【課題】歩留まりおよび生産性の向上を図る。
【解決手段】圧力やガス流量などの装置動作条件を示す装置パラメータの現状態を抽出するパラメータ抽出手段４１と、装置パラメータの現状態から装置加工結果を示す線幅や膜厚などの特徴量を算出する特徴量算出手段４２と、算出した特徴量が規定範囲かどうかにより装置の処理を継続するかどうかを判断する継続判断手段４３とを有し、継続判断手段４３が装置の処理を継続すると判定した場合に所定の処理を行い、継続判断手段４３が装置の処理を継続しないと判定した場合には、所定の処理を停止する。 （もっと読む）

【課題】回転中の事故を防ぐスピンナ洗浄装置及びスピンナ洗浄方法を提供すること。
【解決手段】スピンナテーブル１０Ａのウェーハ吸着面１２外側に設けられた吸着確認部１６で、フレームＦとウェーハＷとの間のテープＴを吸着し、検出部１８で吸着確認部１６の圧力の変化を検出する。テープＴが正しく吸着確認部１６に吸着され、吸着確認部１６の圧力が下がりフレームＦの位置に異常がないと判断された場合はスピンナ洗浄が開始される。吸着確認部１６でテープＴが吸着されず圧力が下がらない場合は、フレームＦの位置が異常であるとしてスピンナテーブルの回転が行われない。 （もっと読む）

【課題】超臨界状態を実現するために必要な圧力よりも低い圧力環境下で、基板Ｗに設けられたパターンを倒壊させることなく基板Ｗを乾燥できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理ユニット３０は、主に、乾燥処理チャンバ３１、二酸化炭素供給機構３２、第１窒素供給機構３３、液体窒素供給機構３４、第２窒素供給機構４４、及び排出機構３５を備える。置換液であるＩＰＡ液で覆われた基板Ｗが乾燥処理チャンバ３１内に保持された状態で、液体二酸化炭素が基板Ｗの表面を覆う。乾燥処理チャンバ３１内が、液体窒素供給機構３４により冷却されることで液体二酸化炭素は固体二酸化炭素へと凝固する。そして排出機構３５により、乾燥処理チャンバ３１内を大気圧に戻すとともに、第１窒素供給機構３３が気体窒素を供給することで昇温され、基板Ｗ表面の液体は昇華する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】稼働停止時における電力等のユーティリティを低減する。
【解決手段】ＣＭＰ装置１の回転定盤１７に取り付けた研磨パッド１６とトップリング１８との間に半導体ウエハＷを保持して相対回転させてウエハＷを研磨する。リンス水供給管１１にリンス水流量調整弁１３を設けて、研磨部２内の研磨パッド１６に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。洗浄部３には研磨した半導体ウエハＷを洗浄用スポンジローラ２６，２７で挟持して洗浄して搬送する。リンス水供給管１２ａ、１２ｂにリンス水流量調整弁１４、１４を設けて、洗浄用スポンジローラ２６，２７に間欠的に純水を供給して湿潤状態に保つ。純水の供給間隔をｔ分とし、１回毎の純水の供給継続時間をｄｔ秒として、下記の（１）式と（２）式を満足する。ｄｔ＝２０{１．６−ｅｘｐ（−０．０１７８３ｔ）} ……（１）、１０≦ｔ≦３０ ……（２） （もっと読む）

【課題】被処理体へ悪影響を及ぼすことなく、被処理体を連続して処理する際におけるスループットを向上させること。
【解決手段】処理装置は、延長可能液処理機構４０，４５と、一の被処理体と他の被処理体を順次取り扱う共有取扱部１０と、を備えている。処理装置は、リンス液処理工程と、共有取扱工程と、を有するレシピを算出するレシピ算出部５１も備えている。レシピ算出部５１は、共有取扱部１０が一の被処理体を取り扱う一の共有取扱工程と共有取扱部１０が他の被処理体を取り扱う他の共有取扱工程とが時間的に重複する場合に、他の被処理体についての延長可能液処理工程を延長し、かつ、延長可能液処理工程を延長した分だけ他の共有取扱工程をシフトさせることによって、一の共有取扱工程と他の共有取扱工程とが時間的に重複しないようにする。 （もっと読む）

