【課題】大口径の基板に対する裏面洗浄性の確保及び裏面洗浄性の向上を図ると共に、裏面洗浄液の省薬液化を図れるようにした基板裏面洗浄方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転するウエハの表面に処理液を供給（レジスト塗布）した後、ウエハ裏面に洗浄液を緩やかに拡散すべく第１の回転数で回転して洗浄液を供給する洗浄液吐出工程と、第１の回転数より高速の第２の回転数で回転してウエハ裏面の洗浄液を急速に拡散して振り切る洗浄液振り切り工程と、を交互に複数回繰り返し行う。 （もっと読む）

【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル３０と、ノズル３０から吐出された現像液が流下する基板処理槽１０と、基板処理槽１０の内部に廃液口４３１が設けられた配管４３と、配管４３と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽１０の内部において回収口４２１が設けられた配管４２と、基板処理槽１０の所定部位に設けられ、揺動軸４４２を中心に揺動することによって、基板処理槽１０内に流下した現像液の流出先を配管４２と配管４３との間で選択的に切り替える揺動部材４４５を有する現像液流路切替部４４と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板を回転させて基板の上面から処理液を除去して基板を乾燥する際に、基板の上面全体にわたって処理液の除去に要する時間を均一化して基板を良好に乾燥させる。
【解決手段】赤外線照射部５から出射される赤外線が基板Ｗの下方から基板中央部分Ｗcpに照射され、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液で吸収される。この赤外線吸収によってＩＰＡ液の温度が上昇し、基板中央部分Ｗcpの上面に付着するＩＰＡ液の液膜温度が基板Ｗの周縁部分に付着するＩＰＡ液の液膜温度よりも高くなる。これにより、基板中央部分Ｗcpでの蒸発乾燥が基板Ｗの周縁部分での蒸発乾燥よりも促進され、基板中央部分Ｗcpと周縁部分との乾燥時間の差が抑制される。その結果、基板Ｗの上面Ｗus全体にわたって乾燥時間が均一化される。 （もっと読む）

【課題】基板の表面の洗浄エリアに基板の回転速度とロール洗浄部材の回転速度の相対速度がゼロとなる点（領域）が存在しても、基板の表面をその全域に亘ってより均一に洗浄できるようにする。
【解決手段】基板Ｗの直径方向に沿って延びるロール洗浄部材１６を基板Ｗの表面に接触させつつ、ロール洗浄部材１６と基板Ｗを共に回転させて基板Ｗの表面をスクラブ洗浄する基板洗浄方法において、ロール洗浄部材１６及び基板Ｗの少なくとも一方の回転速度または基板の回転方向をスクラブ洗浄処理中に変更する。 （もっと読む）

【課題】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として、循環利用して電子材料を洗浄する際に、洗浄排液の廃棄と循環とを効果的に選り分けることを可能にする。
【解決手段】過硫酸を含む硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより該電子材料に前記洗浄液を接触させて該電子材料を枚葉式で洗浄し、洗浄排液を系内に循環させ過硫酸を再生して前記洗浄液として再利用する洗浄方法において、前記電子材料ごとの洗浄開始から洗浄終了までの間に、前記洗浄開始から、第１のタイミングまでは、前記洗浄排液を系内に循環させ、前記第１のタイミング後、第２のタイミングまでは、前記洗浄排液を系外に廃棄し、前記第２タイミング後、洗浄終了まで、前記洗浄排液を系内に循環させることで、レジスト濃度の高い時間帯の洗浄排液は系外に廃棄し、それ以外の時間帯の洗浄排液は系内に循環し再利用することが可能になり、効果的な選り分けが可能になる。 （もっと読む）

