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Fターム[5F157CE25]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (3,601) | 制御対象 (3,445) | 装置 (673) | 噴射ノズル (296) | 位置、姿勢 (210)

Fターム[5F157CE25]に分類される特許

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【課題】従来のような二流体ノズルや高圧ジェットを用いた場合、たとえば、パターン等が形成された基板を洗浄する場合、洗浄液の供給される力によって、基板上に形成されたパターンに損傷が生じる場合があり、一方、損傷を防止するために供給する力を抑制すれば、洗浄を十分に行えないという問題があった。
【解決手段】微細気泡を含む洗浄液を用いて基板の洗浄を行う。洗浄液を供給するノズルの先端を、基板上に形成された液膜の液面より低い位置に配置し、ノズルの先端部分付近(微細気泡発生領域)を洗浄液が通過する際に、洗浄液中に微細気泡が発生するように構成する。 (もっと読む)


【課題】接続孔部分における電気的特性のばらつきを低減することにより、半導体装置の信頼性および製造歩留まりを向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】成膜装置のドライクリーニング処理用のチャンバ57に備わるウエハステージ57a上に半導体ウエハSWを置いた後、還元ガスを供給して半導体ウエハSWの主面上をドライクリーニング処理し、続いて180℃に維持されたシャワーヘッド57cにより半導体ウエハSWを100から150℃の第1の温度で熱処理する。次いで半導体ウエハSWをチャンバ57から熱処理用のチャンバへ真空搬送した後、そのチャンバ57において150から400℃の第2の温度で半導体ウエハSWを熱処理することにより、半導体ウエハSWの主面上に残留する生成物を除去する。 (もっと読む)


【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、内部空間S1を有するチャンバー2と、チャンバー2内で基板Wを保持して回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック3と、チャンバー2内で基板Wの上面に対向する遮断板4と、遮断板4と基板Wとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構5と、基板Wに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Wの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル29と、処理液ノズル29に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】基板に対する異物の付着力を低下させることができ、ランニングコストを低減できる基板処理方法および基板処理装置を提供すること。
【解決手段】液滴ノズル15からの液滴が基板Wの上面内の一部の領域だけに供給される。その後、基板Wの上面に保持されている液滴が冷却または加熱される。これにより、基板W上の液滴の温度が変化する。液滴に接しているパーティクルは、液滴によって冷却または加熱され、収縮または膨張する。 (もっと読む)


【課題】大口径の基板に対する裏面洗浄性の確保及び裏面洗浄性の向上を図ると共に、裏面洗浄液の省薬液化を図れるようにした基板裏面洗浄方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】鉛直軸回りに回転するウエハの表面に処理液を供給(レジスト塗布)した後、ウエハ裏面に洗浄液を緩やかに拡散すべく第1の回転数で回転して洗浄液を供給する洗浄液吐出工程と、第1の回転数より高速の第2の回転数で回転してウエハ裏面の洗浄液を急速に拡散して振り切る洗浄液振り切り工程と、を交互に複数回繰り返し行う。 (もっと読む)


【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理方法および基板処理装置において、パーティクル除去効率を向上させる。
【解決手段】基板Wの表面Wfに、DIWにポリスチレン微粒子Pを分散させた処理液Lによる液膜LPを形成する。冷却ガス吐出ノズル3から冷却ガスを吐出させながら該ノズルを基板Wに対し走査移動させて、液膜LPを凍結させる。液膜中に混入された微粒子Pが凝固核となって氷塊ICの生成が促進されるため、液相から固相への相変化時間を短くしてパーティクル除去効率を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】基板の処理に使用された処理液のうち、回収すべき処理液と排出すべき処理液とが混ざり合うことを確実に抑えられる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wの現像処理に使用される現像液を吐出するノズル30と、ノズル30から吐出された現像液が流下する基板処理槽10と、基板処理槽10の内部に廃液口431が設けられた配管43と、配管43と並列的に設けられ、現像液の回収と再利用とのために基板処理槽10の内部において回収口421が設けられた配管42と、基板処理槽10の所定部位に設けられ、揺動軸442を中心に揺動することによって、基板処理槽10内に流下した現像液の流出先を配管42と配管43との間で選択的に切り替える揺動部材445を有する現像液流路切替部44と、を備える。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板の各位置での膜厚のばらつきを低減し、基板の処理品質を向上させること。
【解決手段】複数の噴射口28からそれぞれ基板の上面内の複数の噴射位置に向けて処理液の液滴が噴射される。これと並行して、複数の吐出口35からそれぞれ基板の上面内の複数の着液位置に向けて保護液が吐出される。複数の吐出口35から吐出された保護液は、複数の液膜を形成する。複数の液膜は、それぞれ異なる噴射位置を覆う。処理液の液滴は、保護液の液膜に覆われている噴射位置に向けて噴射される。 (もっと読む)