【課題】第１ロール及び第２ロールが基板に接触する位置を正確に検知し、第１ロール及び第２ロールの押し付け量を適正に設置できる基板処理装置のロール間隙調整方法を提供すること。
【解決手段】基板治具５０と、第１ロール治具４０−１と、第２ロール治具４０−２を用意し、基板治具５０の外周部をコマ１２の円周溝１２ａに挿入して支持し、基板治具５０の裏面と第２ロール治具４０−２の間の間隙が所定値になるように調整して位置決めし、該位置決めして第２ロール治具４０−２に第１ロール治具４０−１を対向させ、第２ロール治具と該第１ロール治具の間の間隙が所定値になるよう調整して位置決めし、しかる後、第１ロール治具４０−１を保持する第１ロール回転機構１７に第１ロールを、第２ロール治具４０−２を保持する第２ロール回転機構１８に第２ロールを保持させる。 （もっと読む）

【課題】反応生成物がプラズマ光透過面に堆積しにくく、また、プラズマ光透過面がプラズマによりエッチングされにくい検出窓を備えたプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマエッチング処理を行うプラズマ処理室１０と、プラズマ処理室の壁面に設けられて、プラズマ処理室で生成されるプラズマ光を透過する検出窓と、プラズマ光を受光して、プラズマ光の発光強度に基づいてプラズマエッチング処理の終点を検出する終点検出器とを備え、検出窓は、プラズマ光に対して透過性を有する第１部材３４と、第１部材３４よりプラズマ処理室側に設けられて、プラズマ光に対して非透過性を有する第２部材３５とを具備し、第２部材３５は、プラズマ光をプラズマ処理室から第１部材３４へ導光する複数の貫通孔３５１を備え、複数の貫通孔３５１は、プラズマ処理室で発生して前記複数の貫通孔３５１へ進入する進入物の進入防止構造を備える。 （もっと読む）

【課題】 処理対象物を所望の面内処理分布でプラズマ処理する。
【解決手段】 処理対象物の面内温度分布が処理結果に影響を与えるため、処理中の処理対象物に、予め定められた特定の面内温度分布を与える事ができる機構を提案する。処理対象物を載置する載置台に電磁波吸収発熱素材を組み込む。プラズマ生成用のマイクロ波発振器を使用し、第一の工程ではプラズマを発生させず、電磁波吸収発熱素材が組み込まれた載置台を加熱して予め定められた特定の面内温度分布を付与する。載置台に第二の工程では処理容器に処理対象物を入れ、処理対象物を予め定められた特定の面内温度分布まで加熱した後、通常のプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】局所密閉型清浄化装置冷却部の性能を向上することなく、局所密閉型清浄化装置の冷却部に起こりうる急な負荷変動を低減できる技術を提供する。
【解決手段】電子部品を製造する電子部品製造装置と該電子部品を搬送する電子部品搬送装置との間で電子部品を移送するためのインターフェース部を気密に閉鎖するチャンバと、チャンバから排出される清浄空気を循環清浄空気として該チャンバへ導く清浄空気循環通路と、清浄空気循環通路を流れる循環清浄空気を循環させる送風部と、清浄空気循環通路上に設けられ、循環清浄空気を冷却する冷却部と、清浄空気循環通路上の、循環清浄空気の流れにおける、冷却部の上流側に設けられる蓄熱部と、を備える。蓄熱部は、循環清浄空気の熱を蓄熱して冷却部の負荷の低減を図ると共に、循環清浄空気に含まれる分子状の汚染物質を捕集する。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】ノズル同士の衝突を避けつつ、ノズルの稼働率を向上させることができる技術を提供する。
【解決手段】制御部は、現像ノズル２１を、第１の高さにある水平面（移動走行面Ｈ１）上で移動させることによって、現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させる（ＡＲ２，ＡＲ６）。ただし、移動走行面Ｈ１は、純水ノズル１３０の移動エリア（純水ノズル１３０を処理位置Ｓ１３０と待避位置Ｔ１３０との間で移動させる際に純水ノズル１３０が移動するエリア）の上方に形成される。したがって、純水ノズル１３０との干渉を考慮せずに自由に現像ノズル２１を現像処理セット１０間で移動させることが可能となり、これにより、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との稼働率が向上する。 （もっと読む）

