【課題】複数の基板に超臨界流体を効果的に噴射する基板処理装置及び基板処理方法が提供される。
【解決手段】本発明の実施形態による基板処理装置は、処理が遂行される空間を提供するハウジング４１００と、ハウジング４１００の内部に互いに上下方向に離隔されて配置され、各々複数の基板Ｓの縁を支持する複数の支持部材４３２０と、を包含する。 （もっと読む）

【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、キャリア２に液処理を施す液処理部１０と、液処理後のキャリア２が搬送される搬送部２０とを有する。搬送部２０は、搬送レール２１と、液切処理部２２とを有する。液切処理部２２は、回転テーブル２４と、回転テーブル２４上に固定され、搬送レール２１から搬送されるキャリア２を水平状態に保持する回転レール２３と、回転テーブル２４を回転駆動し、回転レール２３に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 （もっと読む）

【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物（ＡＭＣ、ＶＯＣ）および／または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具（１）の処理方法であって、
前記輸送支持具（１）上の処理されるべき表面（１ａ）から異物を除去するために前記処理されるべき表面（１ａ）がその間に準大気圧のガス圧（ＰＳＡ）と赤外線（ＩＲ）との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断／回復されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Ｗの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器３１内に高圧流体を供給する際、流体供給路３５１に設けられた遮断部を開き、流量調整部３５４により流量を調整した状態で開閉弁３５２を開いて処理容器３１に高圧流体を導入し（または原料流体を処理容器３１内で高圧流体に変化させ）、基板Ｗの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁３５２と減圧弁３４２とを開き、処理容器３１に接続された排出路３４１を介して流体供給路３５１と処理容器３１とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Ｗを当該処理容器３１から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽から引き上げた基板の下端部に液滴が残って不純物やパーティクル等が基板に残留するのを抑制することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】洗浄液を貯留し、該洗浄液に対して基板を浸漬することができる洗浄槽と、前記洗浄槽の上方に配置され、前記基板を収容可能な乾燥室と、複数の基板を直立に保持し、前記洗浄槽と前記乾燥室とを往復可能に設けられる基板保持搬送部と、前記乾燥室に設けられ、前記乾燥室内へ有機溶剤の蒸気を供給する第１の供給部と、前記基板保持搬送部により前記乾燥室において保持される前記基板の下端部に乾燥ガスを供給可能な第２の供給部とを備える基板処理装置により上記課題が達成される。 （もっと読む）

【課題】気体供給手段から供給される乾燥用気体の供給量を制御することにより、基板へのパーティクル等の付着を防止し、基板の処理環境を一様にできる
【解決手段】ステップＳ４の基板搬出動作において、チャンバー１１内を陽圧にすべきか、負圧にすべきかが判断される（ステップＳ４２）。チャンバー１１内を陽圧にすべきと判断された場合、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を増加させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３の開口が絞られる（ステップＳ４３）。チャンバー１１内を負圧にすべきと判断された場合、制御部４５は、ドライエア供給装置３１に内蔵された発生器内インバータを調整して、ドライエアの供給量を減少させるとともに、電動ダンパ３７及び流量制御弁４３を開放している（ステップＳ４４）。 （もっと読む）

【課題】基板の下面に薬液を吐出するノズルと、基板の下面に処理液とガスを混合した二流体を吐出するノズルとを有する液処理装置において、ガス吐出用のラインに薬液が侵入することを防止する。
【解決手段】装置は、基板の下面に薬液を含む処理流体を吐出するための第１の吐出口６１と、基板の下面に処理液とガスとを混合した二流体を吐出するための第２の吐出口６２と、を有するノズル６０とを備える。ノズルの第２の吐出口の部分において第２の吐出口に処理液を導くための処理液吐出路６７ｂと第２の吐出口にガスを導くためのガス吐出路６８ｂが合流している。二流体スプレー処理を実行する際は、二流体スプレー処理の実行に必要な第１の流量でガスが第２の吐出口に流され、二流体スプレー処理を実行しない場合には、少なくとも第１の吐出口から第１の薬液が吐出されているときには、第１の流量よりも少ない第２の流量でガスが第２の吐出口に流される。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中の不純物を低減することで基板上の微粒子等を確実に除去すること。
【解決手段】純水ＰＷを加熱沸騰させて水蒸気を発生させる石英ガラス製の水蒸気発生容器１１０と、水蒸気発生容器１１０に純水ＰＷを供給する純水供給部４００と、水蒸気発生容器１１０で発生した飽和水蒸気ＳＶを加熱して過熱水蒸気ＨＶを生成する石英ガラス製の過熱水蒸気生成容器１５０と、過熱水蒸気生成容器１５０で発生した過熱水蒸気ＨＶを基板Ｗの表面に噴射させる基板処理装置３００とを備えている。 （もっと読む）

