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Fターム[5F157CF04]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | ポンプ (170)

Fターム[5F157CF04]に分類される特許

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【課題】処理液を廃棄することなくフィルタに蓄積される気泡を効率よく除去することが可能な処理液供給装置、基板処理装置、気泡の除去方法および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板の処理時には、フィルタ250により気泡が除去された処理液が配管L9,L11を通してノズル28に供給される。気泡の除去時には、バルブv5が開放されるとともにバルブv2が閉止されることにより、気体を含む処理液がフィルタ250から配管L8を通して気液分離トラップタンク230に戻される。気液分離トラップタンク230内の上部空間に一定量の気体が蓄積されることにより気液分離トラップタンク230内の処理液の液面が予め定められた所定の位置まで低下した場合に、バルブv5が閉止されるとともにバルブv2が開放される。 (もっと読む)


【課題】構造の簡素化と流通させる液体の清浄度向上との両立を図り、液体の供給停止後に生じる使用部における液垂れを抑制することができる新たな構造を備えた液体供給装置を提供する。
【解決手段】液体の供給部10と、液体の使用部20と、供給部から使用部へ液体を流通させる供給配管部30とを有する液体供給装置1Aであって、供給配管部は、供給部側から供給される液体を流通させる主配管部31と、主配管部に接続されるアスピレータ50と、アスピレータにより分岐され使用部側に液体を供給する使用側配管部32及び副配管部33と、副配管部に接続され開閉機能を有する弁16とを備えており、アスピレータの主流路側に主配管部及び副配管部が接続され、アスピレータの吸引流路側に使用側配管部が接続される。 (もっと読む)


【課題】基板上への処理液の落下を回避でき、かつすぐれた生産性を実現できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、処理液を加圧して送り出すポンプ5と、処理液供給路6と、処理液供給路6から分岐した第1、第2および第3分岐路11,12,13とを有する。基板処理装置は、さらに、第1、第2および第3分岐路11,12,13にそれぞれ接続され、第1、第2および第3処理ユニット1,2,3にそれぞれ配置された第1、第2および第3ノズルN1,N2,N3を有する。第1、第2および第3分岐路11,12,13には、第1、第2および第3一次側バルブP1,P2,P3が介装されている。制御装置7は、第1一次側バルブP1を閉じるときに、ポンプ5を駆動状態に保持したまま、第2一次側バルブP2または第3一次側バルブP3を開く。 (もっと読む)


【課題】半導体基板上に生じるパーティクルを低減する半導体基板の超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】本実施形態によれば、半導体基板の超臨界乾燥方法は、半導体基板を、表面がアルコールで濡れた状態でチャンバ内に導入する工程と、前記チャンバ内に二酸化炭素の超臨界流体を供給する工程と、前記半導体基板上の前記薬液を前記超臨界流体に置換する工程と、前記チャンバから前記超臨界流体及び前記アルコールを排出し、前記チャンバ内の圧力を下げる工程を備える。さらに、前記チャンバ内の圧力を下げた後に、前記チャンバ内に酸素ガス又はオゾンガスを供給し、ベーク処理を行う。 (もっと読む)


【課題】高圧流体と接触させて基板に付着した液体を除去する処理を実施する過程で、基板にパーティクルが付着しにくい基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Wの表面の乾燥防止用の液体を除去する処理が行われる処理容器31内に高圧流体を供給する際、流体供給路351に設けられた遮断部を開き、流量調整部354により流量を調整した状態で開閉弁352を開いて処理容器31に高圧流体を導入し(または原料流体を処理容器31内で高圧流体に変化させ)、基板Wの表面から乾燥防止用の液体を除去するステップと、次いで、前記遮断部を遮断状態とする一方、開閉弁352と減圧弁342とを開き、処理容器31に接続された排出路341を介して流体供給路351と処理容器31とを併せて減圧するステップと、その後、前記基板Wを当該処理容器31から搬出するステップと、を実行するように制御信号を出力する。 (もっと読む)


【課題】 設備コスト、設置場所の縮小を図ることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】 基板Wに対して剥離処理と洗浄処理を行なう基板処理装置において、導入された空気を窒素ガスと酸素ガスのガス成分に分離して取り出し可能とするガス分離モジュール9と、この分離モジュール9から分離取り出された窒素ガス、酸素ガスをそれぞれ用いたマイクロナノバブル発生装置5、6を設け、各発生装置で発生した微小気泡を剥離部2、洗浄部3にそれぞれ供給する。 (もっと読む)


【課題】処理流体による液体の除去能力の低下を抑制しつつ、基板の表面に付着した液体を除去することが可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器1では基板W表面の乾燥防止用の液体に、超臨界状態または亜臨界状態である高圧状態の処理流体を接触させて、前記乾燥防止用の液体を除去する処理を行うにあたり、昇圧ポンプ2は供給ライン51を介して処理容器1に処理流体を供給して高圧状態の処理流体雰囲気とし、次いで、この昇圧ポンプ51よりも吐出流量の大きな循環ポンプ3にて、処理容器1内の流体を循環ライン53に循環させた後、処理容器1内の流体を排出ライン52から排出する。 (もっと読む)