【課題】基板に形成した液膜を冷却し凝固させる基板処理装置および基板処理方法において、より短時間で効率よく液膜の温度を低下させることのできる技術を提供する。
【解決手段】冷却ガスノズル3のノズル筐体311の外周下部を外側に延伸させて、平板状のフランジ312を形成する。フランジ312の下面312aが基板表面Wfに近接対向配置される。ノズル筐体311の中央下部に設けたガス吐出口30から低温の冷却ガスが吐出されると、冷却ガスは基板表面Wfとフランジ312の下面312aとの間隙空間を基板表面Wfに沿って流れる。基板上の液膜が冷却ガスに触れる時間が長く、またガスの流速が増大するとともに周囲雰囲気の巻き込みに起因するガス温度の上昇が抑えられるので、液膜を効率よく短時間で冷却することができる。 (もっと読む)


【課題】SPM処理時に天板に付着したヒュームが、SPM処理の後に実施される乾燥工程等の他の工程時に基板に付着してしまうことを防止することができる液処理装置および液処理方法を提供する。
【解決手段】天板32は、基板保持部21に保持された基板Wを上方から覆う進出位置と、水平方向において進出位置から退避した位置である退避位置との間で水平方向に移動するようになっている。回転カップ40の周囲には、上部に上部開口50nが形成された筒状のカップ外周筒50が昇降自在に設けられている。 (もっと読む)


【課題】基板を上方から覆うための天板の下面に天板洗浄液を全面に供給することができ、天板の下面に付着したSPM液の液滴や飛沫等が天板の下面に残留することを抑制することができる液処理装置および天板洗浄方法を提供する。
【解決手段】天板32の下面に対して下方から天板洗浄液を供給する天板洗浄液供給ノズル82aが一のノズル支持アーム82qにより支持されており、このノズル支持アーム82qは、天板32の下方にノズル82aが位置するような天板洗浄位置と、天板32の下方の領域から外方に退避した退避位置との間で移動するようになっている。 (もっと読む)


【課題】処理時間(スループット)等の要素との関連性を考慮しつつ、流体ノズルの移動速度をより簡易かつ最適に制御して、基板の全表面に亘るより均一な洗浄や乾燥等の処理ができるようにした基板処理方法及び基板処理ユニットを提供する。
【解決手段】流体ノズルから流体を回転中の基板表面に向けて噴出させながら、該流体ノズルを回転中の基板の中心部から外周部に向けて移動させて該表面を処理する基板処理方法において、流体ノズルを、基板の中心から変位点までは一定の初期移動速度で、変位点を通過した後は、流体ノズルが基板の中心から距離rに対応する位置を通過する時の移動速度V(r)が、べき指数をαとしたとき、
(r)×rα=一定
を満たす移動速度V(r)で移動させる。 (もっと読む)


