【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止するとともに、処理液と他の液体との混合による悪影響を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。続いて、基板回転機構５により基板９が回転することにより、基板９上から除電液が除去された後、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液とＳＰＭ液との混合による悪影響（例えば、除電液中の水とＳＰＭ液中の硫酸との反応熱による基板９の損傷）を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置１では、二酸化炭素溶解ユニット６２により純水に対する二酸化炭素の溶解量を制御することにより除電液の比抵抗が目標比抵抗とされる。続いて、除電液供給部６により、ＳＰＭ液よりも比抵抗が大きい除電液が基板９上に供給され、基板９の上面９１全体が除電液にてパドルされることにより、基板９が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理の終了後に、処理液供給部３により基板９上にＳＰＭ液が供給されてＳＰＭ処理が行われる。これにより、ＳＰＭ処理の際に、基板９からＳＰＭ液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板９の損傷を防止することができる。また、除電液の比抵抗を目標比抵抗に維持することにより、基板９の損傷が生じない範囲で、基板９の除電効率を向上し、除電処理に要する時間を短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる薬液温調装置および薬液温調方法を提供する。
【解決手段】温調槽２０に硫酸を含む薬液を貯留する。温調槽２０の薬液に添加液投入部３０から添加液として水を投入すると、硫酸の水和熱によって薬液の温度が上昇する。調合槽１０には硫酸の新液を貯留する。熱交換部４０を用いて調合槽１０の硫酸の新液と温調槽２０の薬液との間で熱交換を行い、新液を目標温度にまで昇温する。また、必要に応じて調合槽１０の新液を冷却部５０によって冷却する。調合槽１０の新液が予め設定された目標温度に到達した後に、その目標温度の新液を洗浄処理部８に送給する。硫酸と水とが反応することによって発生する反応熱を用いて調合槽１０の新たな薬液を目標温度にまで昇温しているため、ヒータレスにて薬液の温調を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】基板上のパターンにダメージを与えることなくパターンが形成されていない部分を良好に洗浄処理することができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板表面Ｗｆに対し、侵入防止液を供給し、その後凝固対象液を基板表面Ｗｆに供給することにより、パターン間隙内部およびパターン近傍にＨＦＥを残留させる。その後、ＨＦＥは液体のままの状態を維持しながら、凝固対象液を凝固して、パターン間隙内部および近傍の領域を除いた基板表面Ｗｆを凍結洗浄する。パターン間隙内部およびパターン近傍については液体のＨＦＥが残留しているため、凝固対象液が凝固することにより生ずる力を受け流すことが可能となり、その力をパターンに直接伝えることがないため、パターンへのダメージを生ずることなくパターンが形成されていない基板表面Ｗｆ等の領域を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたパターンの破損を回避しつつ、基板に対する洗浄能力を低下させずに洗浄を行うことができる。
【解決手段】基板上を複数の領域に区切り、領域毎にその位置情報とパターン情報を取得する情報取得部１１と、位置情報とパターン情報に基づいて、領域毎に基板に薬液を吐出するときの処理条件を決定する条件決定部１２と、基板に薬液を吐出する吐出部１５と、吐出部１５を基板の一端から他端への第１方向に向かって基板に対して相対的に移動する位置制御部１３と、位置制御部１３により移動される吐出部１５が基板上の領域の上方を通過するとき、前記処理条件に従って吐出部１５から吐出される薬液の圧力を調整する吐出調整部１４とを備える。 （もっと読む）

【課題】置換される液体の種類に応じて処理槽内の流れを調節することが可能な液処理装置等を提供する。
【解決手段】内部に被処理基板Ｗを収容し、液処理が行われる処理槽２２は上部に開口部２２２が形成されると共に、下部には置換液の供給、及び液体の排出が行われる下部ポート２２６が設けられ、この開口部２２２に対して着脱自在に構成された蓋部２３には液体の供給、気体の排出を行うための上部ポート２３４が設けられている。搬送機構４は、保管部５と処理槽２２との間で、上部ポート２３４から供給された液体の流れを調節するために、被処理基板Ｗとの間に交換可能に取り付けられ、互いに開口面積が異なる孔部が形成された第１の整流板または第２の整流板を搬送し、乾燥雰囲気形成部は乾燥防止用の液体が満たされた処理槽２２内を高圧流体の雰囲気とした後、減圧して被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程Ｓ１５と、計測工程Ｓ１５を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程Ｓ１６と、判定工程Ｓ１６において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程Ｓ１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】ナノバブルを含む液体中のナノバブルを生成して基板に供給する際に、ナノバブルの個数を把握して基板の処理ができる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】予め粒径の確定している標準粒子を混合用の液体８１で混合し、標準粒子を混合した混合用の液体中の単位体積当たりの標準粒子の個数をカウンタ８６で計測し、この混合用の液体８１を基準液として、投入したい標準粒子の個数を含む量の基準液をナノバブルＮＢを含む液体Ｌに入れ、粒度分布測定器１００によりナノバブルを含む液体中の標準粒子の粒度分布Ｆ１とナノバブルの粒度分布Ｆ２とを求め、ナノバブルを含む液体Ｌ中の標準粒子の粒度分布Ｆ１のピーク値Ｐ１に対応する標準粒子の個数を基準として、ナノバブルの粒度分布Ｆ２のピーク値Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応するナノバブルの個数を求める。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程における洗浄性能の向上と、被洗浄体に与えるダメージの低減とを図る。
【課題手段】
スポンジローラ１は、湿潤状態で弾性を有するポリビニルアセタール系樹脂多孔質素材によって構成され、略円筒形状のロール体３と、ロール体３の外周面３ａ上に一体形成された複数の突起５とを有し、これら複数の突起５を被洗浄面に回転接触させて被洗浄面を洗浄する。スポンジローラ１を構成するポリビニルアセタール系樹脂は、アニオン性官能基を有する。 （もっと読む）