【課題】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させるにあたって、パターン倒壊を防止すること。
【解決手段】表面に凹凸のパターンが形成された基板上の液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥方法は、前記基板に昇華性物質の溶液(SL)を供給して、前記パターンの凹部内に前記溶液を充填する昇華性物質充填工程と、前記溶液中の溶媒を乾燥させて、前記パターンの凹部内を固体の状態の前記昇華性物質(SS)で満たす溶媒乾燥工程と、前記基板を前記昇華性物質の昇華温度より高い温度に加熱して、前記昇華性物質を基板から除去する昇華性物質除去工程と、を備えている。 (もっと読む)


【課題】基板処理に伴うパーティクルの再付着を抑制するとともに、基板処理の均一性を向上する。
【解決手段】処理槽内の液面レベルを、処理槽内に保持される基板よりも下の液面レベルに制御し、その処理液を、第1循環手段に備えられた第1吐出部から基板に向けて処理槽内で空中吐出する。そのため、基板は処理槽内に貯留された処理液と接触することがなく、基板処理に使用した後の処理液中に含まれるパーティクルが基板に再付着することを防止できる。 (もっと読む)


【課題】液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第1開口と、前記側面に位置する第2開口と、を有する処理槽と、前記第2開口に設けられた導入部と、前記導入部から前記処理槽内に延び、末端部を有する配管と、前記配管に設けられた複数の吐出孔と、を含み、前記複数の吐出孔は、第1吐出孔と、第2吐出孔と、を含み、前記第2吐出孔は、前記第1吐出孔よりも前記末端部側に配置され、前記第1吐出孔の開口面積は前記第2吐出孔の開口面積より大きい。 (もっと読む)


【課題】処理液の流量変動を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置1は、基板Wを保持するスピンチャック2と、基板Wに処理液を供給する処理液供給ノズル3を備えている。処理液は処理液タンク5に貯留され、処理液タンク5と処理液供給ノズル3との間には処理液供給配管4が設けられている。処理液供給配管4の途中部には、ポンプ6、温調用ヒータ7、フィルタ8が設けられている。分岐部J1には処理液帰還配管12が分岐接続され、処理液帰還配管12は処理液タンク5に導かれている。分岐部J1よりも下流側の処理液供給配管4には、供給流量調節バルブ9、流量計10、供給バルブ11が介装されている。供給流量調節バルブ9と流量計10との間の分岐部J2には処理液分岐配管15が分岐接続され、処理液分岐配管15にはオリフィス16が設けられている。 (もっと読む)


【課題】水の静的接触角が85度以上である基板の表面を洗浄するにあたり、高い洗浄効果を得ることができ、しかも洗浄を短時間で行うことができる手法を提供すること。
【解決手段】先ず、基板を回転させながら洗浄ノズルから基板の中心部に洗浄液を吐出して遠心力により基板の表面全体に広げる。その後、基板を回転させたまま基板上の洗浄液の吐出位置を、基板の中心部からずれた偏心位置に変更すると共に、洗浄液の吐出位置におけるガス吐出位置側界面と、ガスノズルによるガスの吐出位置における洗浄液吐出位置側界面との距離を9mm〜15mmに設定した状態で前記ガスノズルから前記基板の中心部にガスを吐出して、洗浄液の乾燥領域を形成する。然る後、洗浄液の供給位置を、前記乾燥領域が外に広がる速度よりも遅い速度で基板の周縁に向けて移動させる。 (もっと読む)


【課題】クリーニング・プロセスの結果生じる副産物がウェファを汚染することを防止する、収集プロセスを提供すること。
【解決手段】装置及びそれを作動させる方法。この方法は、チャンバ(200)を含む装置を準備するステップを含み、チャンバは、第1(260a)及び第2(260b)の入口と、チャンバ内のアノード(210)及びカソード(230)構造体と、カソード構造体(230)上のウェファ(100)とを含む。クリーニングガス(260b)は、第1の入口を通じてチャンバ内に注入される。収集ガス(260a)は、第2の入口を通じてチャンバ内に注入される。クリーニング・ガスはイオン化されたときに、ウェファの上面をエッチングしてチャンバ内に副産物混合物をもたらす性質を有する。収集ガスは、副産物混合物がウェファの表面に再度堆積することを防止する性質を有する。 (もっと読む)