【課題】乾燥不良が生じることを抑制しつつ、基板を均一に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】ＤＩＷの液膜が形成されたウエハＷの表面に、処理液ノズル３からＤＩＷを供給させつつ、ガスノズル４から窒素ガスを供給させて、前記表面の周縁に、前記液膜除去された液膜除去領域Ｔを形成させる（図４（ｂ））。その後、ガスノズル４から前記
表面への窒素ガスの供給位置を、当該表面の中心部（中心Ｏおよびその近傍）に移動させることにより、液膜除去領域Ｔ内に中心Ｏを配置させる（図４（ｃ））。そして、液膜除去領域Ｔが前記中心部に配置された状態で、ウエハＷを所定の高回転速度まで加速回転させるとともに、前記窒素ガスの供給位置を前記周縁に向けて移動させることにより、液膜除去領域Ｔを拡大させつつＤＩＷを前記表面から排除していく（図４（ｄ））。 （もっと読む）

【課題】基板表面に付着したパーティクル等の汚染物質を除去するための基板処理装置および基板処理方法において、高いスループットを得られ、しかも優れた処理性能でパーティクル等を除去する。
【解決手段】凍結後の液膜ＬＦ（凝固膜ＦＦ）の到達温度を低くすることによってパーティクルの除去効率を高めることができる。しかも、基板表面Ｗｆ全体に凝固膜ＦＦが形成される前後で冷却ガスの流量を変更しているので、処理に要する時間を短縮しながら優れた処理性能でパーティクル等を除去することができる。特に、液膜ＬＦを凍結させる段階での冷却ガスの流量については基板表面Ｗｆ上の液膜ＬＦを吹き飛ばさない程度に抑えることが必要であるが、凝固膜ＦＦが全面形成された後の段階ではこのような制約がなく、冷却ガスの流量を多くすることが可能であり、これにより冷却能力を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の端部領域におけるレジスト表面難溶化層の剥離及び再付着で生じるスジ状欠陥の発生を抑制する。
【解決手段】基板１の板厚中心に位置する中央面を含む仮想平面１ｂより上方に位置する上方吹き出し部２ａから、基板を乾燥させるための第１の気流４を基板に向けて斜め下向きに供給し、かつ仮想平面より下方に位置する下方吹き出し部２ｂから、基板を乾燥させるための第２の気流５を基板に向けて斜め上向きに供給しながら、基板が上方吹き出し部と下方吹き出し部との間を、端部領域を基板先頭部として通過するように、上方及び下方吹き出し部と、基板と、を相対移動させる。第２の気流の仮想平面と垂直な上向きの速度成分が、第１の気流の仮想平面と垂直な下向きの速度成分より小さくなるように第１及び第２の気流を制御する。 （もっと読む）

