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Fターム[5F157CE54]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 検知制御 (3,601) | 制御対象 (3,445) | 乾燥気体、蒸気 (240) |  (76) | 排気量 (21)

Fターム[5F157CE54]に分類される特許

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【課題】電子製品用の基板に付着した異物を除去する異物除去装置において、エアー射出による異物への除去作用を維持しながらも異物の拡散による再汚染を防止し、充分な異物除去能力を得ることができる。
【解決手段】この発明の異物除去装置においては、異物除去処理を行う際に基板1上部に隙間を空けて対向して配置される異物飛散防止板3と、異物飛散防止板3の外周に設けられる囲い板4と、異物飛散防止板3に開口して設けられるエアー射出部5と、エアー射出部5と囲い板4の間に開口して設けられるメインエアー吸引部6およびサブエアー吸引部7とを備えるものである。 (もっと読む)


【課題】 輸送支持具の固定時間を短縮し、輸送支持具の壁の満足のいく清浄度を保証するために使用される、洗浄ステージ後の、異物、特に分子汚染化合物(AMC、VOC)および/または湿気の除去を大幅に改善かつ加速する、方法、ならびに輸送支持具用の処理ステーションを提案する。
【解決手段】 基板の運搬および保管のための輸送支持具(1)の処理方法であって、
前記輸送支持具(1)上の処理されるべき表面(1a)から異物を除去するために前記処理されるべき表面(1a)がその間に準大気圧のガス圧(PSA)と赤外線(IR)との複合作用にさらされる処理ステージを含み、前記赤外線は断続的赤外線であり、材料の温度を最高許容温度を超えない温度設定あたりで維持するために、満足のいく継続時間にわたって交互に切断/回復されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 乾燥すべき基板が大サイズとなった場合においても、装置コストや稼働コストを低減しながら基板を確実に乾燥させることができ、また、装置のメンテナンスを容易に実行することが可能な乾燥装置を提供する。
【解決手段】 移動支持部を構成する整流板41と接続する一対の仕切板47に連結された10本の支持棒31およびその支持棒31に配設された支持ピン32を、一対のスライドレール71の作用により、メンテナンス位置に移動させる。そして、扉部62を側壁61から取り外すことにより、オペレータがメンテナンス空間にアクセスすることが可能となる。 (もっと読む)


【課題】1つの処理室における処理状況によりは排気圧が大きく変動することはなく、排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。
【解決手段】SC1処理、ふっ酸処理、IPA蒸気による置換処理の場合、個別排気管のいずれかが開放されているとき、遮蔽板115は開放されている個別排気管に対応する開放口65,75を閉塞するとともに、閉塞されている個別排気管に対応する開放口65,75を開放しているので、この開放口65,75からはエアが導入されている。これにより、1つの処理室における酸系の処理時、アルカリ系の処理時等とでは排気圧が大きく変動することはなく、この排気圧の変動にともなうウエハへのパーティクルの付着を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体10は、蒸気室12と、空気室14と、蒸気室12に通じる蒸気入力口15と蒸気噴射口16と蒸気排気口17と、空気室14に通じる空気入力口18とを有し、蒸気室内12には、噴射用バルブ20と排気用バルブ30を有し、空気入力口18から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ20と排気用バルブ30を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口15から入力された蒸気を、蒸気噴射口16から噴出させ、待機時には、蒸気排気口17から排気させる。 (もっと読む)


【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング(RIE)装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体2と筐体2内に配置された高周波電圧を印加する平板電極13と平板電極13上に配置される複数の基板4を覆蓋するプレート部材5とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材5がアースに接続されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】加熱対象となる基板以外に加熱の影響が及ぶことを防ぎつつ、基板に過剰なストレスを与えることなく、塗布液または熱硬化性の部材を効率的に均一に乾燥させることができる、局所加熱装置を提供する。
【解決手段】基板1を搬送する搬送手段と、側部周囲を囲まれ上下に開口を有する空間11が形成され、上部開口端の全周が基板1の下面と接触して基板1を支持する基板支持部材4とを備える。また、基板支持部材4が基板1を支持した状態で上記空間11の内部に位置し、基板1の加熱対象となる局所位置の下面側に熱風を噴射して、非接触な状態で局所位置を加熱する非接触加熱手段3と、上記空間11と連通するように接続され、空間11に存在する空気を排出する排気手段とを備える。 (もっと読む)


