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Fターム[5F157CE37]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (3,601) | 制御対象 (3,445) | 洗浄液、洗浄剤 (746) | 濃度 (148)

Fターム[5F157CE37]に分類される特許

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【課題】カスケード方式の洗浄装置における菌体の繁殖を簡易な手段で防止することができ、被洗浄物の洗浄効率を向上させることができる洗浄装置及び方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板1がローラー2で搬送され、ジェット洗浄ノズル3及び最終リンスノズル4で洗浄される。最終リンスノズル4に純水が供給される。最終リンスノズル4からの洗浄排水がタンク7に流入し、ポンプ9からノズル3に供給される。タンク7内の菌体数が増加した場合、タンク7内の水をオゾン水供給装置12に循環通水し、タンク7内にオゾン水を供給し、殺菌する。 (もっと読む)


【課題】パターン形成後の配線形状を維持しつつ、銅等の金属不純物と凝集粒子の異物とを除去する。
【解決手段】基材10を準備する工程と、基材10の上方に金属膜20を形成する工程と、金属膜20上にレジスト膜30を形成する工程と、レジスト膜30をマスクとして金属膜20をエッチングして配線20Aを形成する工程と、レジスト膜30を剥離する工程と、基材10を洗浄する工程と、を含み、基材10を洗浄する工程は、酸洗浄液を用いて基材10を洗浄する第1の洗浄工程と、アルカリ洗浄液を用いて基材10を洗浄する第2の洗浄工程とを含む。アルカリ洗浄液の濃度は、当該洗浄液の中に析出される粒子の表面電位が基材10の表面電位と同一極性となる濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度であり、酸洗浄液の濃度は、基材10に残った金属微粒子20aが洗浄液中に溶解する濃度以上で、かつ、配線20Aをエッチングしない濃度である。 (もっと読む)


【課題】処理液の補充による処理液の濃度増加を防止すること。
【解決手段】本発明では、薬液を希釈液で希釈した処理液を設定温度で沸騰させることによって処理液の濃度を設定温度における飽和濃度とし、処理液に基板を浸漬させて基板の処理を行う基板処理装置(1)において、基板(10)を処理液で処理する処理槽(2)と、処理槽(2)に貯留した処理液を設定温度に加熱する処理液加熱手段(5)と、処理槽(2)から処理液を排出する処理液排出手段(6)と、処理槽(2)に処理液を補充する処理液補充手段(7)と、設定温度を変更する設定温度変更手段(8)と、処理液排出手段(6)と処理液補充手段(7)を制御する制御手段(9)とを有し、制御手段(9)は、処理液排出手段(6)で所定量の処理液を処理槽(2)から排出し、設定温度変更手段(8)で変更された設定温度における飽和濃度となる濃度の処理液を処理液補充手段(7)から処理槽(2)に補充するよう制御することにした。 (もっと読む)


【課題】SPM処理の際に、基板上における処理液の温度低下を抑制する。
【解決手段】基板処理装置1では、基板回転機構5により回転する基板9の上面91に向けて処理液供給部3から液体が吐出される。処理液供給部3は、硫酸供給部31、過酸化水素水供給部32、混合液生成部33およびノズル34を備える。基板処理装置1では、硫酸供給部31により加熱された硫酸がノズル34から基板9に供給され、基板9に対する予備加熱処理が行われる。その後、硫酸供給部31からの加熱された硫酸と過酸化水素水供給部32からの過酸化水素水とが混合液生成部33にて混合されてSPM液が生成され、SPM液が基板9に供給されてSPM処理が行われる。予備加熱処理が行われることにより、SPM処理の際に、基板9上に供給された高温のSPM液の温度低下を抑制することができる。その結果、SPM処理の効率を向上することができる。 (もっと読む)


【課題】基板処理機構部に対して外付け接続するだけで、処理液から金属イオンを除去して、金属イオンの除去後に処理液の濃度を調整して基板処理機構部に循環して送ることができ、小型化による設置スペースの減少とコストの低減が可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板処理機構部2に接続されて基板Wの処理に用いた処理液Lを回収する貯留槽3と、貯留槽3内に配置されて基板Wの処理に用いた処理液Lから金属イオンを除去する処理液再生部5と、処理液再生部5により金属イオンを除去した処理液Lの濃度を補正する濃度補正貯留部51,52と、濃度が補正された処理液Lを、濃度補正貯留部51,52から基板処理機構部2に送る送液部71を備える。 (もっと読む)


