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Fターム[5F157CD31]の内容

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Fターム[5F157CD31]に分類される特許

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【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置1では、除電液供給部6により、SPM液よりも比抵抗が大きい除電液が基板9上に供給され、基板9の上面91全体が除電液にてパドルされることにより、基板9が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構5により基板9が回転することにより、基板9上から除電液が除去された後、処理液供給部3により基板9上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。また、除電液とSPM液との混合による悪影響(例えば、除電液中の水とSPM液中の硫酸との反応熱による基板9の損傷)を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】 定在波の抑制を確実に行うことで、被洗浄物の表面に発生する縞模様を無くして洗浄品質を向上させる超音波洗浄装置を提供する。
【解決手段】 洗浄層内の溶液に振動を与える超音波振動子と、洗浄層内の音圧を測定する音圧測定部と、AM変調波電力を発振して超音波振動子に供給する超音波発振部と、音圧測定部で測定した音圧に基いて超音波発振部が発振するAM変調波電力の周波数および電力を制御する制御部をもつ超音波洗浄装置。 (もっと読む)


【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程S15と、計測工程S15を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程S16と、判定工程S16において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程S11とを有する。 (もっと読む)


【課題】供給ノズルから大流量及び小流量で供給する処理液の流量を精度よく制御でき、小流量で処理液を供給するときの流量変動を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板に処理液を供給するノズル部45と、ノズル部45に処理液を供給する供給系70とノズル部45とを接続する供給流路68aを絞る絞り部132aと、絞り部132aの両側の供給流路68a内の圧力を計測する圧力計測部132bと、供給流路68a上に設けられた流量制御弁133と、流量制御弁133を制御する流量制御部134とを有する。流量制御部134は、第1の流量F1で処理液を供給するときは、絞り部132aの両側の圧力差に基づいて流量制御弁133を制御し、第1の流量F1よりも小さい第2の流量F2で処理液を供給するときは、絞り部132aの片側の圧力に基づいて流量制御弁133を制御する。 (もっと読む)


【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 (もっと読む)


【課題】供給しようとする液体に対する不都合を生じさせずに、流量制御器における気泡の発生を確実に防止することができる液供給機構を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構3は、処理液タンク21と、処理液供給配管22と、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィス部を有する流量制御器27と、可変オリフィス部より前段の一次側の液圧および後段の二次側の液圧を求める圧力検出器26,28と、予め記憶された、処理液の液圧と対応する液圧における溶存可能な気体成分の量との関係から、処理液から気泡が発生し始める一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔPsを求め、このΔPsの値以下の閾値ΔPtを設定し、実際に求められた一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔPeの値がΔPtに達したか否かを判断し、ΔPeの値がΔPtに達したと判断した場合に、処理液の気泡の発生を抑制するように処理液の状態を制御する制御機構30とを有する。 (もっと読む)


【課題】乾燥溶剤の再生手順を工夫することにより、スループットを向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部51は、第1の貯留タンク11と第2の貯留タンク13の一方だけから処理槽5に乾燥溶剤を供給して、処理槽5にて基板Wを乾燥処理させる。そして、乾燥溶剤を供給した第1の貯留タンク15の乾燥溶剤が寿命に達した場合には、基板Wの処理が終了した後、第1の貯留タンク15とは異なる第2の貯留タンク13だけから処理槽5に乾燥溶剤を供給して、処理槽5にて次の基板Wを処理させる。これとともに、制御部51は、第1の貯留タンク11から溶剤再生装置3に乾燥溶剤を供給して再生処理を行わせるので、再生処理に伴って基板処理装置の乾燥処理装置1における処理を中断する必要がなく、基板処理装置のスループットを向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】減圧に伴って樹脂成形体等の被処理体が発泡してしまう問題を解決する技術を提供する。
【解決手段】高圧処理チャンバー内で、被処理体と高圧流体とを接触させることで被処理体の高圧処理を行った後、大気圧まで減圧するための高圧処理方法であって、複数の減圧工程を含み、高圧処理直後の第1減圧工程では、上記チャンバー内の高圧流体の密度を略同等に維持しつつ減圧することを特徴とする高圧処理方法である。 (もっと読む)


