじスプライン５４を備え、第１シャフトはカップ部に固定される。サーボモータ５６の第２シャフト５６１は、第１シャフトに略平行であり、第１シャフトに垂直な方向において少なくとも一部が第１シャフトに対向する。これにより、昇降ユニットの高さが低減される。ボールねじナットおよび第２シャフトには互いに係合する第１および第２平歯車５７１，５７２がそれぞれ固定され、第１シャフトを昇降する際に、第２シャフトの回転がボールねじナットに減速して伝達される。これにより、昇降ユニットでは、カップ部の位置を保持する際にサーボモータにおいて必要となる回転トルクが小さくなり、消費電力の削減が図られる。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル３０と、ノズル３０から吐出された現像液が流下する基板処理槽１０と、基板処理槽１０の内部に廃液口４３１が設けられた配管４３と、配管４３と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽１０の内部において回収口４２１が設けられた配管４２と、基板処理槽１０の所定部位に設けられ、揺動軸４４２を中心に揺動することによって、基板処理槽１０内に流下した現像液の流出先を配管４２と配管４３との間で選択的に切り替える揺動部材４４５を有する現像液流路切替部４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】処理に必要な最小限の量の処理液を循環させる構成を採ることにより、処理液の使用量を低減することができる。
【解決手段】内槽３と、外槽５と、循環配管１５とには、処理状態では内槽３から外槽５に処理液が溢れ、非処理状態では内槽３から外槽５への処理液の溢れがない処理液の量が貯留されている。一方、非処理循環状態では、開閉弁３５を開放して内槽３から外槽５へ処理液を流通させて、循環配管１５を介して処理液の循環を行わせる。したがって、リフタ２７が基板Ｗとともに処理位置にない状態であっても、処理液を循環させることができ、処理に使用する処理液の量を低減することができる。その結果、温調や薬液濃度の調整を行う際には、その処理を短時間で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成の液処理装置を提供する。
【解決手段】液処理装置１０は、ウエハ２１に対してＳＰＭ液を吐出する吐出機構５０と、吐出機構５０に硫酸を供給する第１液供給機構１２と、吐出機構５０に過酸化水素水を供給する第２液供給機構１４と、を備えている。第１液供給機構１２は、第１温度に加熱された第１の液を保持する一次温調機構３０と、一次温調機構３０に接続された二次温調機構４０と、二次温調機構４０と吐出機構５０を接続する吐出ライン５１と、を有している。二次温調機構４０は、一次温調機構３０の第１循環ライン３３から分岐し、一次温調機構３０に戻る第２循環ライン４１と、第２循環ライン４１に設けられ、第１の液を第１温度よりも高い供給温度に加熱する第２加熱器４２と、を有している。吐出ライン５１は、第２加熱器４２よりも下流側で第２循環ライン４１から切替弁４４を介して分岐している。 （もっと読む）

【課題】超臨界工程を遂行する基板処理装置及びこれを利用する基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明による基板処理装置の一実施形態は、一面に基板が出入する開口が形成され、高圧工程が遂行される空間を提供するハウジングと、前記ハウジング内に設置され、前記基板を支持する支持部材と、前記開口を開閉するドアと、前記高圧工程の時、前記ハウジングが密閉されるように前記ドアへ力を加圧する加圧部材と、を含む。 （もっと読む）

【課題】回収カップとは別個に気液分離装置を設ける必要をなくして、基板液処理装置の小型化を図ること。
【解決手段】本発明では、基板を保持するとともに保持した基板を回転させるための基板回転機構と、基板に複数種類の処理液を選択的に供給する処理液供給機構と、基板に供給した後の処理液を回収するための回収カップと、処理液を回収するために回収カップに形成した複数の液回収部と、液回収部から回収した処理液を排出するために回収カップの底部に形成した排液口と、回収カップの排液口よりも上方側に形成した排気口と、排気口の上方を所定の間隔をあけて覆うために回収カップに形成した固定カバーと、基板に供給した後の処理液を液回収部へ案内するために固定カバーの上方に設けた昇降カップと、処理液の種類に応じて昇降カップを昇降させるためのカップ昇降機構とを有することにした。 （もっと読む）

【課題】処理液中に含まれるナノオーダーの微小なパーティクルを、効率よく除去する。
【解決手段】現像液ノズル１４２に現像液を供給する現像液供給装置１９０は、現像液貯槽２０１から現像液ノズル１４２へ現像液を供給するための現像液供給管２０２と、現像液供給管２０２に設けられ、現像液供給管２０２中の現像液に直流電圧を印加する電極２１２と、電極２１２に対して、極性反転自在に直流電圧を印加する電源ユニット２１３と、内部に洗浄液を貯留する洗浄液供給源２１６と、現像液供給管２０２に接続され、洗浄液供給源２１６から現像液供給管２０２に洗浄液を供給するための洗浄液供給管２１５と、現像液供給管２０２における電極２１３が設けられた位置を通過した洗浄液を、現像液供給管２０２から排出する廃液管２２０と、を有している。 （もっと読む）

【課題】 多量の処理液を消費することなく基板の表面全域に有効に処理液を供給することが可能であり、さらに、処理液を回収して再利用することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 各塗布ユニット１ａ、１ｂは、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の表面に処理液を供給するための第１処理液吐出ノズル２と、この第１処理液吐出ノズル２との間に処理液の液溜まりを形成するとともに、複数の搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００の裏面に処理液を供給するための第２処理液吐出ノズル４とを備える。搬送ローラ９により搬送されるガラス基板１００に対し、このような構成を有する２個の塗布ユニット１ａ、１ｂの作用により、その表面および裏面への処理液の塗布が、繰り返し実行される。 （もっと読む）

【課題】フィルタの寿命を延ばすことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗに供給される処理液をろ過するフィルタ１６を内部で保持するハウジング１７と、ハウジング１７に保持されている状態のフィルタ１６に液滴を衝突させるスプレーノズル２３とを含む。フィルタ１６に付着している異物は、液滴の衝突によって除去される。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）