【課題】洗浄液を基板裏面側の接着剤に接触させないようにしながら、確実かつ効率的に基板表面を洗浄できるようにする。
【解決手段】基板洗浄装置10は、基板12を下向き姿勢で支持できる基板支持部16と、液体支持面22を有する洗浄板24であって、基板支持部16に支持された基板12の第1面12aに液体支持面22が所定寸法の隙間Gを介して対向できる作業位置に、上向き姿勢で配置される洗浄板24と、洗浄板24の液体支持面22の中央領域22aに洗浄液を供給する洗浄液供給部26と、洗浄板24を、液体支持面22に略直交する洗浄板軸線24aを中心に回転させる洗浄板駆動部28とを備える。基板洗浄装置10は、洗浄板軸線24aを中心に回転する洗浄板24の液体支持面22に沿って流動する洗浄液を、基板12の第1面12aに接触させて、第1面12aを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】基板表面を液処理した後に、基板表面を清浄に乾燥させることが可能な液処理方法及び液処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に疎水性領域を有する基板を第1の回転速度で回転し、前記基板の表面中央部に対して、前記基板に供給された薬液をリンスするリンス液を第1の流量で供給し、前記基板の表面全面に前記リンス液の液膜を形成するステップと、前記基板の表面全面に形成された液膜を壊し、前記基板の表面上に前記リンス液の筋状の流れを形成するステップと、前記リンス液の筋状の流れが前記基板の表面上から外へ出るまで前記リンス液を供給する供給部を前記基板の外縁に向かって移動するステップとを含む液処理方法が提供される。 (もっと読む)


【課題】基板毎に外径寸法が変動した場合でも、基板の周辺部における塗布膜を除去する領域の幅寸法を一定にすることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】表面に塗布膜が形成された基板を回転させた状態で、基板の周辺部の表面にリンス液供給部80によりリンス液を供給することによって、リンス液を供給した位置の塗布膜を選択的に除去する基板処理方法において、基板を予め基板搬送部A3により搬送する際に、基板搬送部A3に設けられた検出部5により、基板の周辺部の位置を検出し、検出した位置に基づいて、周辺部の表面にリンス液を供給する時のリンス液供給部80の位置を決定する。 (もっと読む)


【課題】洗浄処理において、基板への不必要なダメージや回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】洗浄処理に用いるための処理流体を基板5に噴出する処理流体ノズル7と、基板5から処理流体を回収する回収装置8とを具備している。基板5を処理流体ノズル7からの処理流体により局所的に洗浄処理することができるため、基板5に対して不必要なダメージ、回路パターン倒れを防ぎつつ、特定箇所の異物を除去できる。 (もっと読む)


【課題】基板処理装置において処理液の飛散を抑制する。
【解決手段】基板処理装置では、回転する基板9の上面に向けてノズル34から処理液を吐出することにより、基板9に対する洗浄処理が行われる。基板処理装置では、ノズル34から吐出された処理液が基板9に接触する位置における処理液の接触方向の水平成分が、接触位置における基板9の回転の接線方向を向く、または、当該接線方向から径方向外側に傾斜する。これにより、基板9上の処理液の基板9の回転に伴う移動が、ノズル34からの吐出される処理液により阻害されることが抑制される。その結果、基板9上を移動する処理液とノズル34から吐出される処理液との衝突の勢いが低減され、基板9から上方へと処理液が飛散することをより抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】長尺ノズルにより複数の処理液を供給して基板を均一に処理することができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板保持部と、回転駆動部と、第1の方向に沿って長尺に形成され、第1の処理液を供給する第1の処理液供給部81と、第1の方向に沿って長尺に形成されており、第1の処理液供給部81と平行に設けられた、第2の処理液を供給する第2の処理液供給部83と、第1の処理液供給部81と第2の処理液供給部83とを、第2の方向に移動させる移動駆動部123と、制御部200とを有する。制御部200は、第1の処理液を供給するときは、第1の処理液が基板の回転中心に到達するように、第1の処理液供給部81を移動駆動部123により移動させ、第2の処理液を供給するときは、第2の処理液が基板の回転中心に到達するように、第2の処理液供給部83を移動駆動部123により移動させる。 (もっと読む)


【課題】被洗浄物に超音波を照射することにより除去された異物が被洗浄物へ再付着することを防止することができる超音波洗浄装置の提供。
【解決手段】超音波洗浄装置であって、少なくとも、超音波を超音波振動子から洗浄液に伝える振動部材と洗浄液の噴出口と吸引口と、を備えており、
前記振動部材は平板状の剛体であり、平板状の超音波振動子に接合されており、
前記洗浄液の噴出口と吸引口は、前期振動部材の表面または前記振動部材が、被洗浄物が載置された平面に形成する垂直投影の内側に配置されていること、を特徴とする超音波洗浄装置。 (もっと読む)


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