【課題】薬液処理後の水洗処理において、リフターに付着する薬液の水洗槽への持込み量を低減させ、水洗槽でのエッチングを防止できる洗浄装置および洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の洗浄後にリフター2の洗浄を行い、薬液処理時に用いられた薬液および純水を含む溶液の比抵抗とリフター洗浄前の初期比抵抗の差分が予め設定された所定の値になるまで積分演算を行い、リフターに付着している残留薬液量を算出し、算出された残留薬液量からリフターが清浄な状態になるまでの洗浄時間を算出する。前記洗浄時間が経過するまで純水によるリフターの洗浄を行うことで、水洗処理槽でのエッチングを防止し、微細デバイスの品質、信頼性および歩留りを維持することができる。 (もっと読む)


【課題】洗浄処理液の洗浄処理槽内流れを上向きとし、下向きの流れを最小にすると共に、整流板及び拡散板の開口率と液流のバラツキの関係を明確にし、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を具備した洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の洗浄処理装置は、上方向に流れる洗浄処理液を貯留する洗浄処理槽と、該洗浄処理槽内底部に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された整流板と、該洗浄処理液供給口の上方と該整流板の下方の位置に洗浄処理液を流通させる小孔が面内に配列された拡散板と、を備えている。さらに、本発明の洗浄処理装置は、洗浄処理槽内壁面に一本ないし複数本の細糸が固定されることにより、洗浄処理槽内壁面近傍の液流が可視化される整流モニター機構を有し、液流のバラツキをリアルタイムにモニターできる手段を設けている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、比較的簡素な構成で、微量の液漏れでも素早く検知が可能な石英ヒータ及びこれを用いた基板処理装置、石英ヒータの破損検出方法及びこれを用いた基板処理制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】発熱体20を内蔵した石英管11を液体40内に載置して、該液体40を加熱する石英ヒータ10、10a、10bであって、
前記石英管11に連結され、前記発熱体20に電力を供給する電気配線21を内蔵した冷却用チューブ12を有し、
該冷却用チューブ12内に、漏液センサ30を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】構成が簡単で且つ故障しにくい、連続運転に適した基板洗浄装置を提供することである。
【解決手段】補液を連続的に補給する補液補給装置から補液が補給され、一定流量の前記補液を通過させる定量ユニットと、前記定量ユニットを通過した前記補液が供給される補液タンクと、液体の流入口が前記補液タンク内部に開口し、前記補液タンクの最上部と前記補液タンクの底の間に位置する高さに最高所が設定されたサイフォンを具備する洗浄装置である。 (もっと読む)


【課題】活性層の表面の酸化を防止できる基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】ソース領域およびドレイン領域の露出した表面上の自然酸化膜を、フッ酸を含有する洗浄液Aで洗浄除去する。二酸化炭素を超純水P中に溶解させた洗浄水Wでソース領域およびドレイン領域の表面を洗浄する。洗浄水W中の二酸化炭素が洗浄水Wの比抵抗を低下させる。洗浄水Wが供給配管48内を通過する際に生じる摩擦帯電を防止できる。洗浄水Wが帯電しなくなる。ソース領域およびドレイン領域の表面の帯電を防止できる。ソース領域およびドレイン領域の露出した表面の酸化が防止できる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理状況をより正確に把握できるようにする。
【解決手段】基板処理装置は、処理槽10A〜10Cを有し、基板Sを傾斜姿勢で搬送しながら各処理槽10A〜10C内で、それぞれシャワーノズル14により基板Sの表面にリンス液を供給しながら洗浄処理を施すように構成される。各処理槽10A〜10Cの内部には、基板Sの表面に沿って流下するリンス液を、当該リンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのpHを測定するpH測定装置16が設けられており、各pH測定装置16による測定結果に基づき、各処理槽10A〜10Cにおけるリンス液の供給量がコントローラ40により制御される。 (もっと読む)


【課題】ゲッタリング能力を向上させることができ、かつ基板表面にエピタキシャル層を形成しても、積層欠陥が生じることを防止することのできるエピタキシャルシリコンウェハの製造方法を提供すること。
【解決手段】チョクラルスキー法により製造され、窒素をドープして引き上げられたシリコン単結晶を切り出して得られる基板上に、エピタキシャル層を形成したエピタキシャルシリコンウェハの製造方法は、基板表面に基板洗浄装置1のバブリングタンク11で気化させたフッ酸を噴射して、該基板Wの表面を洗浄するフッ酸洗浄工程と、洗浄された基板Wの表面上にエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層形成工程とを備えている。 (もっと読む)