【課題】 処理液の濃度を直接検出できるため、独立した濃度制御が行え、しかも、レンズの温度変化による測定誤差が生じにくいため、基板の薬液処理を精度良く行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】 燐酸と希釈液を混合してなる処理液中に基板を浸漬して処理を行う基板処理装置において、処理液の吸光特性を測定することで処理液の濃度を検出する濃度検出手段7を備え、濃度検出手段7は、処理液を内部に導入して流通させる光透過部151と、それに所定の波長の光を照射する発光部152と、そこからの光を光透過部151を介して受光する受光部153と、発光部152から発光された光を光透過部151に集光させる第1のレンズ154と、光透過部151を通過した光を受光部153に集光する第2のレンズ155と、これらの少なくともいずれかを冷却する冷却機構160と、を備える。 (もっと読む)


【課題】硫酸の温度の変更に容易に対応可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、硫酸と過酸化水素水とを混合して生成したレジスト剥離液を基板Wの表面に供給する。この基板処理装置は、レジスト剥離液を基板に向けて吐出するノズル2と、ノズル2に向けて過酸化水素水を流通させる過酸化水素水供給路30と、過酸化水素水供給路30上においてノズル2までの流路長が異なる複数の混合位置MP1,MP2,MP3,MP4にそれぞれ接続された複数の硫酸供給路31,32,33,34と、硫酸供給源25からの硫酸を前記複数の硫酸供給路から選択された硫酸供給路に導入する硫酸供給路選択ユニット35とを含む。 (もっと読む)


【課題】液交換後の温調時に内槽ドレイン配管への通液を行うことにより、廃液設備への悪影響が生じることを防止するとともに、装置への悪影響が生じること及びプロセス不良を防止することができる。
【解決手段】制御部33が、古い燐酸溶液を排出した後、処理槽1に新たな燐酸溶液を供給する。その燐酸溶液をポンプAPで外槽5、循環配管7、内槽3に至る通常循環経路で循環させつつ燐酸溶液の温調を行うが、温調が完了するまでに少なくとも一度は内槽ドレイン配管11を通る一時経路に処理液を流通させる。したがって、古い燐酸溶液が内槽ドレイン配管11に残留していたとしても、新たな燐酸溶液で置換することができる。その結果、内槽ドレイン配管11に残留していた古い燐酸溶液に起因して廃液設備に悪影響が及ぶことを防止することができる。 (もっと読む)


【課題】薬液の消費量を抑えながら、基板の処理を均一に行う。
【解決手段】基板1を移動しながら、薬液2が入った薬液タンク23から、可変出力ポンプ25及び制御弁80が設けられた配管24を介して、薬液ノズル21へ薬液2を供給し、薬液ノズル21から基板1へ薬液2を吐出する。薬液ノズル21から基板1へ吐出した薬液2を回収して薬液タンク23へ戻し、薬液タンク23から薬液ノズル21へ供給する薬液2の濃度を検出し、薬液2の濃度の検出結果に応じ、可変出力ポンプ25を制御し又は制御弁80を作動させて、薬液タンク23から配管24を介して薬液ノズル21へ供給する薬液2の量を変更する。 (もっと読む)


【課題】大面積の基板上のCu膜若しくはCu合金膜をウェットエッチングすることによって配線等とする際に、Cu膜にダメージを与えないように剥離し、なおかつ、Cu膜の上に堆積させる層との間の接着力を低下させないフォトレジストの剥離液を用いた剥離液リサイクルシステムを提供する。
【解決手段】主剤と極性溶媒と水からなる混合液およびレジスト成分からなる剥離液を繰り返し使用し、剥離液中のレジスト濃度が所定の値に達したら、剥離液の一部を排出管から排出し、新たな剥離液の供給を受けるレジスト剥離装置と、廃液タンクと、廃液タンク中の剥離液を蒸留する蒸留再生装置と、前記分離液中の主剤と極性溶媒の組成比率を調べる成分検査装置と、分離液の主剤と極性溶媒および水の比率が予め決められた比率になるように不足分の主剤と極性溶媒および水を追加して、混合液を調製する調合装置と混合液を貯留する供給タンクを有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4と、混合槽4にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】洗浄装置との間で液体を循環させつつ、該液体の濃度および量を一定の範囲内に維持可能な管理システムを提供する。
【解決手段】アルコールと純水を含む洗浄液が調製される混合槽4および調整槽20と、混合槽4および調整槽20にアルコールを供給するアルコール供給手段と、混合槽4および調整槽20に純水を供給する純水供給手段と、混合槽4と洗浄装置100との間で洗浄液を循環させる循環手段と、混合槽4内の洗浄液の量を測定する液量測定手段と、洗浄液の成分濃度を測定する濃度測定手段と、液量測定手段の測定結果に基づいて液量調整処理を実行する第一の制御手段と、濃度測定手段の測定結果に基づいて濃度調整処理を実行する第二の制御手段と、必要に応じて調整槽20の洗浄液を混合槽4へ供給する補充処理を実行する第三の制御手段とを有する。 (もっと読む)