【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック10に保持された基板Wの表面へ液体供給ノズル62から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ44内へ気体供給ノズル64から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 (もっと読む)


【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ,しかも排気量を低減させることができる,基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハWを洗浄するウェハ洗浄装置5であって,APM及び純水を供給する供給ノズル34と,ウェハWを保持するスピンチャック31と,スピンチャック31を収納する容器30とを備え,容器30は内処理室42と外処理室43を備え,スピンチャック31に対して容器30を昇降自在に構成し,内処理室42にAPM及び室内雰囲気を排出する第1の排出回路50を接続し,外処理室43に純水及び室内雰囲気を排出する第2の排出回路51を接続し,APMを供給ノズル34から再びウェハWの表面に供給するように構成した。 (もっと読む)


【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口2aから処理室1に搬入される基板Sに対して剥離液を供給した後、基板Sを搬出口3aから搬出するように構成される。搬出口3aの近傍には、基板Sに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第1エアナイフ13,13が配置され、搬入口2aの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第2エアナイフ14,14が設けられる。コントローラ30は、第1エアナイフ13,13によるエアの吐出動作中に第2エアナイフ14,14からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 (もっと読む)


【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源2と光透過窓3とを有するランプハウス4と、光透過窓3と被照射物Pとの間の空間Sに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段5とを備え、ランプハウス4は、不活性ガスを導入するためのガス導入口7と、不活性ガスを排出するためのガス排出口8とを有しており、ガス排出口8から排出された不活性ガスをガス導入手段5に送る回送流路6が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置1。 (もっと読む)


【課題】基板表面に形成された厚膜等の被乾燥物を乾燥むらなく短時間で乾燥させることができる基板の乾燥方法及び乾燥炉を提供する。
【解決手段】溶剤を含む被乾燥物が表面に形成された基板を、その被乾燥物形成面側を上方にして乾燥炉内に略水平に設置し、ガス供給手段から出力される溶剤ガスを加熱し、その加熱溶剤ガスを基板下部から供給して基板上の被乾燥物を乾燥させ、被乾燥物の上方近傍の溶剤ガスの溶剤濃度を測定し、溶剤濃度が所定の濃度となるように溶剤ガス供給手段の出力溶剤濃度を制御する。 (もっと読む)


【課題】洗浄槽及び乾燥槽を薄型化することができ、これにより洗浄装置及び乾燥装置の占める面積を小さくするとともに、洗浄及び乾燥に用いる流体の量を減少させることができ、さらにウオーターマークがつきにくい洗浄装置及び乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽内の洗浄用流体により、前記洗浄槽に配設された板状の被処理物を洗浄またはリンスする洗浄装置であって、前記洗浄槽は、一側壁と装置躯体が当接することによって扁平ボックス状に構成されて内部空間が密閉され、前記一側壁は、前記洗浄槽において被処理物の表面又は裏面が臨む面であり、かつ、洗浄槽内に臨む面に隙間形成部材を配してなり、前記被処理物は、前記隙間形成部材に接触しつつ起立した状態で保持され、洗浄槽の一側壁と、一側壁に対向する側壁との間で両側壁から離間した位置で洗浄されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】排気を分散させることによって乾燥不良を防止することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】真空ポンプによって排気機構75を介してチャンバ内の気体を排出するが、排気機構75はチャンバ内の気体を複数箇所から排気するので、チャンバ内において排気が偏りにくい。したがって、溶剤ノズルによってチャンバ内に形成された溶剤蒸気雰囲気が偏ることを防止でき、処理液から露出された基板Wに付着している液滴が偏って引かれることを防止できる。その結果、基板の乾燥不良を防止することができる。 (もっと読む)