【課題】酸化性物質を含む硫酸溶液に水溶液を混合して電子材料を洗浄する際に、水溶液使用量、廃液処理量、硫酸濃度の低下を招く課題を解決する。
【解決手段】過硫酸物質を含む硫酸濃度７０質量％以上の硫酸溶液を洗浄液として電子材料に供給することにより前記洗浄液を前記電子材料に接触させて前記電子材料を洗浄する枚葉式の電子材料洗浄方法において、前記洗浄液に水溶液を混合させて、混合直後に該洗浄液を前記電子材料に接触させる第１洗浄工程と、該第１洗浄工程の後に、前記洗浄液に前記水溶液を混合させることなく前記洗浄液を前記電子材料に接触させる第２洗浄工程とを含むことで、洗浄効果を良好に維持したままで、水溶液使用量、廃液使用量、硫酸濃度の低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】水の静的接触角が８５度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を９ｍｍ〜１５ｍｍに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 （もっと読む）

【課題】 レジストの水による物性変化（膨潤性等）を利用して、レジスト膜を容易且つ確実に剥離する。これにより、資源・エネルギー多消費型技術からの脱却、すなわちレジストの除去にエネルギーや化学溶剤に依存しない環境共生型技術を実現させる。
【解決手段】 水蒸気噴射ノズル３をラインスリットノズルが直径方向となるように配置してミスト含有水蒸気をレジスト膜の表面に噴射し、当該レジスト膜を剥離・除去する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にパーティクルが発生することを抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理方法においては、まず、基板Ｗが薬液処理される。次に、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗにリンス液が供給されてリンス処理工程が行われる。その後、基板Ｗを回転させながら、基板Ｗを乾燥する乾燥処理工程が行われる。乾燥処理工程は、基板Ｗの中心部にリンス液を供給しながら、基板Ｗの回転数をリンス処理工程時の基板Ｗの回転数より低い第１の回転数まで低下させる工程と、基板Ｗの回転数を第１の回転数まで低下させる工程の後、リンス液を供給するリンス液供給位置を、基板Ｗの中心部から周縁部に向けて移動させる工程と、リンス液供給位置を移動させる工程の後、基板に乾燥液を供給する工程と、を有している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ゲート絶縁膜や基板などを損傷させることなく、半導体基板表面に付着した不純物、特に、イオン注入されたレジストなどの付着物を効率よく剥離でき、安全性により優れた２剤型半導体基板用洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板の洗浄時に混合して使用する、発泡剤成分と発泡助剤成分とを有する２剤型半導体基板用洗浄剤であって、前記発泡剤成分が炭酸塩を含有し、前記発泡助剤成分が酸性化合物を含有し、さらに、前記発泡剤成分および／または前記発泡助剤成分が界面活性剤を含有し、前記発泡剤成分と前記発泡助剤成分との混合液のｐＨが７．５未満となる、２剤型半導体基板用洗浄剤。 （もっと読む）

【課題】プラズマ洗浄処理の制限を緩和し、使用勝手の良いプラズマ洗浄装置を提供すること。
【解決手段】プラズマ洗浄処理のレシピ設定をする際には、パソコン１５により、プラズマエッチング（ＰＥ）方式かリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）方式かのどちらであるかを判定し、ＲＩＥ方式であればプラズマ処理制限を内部メモリから読み込む。次に、プラズマ処理パワー（Ｗ）と処理時間（秒）の積がプラズマ処理制限を超えていないか判定する。ＲＦ電源出力パワーを「５００（Ｗ）」と入力して、プラズマ処理時間を「２５（秒間）」と入力すると、パソコン１５は５００Ｗ×２５秒＝１２５００Ｗ秒と算出して、プラズマ処理制限の１００００Ｗ秒を超えたと判定して、超えた旨をモニター１７に表示させる。次に、ＲＦ電源出力パワーはそのままとし、１００００Ｗ秒÷５００Ｗ＝２０秒間を算出し、プラズマ処理時間を２０秒間として内部メモリに保存する。 （もっと読む）

【課題】洗浄時の環境負荷をできるだけ低くし、かつ構造体の破壊のおそれがある片寄った物理的負荷を与えずに、電子部品あるいは微細構造を有する精密加工部品もしくは微細加工用金型等に付着した難洗浄性汚れを除去する。
【解決手段】被洗浄物を水、低級アルコール、または界面活性剤溶液に浸漬し、１００ＭＰａ〜１０００ＭＰａの超高圧の静水圧を当該被洗浄物に付与することによって、難洗浄性汚れを除去する。 （もっと読む）