【課題】ノズルの入れ替えに要する時間を短縮可能な技術を提供する。
【解決手段】ＤＩＷ供給部１３が移動するエリア内に、現像ノズル２１と純水ノズル１３０との干渉エリアＡｉを特定する。基板Ｗに対する純水の吐出処理（プリウェット処理）を終えた純水ノズル１３０が、干渉エリアＡｉの外に移動したことが確認されると、現像ノズル２１が所定の待機位置Ｔ２１から基板Ｗの上方の吐出開始位置へと移動開始する（ＡＲ１３）。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエーハを所定の向きに位置付けた後、次工程へ搬出可能な研削装置等の加工装置を提供することである。
【解決手段】 外周に結晶方位を示すマークを備えた半導体ウエーハの裏面を研削又は研磨する半導体ウエーハの加工装置であって、回転可能な保持テーブルを有し、半導体ウエーハのマークを検出して半導体ウエーハを所定の向きに位置付ける位置合わせ手段と、研削又は研磨された半導体ウエーハを洗浄及びスピン乾燥するスピンナテーブルを有するスピンナ洗浄装置を備えている。洗浄装置は、ウエーハの洗浄及びスピン乾燥後にスピンナテーブルへの搬入時と同一位置にスピンナテーブルを停止させた後、搬出手段でウエーハを次工程へ搬出する。 （もっと読む）

【課題】処理液の消費量を減らすことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理液を用いて基板に対して液処理を施す複数の処理部２２−１乃至２２−６と、複数の処理部２２−１乃至２２−６に処理液を供給する複数の処理部２２−１乃至２２−６で共通の処理液供給管２１０と、複数の処理部２２−１乃至２２−６のうち、稼働する処理部の数に応じて、処理液供給管２１０中の処理液の流量を増加又は減少させるように制御する流量制御部２２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内およびドレンボックス内の圧力を調整することにより、処理槽からの迅速な排水を実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を大気圧よりも高い第１の圧力まで加圧させるように不活性ガス供給源４５および不活性ガス弁４７を制御し、処理槽１内の純水をドレンボックス５３に排出させるまでに、ドレンボックス５３内の圧力を大気圧以下の第２の圧力に調整するように第２真空ポンプ６５を制御し、チャンバ２３内が陽圧、ドレンボックス５３内が負圧となり、その後にＱＤＲ弁５５および排液弁５７を開放するので、その圧力差によって処理槽１内の純水が排出管５１を通してドレンボックス５３に迅速に排出することができ、しかも処理槽１内の液残りも低減できる。 （もっと読む）

【課題】電力負荷を軽減することができ、キャリアガスを用いることなく圧力差で溶剤蒸気を供給させることにより溶剤濃度を高くすることができるとともに、処理液の置換・乾燥に溶剤蒸気を効率的に寄与させて乾燥効率を高めることができる。
【解決手段】制御部６７は、チャンバ２７内を減圧し、圧力計５５によって検出された圧力が、溶剤の温度に対応する溶剤の蒸気圧曲線以下となった場合に、真空時排気ポンプ１９及び排気ポンプ５２による減圧を停止させるとともに、リフタ３１を処理位置から乾燥位置に上昇させる。蒸気圧曲線以下になるまで減圧され、溶剤が気体になりやすい状態とされるので、ヒータ４１の容量が小さくても充分に溶剤蒸気を発生させることができ、電力負荷を軽減できる。また、圧力差によって溶剤蒸気をチャンバ２７内に導入させるので、キャリアガスが不要となって溶剤濃度を高くできる。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、例えば消耗セラミックライナ、基板加熱台座部及び処理キット等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザのガス出口チャネルを基板洗浄チャンバのガス入口チャネルに接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボールが位置決めされた基板受け面を有する環状プレートを備える。処理キットは、トッププレート、トップライナ、ガス分散プレート、ボトムライナ及びフォーカスリングを備える。
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【課題】ウェーハが洗浄装置のスピンナーテーブルに保持された状態が長くなった場合においても、ウェーハを容易に搬出できるようにする。
【解決手段】ウェーハを吸引保持する保持面２５０ｄを有し回転可能なスピンナーテーブル２５０と、保持面２５０ｄに吸引力を伝達する吸引源２５２と、スピンナーテーブル２５０に保持されたウェーハに洗浄水を供給する洗浄水供給ノズル２５１とを少なくとも備えた洗浄装置２５において、保持面２５０ｄにおいては吸引源２５２に連通する細孔が開口し、吸引源２５２は、スピンナーテーブル２５０の回転時に作用する第一の吸引力とスピンナーテーブル２５０の停止時に作用する第二の吸引力とを選択する切り替え部を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハの紫外線照射装置において、半導体ウエハ表面の状態による紫外線の反射率または吸収率の変化によらずに、本来紫外線照射プロセスに必要とされる紫外線光量を照射する。
【解決手段】半導体ウエハ５の表面近傍を、照射ヘッド部１が一方から他方へ随時移動する際、表面の状態を照射ヘッド部１の反射率または吸収率測定機能により随時フィードバックを掛け、紫外線の照射光量を変更することにより、半導体ウエハ５の表面状態に応じた紫外線光量を照射する。 （もっと読む）