基材の処理を容易にするためにプラズマ処理環境内のプラズマ均一性を管理する統合ステアアビリティアレイ配置が提供される。配置は、電気素子のアレイを含む。また、配置は、ガスインジェクタのアレイを含み、電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイは複数のプラズマ領域を形成するように配置され、複数のプラズマ領域の各プラズマ領域は実質的に同じである。配置は、さらに、ポンプのアレイを含み、ポンプのアレイの個々は電気素子のアレイおよびガスインジェクタのアレイの中に組み入れられている。ポンプのアレイは、プラズマ処理環境内の均一なプラズマ領域を維持するために排ガスの局所的除去を容易にするように構成される。 (もっと読む)


【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部71が真空ポンプ49でチャンバ27内を減圧させた状態で、溶剤ノズル33から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ69で測定配管61にチャンバ27内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計67により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】乾燥工程において、半導体ウェハ表面が汚染されることを防止することのできる、スピン乾燥装置を提供すること。
【解決手段】スピンウェハ乾燥装置1は、半導体ウェハWを内部に収容する有底円筒形状のチャンバ3と、チャンバ3の円筒内側面に形成された排気口33に接続され、半導体ウェハWを回転させることにより、外方に飛散した半導体ウェハW表面に付着した液体を捕集して強制的に外部に排出する排気手段7と、蓋部材4に対して所定の隙間Dを設けて配置され、該隙間Dが外周端部でチャンバ3内部の空間と連通する内蓋部材5と、蓋部材4に形成され、内蓋部材5と対向位置に開口する蓋部排気口43と、蓋部排気口43に接続され、チャンバ3内部の液体分を含む気体を強制的に外部に排出する蓋部排気手段8とを備えている。 (もっと読む)


【課題】基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダクト20の内部に処理槽4が設けられている。処理槽4内で処理液により基板Wの洗浄処理が行われる。また、ダクト20にはドライエア供給ダクト62および排気ダクト63,91,92が取り付けられている。ドライエア供給ダクト62および排気ダクト63は処理槽4の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト91,92は、ドライエア供給ダクト62および排気ダクト63の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト62を通して基板WにドライエアDFが供給される。基板Wに供給されたドライエアDFは排気ダクト63,91,92から排気される。 (もっと読む)


【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具330において、背板333の正面には、4本のアーム341〜344が取り付けられている。各アーム341〜344は、水平方向に延びている。背板333の背面には、4本のアーム341〜344に対応して4個のモータが取り付けられている。各アーム341〜344の軸心と垂直な方向における断面は、楕円形状となっている。各アーム341〜344に形成された径小部345に基板Wの外周端部が挿入される。それにより、複数の基板Wが各アーム341〜344の径小部345の外周面により保持される。基板Wが処理槽から引き上げられ、各アーム341〜344と基板Wとの当接部が処理液の液面に位置する際に、モータが各アーム341〜344を回転させる。 (もっと読む)


【課題】ウォーターマークを発生させることなく、基板の上面を良好に乾燥させる。
【解決手段】洗浄処理が終了すると、遮断板2がスピンチャック1に保持されたウエハWの上面に近接した位置に配置される。そして、液体供給口252aからウエハWの上面に純水が供給される。ウエハWの上面に供給された純水は、ウエハWの上面に拡がり、その表面張力でウエハW上に液膜となって溜められる。この液膜形成のための液盛りが行われている間に、第1乾燥ガス供給口251aおよび第2乾燥ガス供給口26aから窒素ガスが供給されて、ウエハW上の純水の液膜と遮断板2との間の空間の雰囲気が窒素ガスに置換される。その後、IPAベーパ供給工程が行われる。IPAベーパ供給工程では、第1乾燥ガス供給口251aからウエハWの上面の中央部に向けて、IPAベーパを含む窒素ガスが供給される。 (もっと読む)


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