本発明は、表面が酸化ケイ素の層で覆われているシリコン基板の表面の洗浄方法を提供する。この方法は、上記表面をフッ素化ガスから発生させた高周波プラズマに60秒〜900秒からなる時間暴露させ、上記プラズマによって発生させた出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、上記フッ素化ガスの圧力が1.333Pa〜26.664Pa (10ミリトール〜200ミリトール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップa)；および、上記表面を水素高周波プラズマに5秒〜120秒からなる時間暴露させ、出力密度が10mW/cm²〜350mW/cm²からなり、水素圧が1.333Pa〜133.322Pa (10ミリトール〜1トール)からなり、そして、上記シリコン基板の温度が300℃以下であるステップb)を含む。 （もっと読む）

【課題】短い洗浄時間にて基板の全面を洗浄することができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄ヘッド６０の底面には２０個の吐出孔を所定の配列間隔で一列に並べた孔列ＮＲを４列設けている。また、洗浄ヘッド６０の外壁面には圧電素子が貼設されている。洗浄ヘッド６０の内部に洗浄液を供給しつつ、圧電素子により洗浄液に振動を付与することによって、合計８０個の吐出孔６４から直径が一定である洗浄液の液滴を生成して一定速度にて連続して吐出する。洗浄ヘッド６０から液滴を吐出する際には、カバーリンスノズル８０から基板Ｗの上面にカバーリンス液を吐出して液膜を形成しつつ洗浄ヘッド６０を基板Ｗの中心部と端縁部との間でスキャンさせる。８０個の吐出孔６４から液滴を吐出することによって、短い洗浄時間にて基板Ｗの全面を洗浄することができる。 （もっと読む）

【課題】第１に、基板材に対し強いインパクトで、均一なスプレーが実施され、第２に、もって微細化，高密度化された回路の電子回路基板でも、精度高く安定的に製造可能な、基板材の表面処理装置を提案する。
【解決手段】この表面処理装置６は、電子回路基板の製造工程で使用され、基板材Ａに対し、スプレーノズル７から処理液Ｂを噴射して表面処理する。スプレーノズル７は、２流体ノズルよりなり、処理液ＢとエアーＤを混合して噴射すると共に、基板材Ａとスプレーノズル７間が、５ｍｍ〜４０ｍｍの距離間隔Ｅとなっており、エアーＤと共に噴射された処理液Ｂは、微小粒子となって基板材Ａにスプレーされる。そして基板材Ａに対し、強いインパクトでスプレーされると共に、左右方向Ｆへの水平往復移動により、広く均一にスプレーされる。エアーＤは、圧送源１４のブロワから温度上昇して圧送供給される。 （もっと読む）

【課題】スラリーのような固形分を含んだ薬液であっても、生産に寄与しない使用を抑え且つ効率よく供給できる薬液供給装置および薬液供給方法を提供する。
【解決手段】本発明の薬液供給装置は、順次に交換して設置される先後のドラム1,2などから希釈・供給ユニット6への薬液受入量と、この希釈・供給ユニット6の薬液を生産設備8へ供給する薬液供給量とを基に、制御ユニット20により、現ドラム1(あるいは2)と生産設備8との間の全薬液中における先の薬液容器からの薬液の残存率を演算するとともに、この演算値が前記先の薬液の残存率について予め決めた閾値以下となるようにドレインバルブ13を通じて薬液ドレイン量を制御する。 （もっと読む）