【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第1循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】濃度測定後の過硫酸含有硫酸溶液の利用を妨げることなく、過硫酸含有硫酸溶液中の過硫酸濃度を的確に測定することができる過硫酸濃度の測定方法及び過硫酸濃度測定装置並びに該測定装置を有する過硫酸供給装置を提供する。
【解決手段】過硫酸含有硫酸溶液に接液される作用極3a及び参照極3bと、参照極3bに対する作用極3aの電位を掃引し、その際の応答電流を測定するポテンショスタット4と、作用極3aの電位が予め設定した負の電位にあるときにポテンショスタット4により測定された第1の電流値に基づいて全酸化剤濃度を求めるとともに、作用極3aの電位が予め設定した正の電位であるときにポテンショスタット4により測定された第2の電流値に基づいて過酸化水素濃度を求める酸化剤濃度判定部5と、酸化剤濃度判定部5で求められた全酸化剤濃度と過酸化水素濃度とに基づき過硫酸濃度を判定する過硫酸濃度判定部6とを有する。 (もっと読む)


【課題】微細気泡を用いた基板処理能力低下を防止すること。
【解決手段】微細気泡を含む処理液S2を生成する微細気泡発生装置3と、微細気泡を含む処理液S2を吐出するノズル5と、微細気泡発生装置3とノズル5を接続する配管4bと、前記配管4b途中で配管内壁に付着した気泡を取り除く排気機構を設ける。ここで、排気機構は、内側の配管41a、この内側の配管41aと外側の配管41bとの間に形成された空間K、ポンプP2によって構成される。 (もっと読む)


【課題】より低コストかつ省資源な洗浄を行うために、ガス溶解水を用いた高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄のみにより、超音波洗浄を組み合わせる必要がない程度に十分な洗浄効果をあげる洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄流体吐出ノズルから洗浄液又は洗浄液と気体との混合流体を被洗浄物に向けて吐出させて、被洗浄物を高圧ジェット洗浄又は二流体洗浄する洗浄方法において、流体吐出ノズルに導入される洗浄液に溶存ガスを含ませる。溶存ガスは、所定の圧力が加えられることにより洗浄液に溶解され、溶存ガスの洗浄液への溶解量は、洗浄液の液温における飽和溶解度を第1飽和溶解度とし、洗浄液の液温を保ったまま所定の圧力を加えた状態における飽和溶解度を第2飽和溶解度とした場合に、第2飽和溶解度と第1飽和溶解度との差の10〜70%を第1飽和溶解度に加えたものとする。 (もっと読む)


【課題】キャリアガスの流量に比べて収容室の容積が大きい場合のように、収容室の圧力が上昇又は低下しにくい場合であっても、濃度を低下又は上昇させるときの制御応答を向上できる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】収容室10にキャリアガスを導入する導入管20に流量制御器50を設け、材料ガス及びキャリアガスからなる混合ガスを導出する導出管30に濃度制御器40を設け、流量制御器50が、測定計46で測定した測定濃度示唆値と設定値との偏差の絶対値が所定値以下である第1状態においては、流量計51で測定した測定流量が予め定められた基準値となるように、第2調整バルブ52の開度を調整する一方、偏差の絶対値が所定値よりも大きく、測定濃度示唆値が設定値よりも大きい第2状態においては、測定流量が基準値よりも増加するように第2調整バルブ52の開度を調整する第2バルブ制御部54を具備するようにした。 (もっと読む)


【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1Aは、循環路と、濃度センサ21と、制御部26とを備える。循環路は、キレート過水液100を用いてガラス基板200の洗浄を行なう洗浄槽10と、キレート過水液100を一時的に貯留する貯留槽16と、これら洗浄槽10および貯留槽16を接続する送り管18および戻し管15とを含んでいる。濃度センサ21は、キレート過水液100の濃度を検出するためのものであり、送り管18に設けられている。制御部26は、濃度センサ21によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽16に供給することでキレート過水液100の濃度管理を行なう。 (もっと読む)


【課題】汎用の洗浄装置を用いても十分な除去速度を達成することができるフォトレジストの除去方法を提供する。
【解決手段】バッチ処理式洗浄装置10は、大気に開放され、過飽和オゾン水14を貯留する浸漬槽11と、過飽和オゾン水14を浸漬槽11の底部から供給する過飽和オゾン水供給配管12と、過飽和オゾン水供給配管12内を流れる過飽和オゾン水14の流量を調節するニードルバルブ13とを備える。枚葉処理式洗浄装置20は、過飽和オゾン水14を吐出してフォトレジストに吹き付けるためのノズル21と、過飽和オゾン水14をノズル21に供給する過飽和オゾン水供給配管22と、過飽和オゾン水供給配管22内を流れる過飽和オゾン水14の流量を調節するニードルバルブ23と、フォトレジストが表面に形成されたシリコンウェーハ15をノズル21に対向させて載置する載置台24とを備える。 (もっと読む)


【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 (もっと読む)


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