【解決手段】プロキシミティヘッドを形成及び使用するシステム並びに方法。プロキシミティヘッドは、ヘッド表面を含み、該ヘッド表面は、第1のゾーンと、第2のゾーンと、内部戻りゾーンとを含む。第1のゾーンは、第1の平坦な表面領域と、複数の第1の個別穴とを含む。複数の第1の個別穴の各穴は、複数の第1の導管のうちの対応する1本に接続されている。複数の第1の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第1の平坦な表面領域に広がっている。複数の第1の個別穴の少なくとも一部分は、第1の列に配置される。第2のゾーンは、第2の平坦な表面領域と、複数の第2の個別穴とを含む。複数の第2の個別穴の各穴は、複数の第2の導管のうちの対応する1本に接続されている。複数の第2の個別穴は、ヘッド表面内にあり、第2の平坦な表面領域に広がっている。内部戻りゾーンは、複数の内部戻り個別穴を含む。内部戻りゾーンは、第1のゾーンと第2のゾーンとの間にそれらに隣接して位置している。複数の内部戻り個別穴の各穴は、複数の内部戻り導管のうちの対応する1本に接続されている。複数の内部戻り個別穴は、ヘッド表面内にあり、ヘッド表面に広がっている。複数の内部戻り個別穴の少なくとも一部分は、内部戻り列に配置される。第1の列と内部戻り列は、実質的に平行である。複数の内部戻り個別穴の各穴の縁の第1の部分は、ヘッド表面内に入り込んでいる。 (もっと読む)


【課題】洗浄処理に使用される液体の量を低減しつつ、基板処理装置の内部に付着した薬液成分を確実に除去することができる基板処理装置の中和洗浄装置および中和洗浄方法を提供する。
【解決手段】中和洗浄装置1は、基板処理装置90の内部との間で希釈液の循環経路を構成し、希釈液を循環させつつ希釈液中に中和剤を添加する。また、中和洗浄装置1は、循環される希釈液のpH値をpHセンサ16により計測し、その計測値が所定の数値範囲内に入るまで中和剤の添加を継続する。このため、希釈液を循環させることにより希釈液の使用量を低減させることができ、また、pHセンサ16の計測値に基づいて希釈液中の薬液成分を確実に中和することができる。 (もっと読む)


【課題】半導体製造工程のいわゆる前工程で好適に使用されるものであり、簡便な制御機構によって炭酸ガスの流量を制御可能で、設置スペースが小さく、その製造コストが低廉である比抵抗制御装置を提供する。
【解決手段】薬液流体を供給する薬液流体供給手段10と、超純水を供給する稀釈流体供給手段20と、薬液流体及び超純水を混合させて処理水として排出する処理水調合手段30とを備え、薬液流体供給手段10が、分岐した第一の分岐路42及び第二の分岐路43からなる送液路40と、第一の分岐路42及び第二の分岐路43に配置され、処理水調合手段30に流入する薬液流体の流量を制限するフィルタ51と、処理水調合手段30から排出される処理水の比抵抗値に対応して、第一の分岐路42、または第一の分岐路42及び第二の分岐路43を開閉する一つの開閉弁52とを備える比抵抗制御装置100。 (もっと読む)


【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド10の被処理物Wと対向すべき側部40に、処理領域80の画成部41と、その両側の処理外領域81,82の画成部42,43とを設ける。第1処理外領域81と処理領域80との境に処理流体の噴き出し口50aを形成し、処理領域80と第2処理外領域82との境に吸い込み口50eを形成する。検出手段70にて第1処理外領域81における処理領域80に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段54にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口50eからの吸い込み流量を調節する。 (もっと読む)


【課題】半導体プロセス機器から排出される使用済みの半導体プロセス流体を効率よく回収して有効に再生することができるプロセス流体回収方法およびプロセス流体回収装置を提供する。
【解決手段】 半導体プロセス機器の排出口から再生ラインに使用済みプロセス流体を通流させ、前記半導体プロセス機器の排出口から前記使用済みプロセス流体を再生し、 前記再生ラインに接続された流体センサで前記使用済みプロセス流体の状態を測定し、前記流体センサから制御器へ前記プロセス流体の状態を表わす信号を送るとともに、該信号が所定範囲内にあることを設定し、前記信号が前記所定範囲内に入る場合は前記半導体プロセス機器に前記使用済みプロセス流体を回収し、また前記信号が前記所定範囲から外れる場合は前記使用済みプロセス流体の少なくとも一部をシステムドレインに流す。 (もっと読む)


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