【課題】洗浄液の液滴が噴射されるべき箇所における基板の表面の洗浄液の液膜の厚さを制御して所望の厚さで一定にすることができ、基板のデバイスパターンの破壊を抑制しながら、基板の表面に付着したパーティクル等を十分に除去することができ、基板に対する洗浄性能を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置１は、保持部１２により保持された基板Ｗに対して洗浄液の液滴を噴射する二流体ノズル３０と、保持部１２により保持された基板Ｗにガスを噴射するガスノズル４０と、を備えている。保持部１２により保持された基板Ｗにおいてガスノズル４０によりガスが噴射される位置が二流体ノズル３０により洗浄液の液滴が噴射される位置よりも基板Ｗの回転方向において上流側となるよう、二流体ノズル３０およびガスノズル４０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】欠陥の発生を抑制することができる基板乾燥方法、制御プログラム及び基板乾燥装置を提供すること。
【解決手段】基板乾燥装置１は、リンス液ノズル２０と、乾燥気体ノズル３０と、リンス液ノズル２０及び乾燥気体ノズル３０を移動させる移動機構４０と、基板Ｗを回転させる回転機構１０と、制御プログラムがインストールされた制御装置５０とを備える。制御装置５０の制御プログラムで実行される基板乾燥方法は、乾燥気体流Ｇｆが基板Ｗに衝突する範囲に基板Ｗの回転中心Ｗｃが存在する範囲である中心エリアを乾燥させる工程と、中心エリアの外側を乾燥させる工程とを備える。乾燥気体流Ｇｆに含有するＩＰＡが、中心エリア乾燥工程中は２ｍｏｌ％未満を維持し、外側エリア乾燥工程では中心エリア乾燥工程中よりも高濃度とする。これで、遠心力が小さい中心エリアで欠陥の発生を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】材料ガスの濃度をある設定濃度で一定に保っている際において、材料ガスの分圧が非常に低くなり、バルブの可動範囲内では材料ガスの分圧に対応した全圧を達成することができず、材料ガスの濃度を設定濃度で一定に保てなくなるような状況が生じることを防ぐことができる材料ガス濃度制御システムを提供する。
【解決手段】材料気化システム１００に用いられるものであって、前記導出管１２上に設けられる第１バルブ２３と、前記混合ガスにおける前記材料ガスの濃度を測定する濃度測定部ＣＳと、前記濃度測定部ＣＳで測定された前記材料ガスの測定濃度が、予め定められた設定濃度となるように前記第１バルブ２３の開度を制御する濃度制御部ＣＣと、前記タンク内の温度を設定温度となるように温調する温調器４１と、前記温調器の設定温度を設定する温度設定部４２とを備えた。 （もっと読む）

【課題】
多層膜成膜した基板を、回転させながら基板に裏面側から処理液を供給する基板処理方法では、基板の回転数を一定にした従来の基板の周辺処理方法では、周辺部の多層膜のエッチングレートの差により、庇（ひさし）が発生し、次工程への汚染拡散の原因となる。
【解決手段】
処理対象の層を変更し、基板処理液を変更するごとに基板の回転数を増加させながらエッチングすることで、外周のエッチング領域を外側に狭めていくエッチング処理が出来、周辺部の庇の発生を防止し、汚染拡散のない周辺洗浄が可能となる。 （もっと読む）

【課題】異なる温度の二つの液を、それぞれ、所望の温度で吐出することができる処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置１０は、第１の液を吐出する吐出開口３０ａを有した第１供給ライン３０と、第２の液を吐出する吐出開口４５ａを有した第２供給ライン４５と、第１および第２の供給ラインの吐出開口を支持する支持部材６０を有した処理ユニット５０と、を有する。支持部材は、前記仕切り部材６３を有する。第１および第２供給ラインの一方が仕切り部材の一側を延び、他方が仕切り部材の他側を延びている。 （もっと読む）

【解決手段】板状物品を乾燥させるための方法が開示される。該方法は、水性すすぎ液によるすすぎと、有機溶媒による後続のすすぎとを含み、有機溶媒は、２０重量％未満の含水量を有し、有機溶媒は、少なくとも３０℃で、かつ６０℃を超えない溶媒温度で供給される。 （もっと読む）

本発明の目的は、ウエハの損傷を低減することができ、ガスの使用量を低減することができるウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法を提供することである。本発明は、ウエハ乾燥装置およびこれを用いたウエハ乾燥方法に関する。当該装置は、側面に第１の回転軸が固定され、上部に移動可能な第２の回転軸が形成され、下部に第１の排水口が形成されているチャンバと、上記第１の回転軸と上記第２の回転軸に固定され、ウエハを実装するカセットが端部に固定されるチルトアームと、上記カセットにＩＰＡ／窒素ガスを供給する第１のノズルと、上記第２の回転軸を第１の方向または第２の方向に移動させるスクリューと、上記スクリューを回転させる駆動モータと、を備える。 （もっと読む）

【課題】噴射ノズルおよび噴射ノズルを揺動する支持アームの汚染を防止することができるウエーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】表面に水溶性の保護膜が被覆されたウエーハをスピンナーテーブルに表面を上側にして保持し、スピンナーテーブルを回転するとともに洗浄水噴射ノズルから洗浄水をウエーハの表面に向けて噴射しつつ洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで移動することにより、ウエーハの表面に被覆された保護膜を洗浄し除去するウエーハの洗浄方法であって、洗浄水噴射ノズルを支持し洗浄水噴射ノズルをウエーハの回転中心を通る領域から外周まで揺動する支持アームが、揺動範囲において洗浄水噴射ノズルよりスピンナーテーブルの回転方向上流側に位置するように設定されている。 （もっと読む）