【課題】 薄膜太陽電池パネルに一定間隔で設けられた多数のスクライブ内に付着するパーティクルを確実に除去でき、しかも表面の成膜面に傷を付けたり成膜を剥離したりするおそれがない高圧液噴射洗浄装置を提供する。
【解決手段】 薄膜太陽電池パネルＸの各スクライブＸ２の位置に対応して噴射ノズル３をノズルホルダー２の長手方向に沿って一定の間隔をあけて配列し、ノズルホルダー２をその両側の支持部１３・１４でノズルホルダーの長手方向に移動自在に支持し、太陽電池パネルＸをスクライブＸ２に平行に相対的に搬送しながら、ノズルホルダー２の各噴射ノズル３から一本の直線状に噴射する高圧液を太陽電池パネルＸの多数のスクライブＸ２に対し平行に噴射させて洗浄する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理液の膜厚を均一にすることが可能な基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。
【解決手段】半導体ウェーハＷを保持して回転駆動される回転テーブル１６と、先端部に処理液を半導体ウェーハに向けて噴射する上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１と、制御装置７と、を有し、上部ノズル体５１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第１温度調整ユニット６１及び第１濃度調整ユニット６２を具備し、斜方ノズル体７１は、噴射する処理液の温度及び濃度を調整可能な第３温度調整ユニット７６及び第２濃度調整ユニット７７を具備し、制御装置７は、上部ノズル体５１及び斜方ノズル体７１から噴射する処理液の温度及び濃度の少なくとも一方を調整することで半導体ウェーハＷ上の処理液の液膜の膜厚を調整する。 （もっと読む）

【課題】構成を簡素化し、コストを削減しながら、複数の処理部に処理液を安定して供給可能な処理液供給装置および処理液供給方法を提供する。
【解決手段】薬液キャビネット１は、基板Ｗに処理液による処理を施すための複数の基板処理部５に処理液を供給する。薬液キャビネット１は、複数の成分液供給源１１〜１５と、成分液を導く複数の成分液供給路２１〜２５と、これらの成分液供給路２１〜２５によって導かれた成分液を合流させて混合することにより処理液を生成する混合部７０と、混合部７０から複数の基板処理部５に処理液を分配する処理液分配路７１とを備えている。成分液供給路２１〜２５には、それぞれ自動流量調整弁５１〜５５が介装されている。成分液供給源１１〜１５と自動流量調整弁５１〜５５との間には、成分液レギュレータ３１〜３５が介装されており、成分液供給路２１〜２５の成分液供給圧力を等圧に制御する。 （もっと読む）

【課題】供給しようとする液体に対する不都合を生じさせずに、流量制御器における気泡の発生を確実に防止することができる液供給機構を提供すること。
【解決手段】処理液供給機構３は、処理液タンク２１と、処理液供給配管２２と、処理液の通流断面積を変化させる可変オリフィス部を有する流量制御器２７と、可変オリフィス部より前段の一次側の液圧および後段の二次側の液圧を求める圧力検出器２６，２８と、予め記憶された、処理液の液圧と対応する液圧における溶存可能な気体成分の量との関係から、処理液から気泡が発生し始める一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｓを求め、このΔＰｓの値以下の閾値ΔＰｔを設定し、実際に求められた一次側の液圧と二次側の液圧との差圧ΔＰｅの値がΔＰｔに達したか否かを判断し、ΔＰｅの値がΔＰｔに達したと判断した場合に、処理液の気泡の発生を抑制するように処理液の状態を制御する制御機構３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの処理面内で均一な処理を行なうことができる半導体ウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェハ４に処理を施すための半導体ウェハ処理装置１００であって、半導体ウェハ４を保持するためのウェハカセット１と、ウェハカセット１に配置された半導体ウェハ４の処理面３に対し、その表面が平行に配置された平板状の対向電極５と、処理液７を導入可能な内部空間１８を有し、かつ内部空間１８に半導体ウェハ４、ウェハカセット１および対向電極５を配置可能な処理槽８と、半導体ウェハの処理面３ａ側の処理液７の流速が処理面３ａの裏面３ｂ側の処理液７の流速より速くなるように制御するための処理液供給口６、ポンプ１７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 流体量や流体圧の増加を必要とせずに、短時間で効率的に被洗浄物の全面を洗浄可能なスピンナ洗浄装置を提供することである。
【解決手段】 被洗浄物を保持する保持面を有し回転可能なスピンナテーブルと、該スピンナテーブルに保持された被洗浄物に洗浄流体を供給する洗浄流体供給手段とを備えたスピンナ洗浄装置であって、前記洗浄流体供給手段は、洗浄流体供給源に接続されたアームと、前記アームの先端に配設されて洗浄流体を前記保持面に向かって噴射する洗浄流体噴射ノズルと、前記スピンナテーブルに保持されて所定速度で回転される被洗浄物に対して、該アームの先端が該スピンナテーブルの回転中心を通るように該アームを揺動させる揺動手段とを含み、該洗浄流体噴射ノズルは、該アームの先端にロータリージョイントを介して配設され、該保持面と平行な面において該ロータリージョイントを中心に回転可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】減圧に伴って樹脂成形体等の被処理体が発泡してしまう問題を解決する技術を提供する。
【解決手段】高圧処理チャンバー内で、被処理体と高圧流体とを接触させることで被処理体の高圧処理を行った後、大気圧まで減圧するための高圧処理方法であって、複数の減圧工程を含み、高圧処理直後の第１減圧工程では、上記チャンバー内の高圧流体の密度を略同等に維持しつつ減圧することを特徴とする高圧処理方法である。 （もっと読む）