【課題】ガス溶解水による高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄で高い洗浄効果を得て、低コストで省資源な洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから、洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて該被洗浄物を洗浄する高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄方法において、該洗浄流体吐出ノズルに導入される洗浄液が、該洗浄液の液温における飽和溶解度以上の溶存ガスを含むことを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】 アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入することを抑制して、オゾン洗浄能力の低下が抑制できる洗浄方法を提供する。
【解決手段】 チャック部材で、予めオゾン洗浄槽内のオゾン洗浄液に浸漬していた他の被処理物を保持するに先立ち、搬送アームの一部およびチャック部材に付着したアルカリ成分を洗浄除去して、アルカリ成分がオゾン洗浄液に混入するのを抑制することを特徴とする洗浄方法。 （もっと読む）

【課題】減圧処理室内の部材表面から微粒子を飛散させて部材の清浄化を行う。
【解決手段】減圧処理内の部材に付着した微粒子を飛散させて部材を清浄化するために、（１）微粒子を帯電させてクーロン力を利用して飛散させる手段、（２）減圧処理室にガスを導入し、微粒子の付着した部材にガス衝撃波を到達させ、微粒子を飛散させる手段、（３）部材の温度を上昇させ、熱応力及び熱泳動力により微粒子を飛散させる手段、又は（４）部材に機械的振動を与えて微粒子を飛散させる手段を用いる。さらに、飛散させた微粒子を比較的高圧雰囲気でガス流に乗せて除去する。 （もっと読む）

【課題】 ドライエア等の乾燥用気体の基板への供給による基板の乾燥不良を抑制できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板Ｗを支持しつつ、処理槽１内部の処理位置と処理槽１上方にある乾燥位置とにわたって昇降自在であるリフタ１５、供給部２３の近傍を通過させて処理槽１へ搬入させる際に、制御部４７により、第１制御弁３５，第２制御弁４１が閉、第３制御弁４５が開に切り替わる。これにより、供給部２３へのドライエアの供給を停止させ、分岐配管４３へドライエアを供給させているので、洗浄処理前に基板Ｗがドライエアにさらされることはなく、基板の乾燥不良が抑制される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板をリンスした後、半導体基板を乾燥させるときに微細なパターンに及ぶ影響を著しく低減する。
【解決手段】洗浄液で半導体基板を洗浄する洗浄工程と、この洗浄工程の後にリンス水で前記半導体基板をリンスするリンス工程と、このリンス工程の後に前記半導体基板を乾燥させる乾燥工程とを行う半導体基板の洗浄方法であって、リンス工程の際、リンス水の温度を７０℃以上に設定すると共に、リンス水を酸性に設定する。 （もっと読む）

【課題】ロール電極の内部を流通する冷却液が、ロール電極を構成する部材どうしの接合面を通してロール電極の外面へ漏れ出たとしても、処理の安定性が損なわれるのを防止するプラズマ表面処理装置の提供。
【解決手段】ロール電極１の円筒部２０の端壁部３０Ｌを構成する複数の部材３１Ｌ，３３Ｌどうしの接合面５４Ｌが、冷却液路６０に達して内側接合線５５Ｌを形成し、かつ端壁部３０Ｌの外面に達して外側接合線５６Ｌを形成している。端壁部３０Ｌの外面における、放電面２１ａとの境界１ｂと外側接合線５６Ｌとの間に、端壁部３０Ｌの周方向に沿って延びる溝４１Ｌを形成する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ分布、プラズマ電位、エッチング特性あるいは表面処理特性が時間的、空間的に変動し、制御性および信頼性の高いプラズマ処理装置（プラズマエッチング装置あるいはプラズマ表面処理装置）を実現することが困難であった。
【解決手段】放電形成用電磁波の少なくとも一部を透過型電極体を介して処理室内に導入する。この透過型電極体は、放電形成用電磁波にとっては誘電体（電気的絶縁体）のように振る舞い、RFバイアス用電磁波あるいはイオンプラズマ振動の電磁波にとっては電気的伝導性を有する材料のように振る舞う特性を有している。 （もっと読む）