【課題】基板を良好に撥水処理することができる基板液処理装置及び基板液処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明では、基板(2)を撥水処理液で撥水処理する基板液処理装置(1)及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、混合タンク(53)の内部で撥水処理液を加水分解させることなく希釈できる第1の希釈液と撥水処理液とを混合して第1の希釈撥水処理液を生成し、第1の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。また、混合タンク(53)から第1の希釈撥水処理液を供給する第1供給流路(54)の中途部に撥水処理液を希釈する第2の希釈液を供給し、第1の希釈撥水処理液を第2の希釈液で希釈して第2の希釈撥水処理液を生成し、第2の希釈撥水処理液で基板(2)を撥水処理することにした。 (もっと読む)


【課題】 この発明は基板に所定温度に加熱された処理液を確実に供給することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】 処理液が貯えられる貯液タンク32と、貯液タンクに貯えられた処理液を基板に噴射するための上部ノズル体31に給液管路33を通じて供給する供給ポンプ34と、給液管路に設けられ上部ノズル体に供給する処理液を所定温度に加熱する第1の加熱ヒータ37と、上記貯液タンク内の処理液を加熱する第2の加熱ヒータ42が設けられ、この第2の加熱ヒータ42によって加熱された処理液を上記第1の加熱ヒータ37によって上記所定温度にさらに加熱することを特徴とする基板の処理装置。 (もっと読む)


【課題】洗浄液としてのキレート過水液の濃度変化を抑制することが可能であり、その結果、使用するキレート過水液の材料費を低減することが可能な基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】基板洗浄装置1Aは、循環路と、濃度センサ21と、制御部26とを備える。循環路は、キレート過水液100を用いてガラス基板200の洗浄を行なう洗浄槽10と、キレート過水液100を一時的に貯留する貯留槽16と、これら洗浄槽10および貯留槽16を接続する送り管18および戻し管15とを含んでいる。濃度センサ21は、キレート過水液100の濃度を検出するためのものであり、送り管18に設けられている。制御部26は、濃度センサ21によって検出された濃度情報に基づいて所定量の純水を貯留槽16に供給することでキレート過水液100の濃度管理を行なう。 (もっと読む)


【課題】洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置を得ること。
【解決手段】上部に達した異物を含んだ洗浄液Wの一部は、洗浄槽10の内壁14に沿って下方に向かう。下方に向かった洗浄液Wは、第1の出口16から排出される。ここで、導入口12と内壁14との間に導入口12を取り囲むように設けられた中間壁15が存在するため、内壁14に沿って下方に向かった洗浄液Wは、中間壁15に邪魔されて導入口12に向かいにくくなる。したがって、洗浄によって剥離された異物が、導入口12から噴出した洗浄液Wの流れによって再びウェーハー基板Sに向かいにくくなり、効率よく第1の出口16から排出され、洗浄槽10に滞留する異物の濃度を低くでき、異物がウェーハー基板Sに再付着する可能性の低い、洗浄における異物の除去効率の向上した洗浄装置100を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】極微細構造体のダメージや破損を防止して、効率よく乾燥処理が行える乾燥処理装置および乾燥処理方法を提供する。
【解決手段】被乾燥物を配置し乾燥を行う処理槽1と、少なくともこの処理槽1に第1の流体と第2の流体を供給する流体源31,32を有し、前記第1の流体は第2の流体と親和性を有しかつ水より表面張力の小さい液体であり第2の流体は超臨界ないし亜臨界状態にすることが可能な流体であり、処理槽1内に第1の流体を導入して被乾燥物2を配置するかあるいは処理槽内に被乾燥物2を配置して第1の流体を導入し、前記第1の流体を排出して処理槽に超臨界ないし亜臨界状態の第2の流体を導入するか液体状態の第2の流体を導入して超臨界ないし亜臨界状態とし、前記第2の流体を液相を介することなく気化して乾燥処理を行う極微細構造体の乾燥処理装置および方法とした。 (もっと読む)


【課題】フッ酸と有機酸との混合液中のフッ酸濃度および有機酸濃度の双方をそれぞれ別々に測定する方法を提供し、フッ酸と有機酸との混合液を用いて複数枚の半導体ウェーハに対し洗浄処理を行った場合におけるウェーハ表面等への微粒子や金属不純物の残留を安定して抑制する。
【解決手段】フッ酸と有機酸とを含有する半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法であって、半導体ウェーハ洗浄液の赤外吸収スペクトルを測定し、赤外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれるフッ酸の濃度を求めるフッ酸濃度測定工程と、半導体ウェーハ洗浄液の紫外吸収スペクトルを測定し、紫外吸収スペクトルから半導体ウェーハ洗浄液中に含まれる有機酸の濃度を求める有機酸濃度測定工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハ洗浄液の濃度測定方法である。また、その濃度測定方法を用いた半導体ウェーハの洗浄方法である。 (もっと読む)


【課題】回転体の回転により生じた気流を用い、処理基板を吸着することが可能なスピン処理装置を提供する。
【解決手段】スピン処理装置において、エジェクタは漏斗状空気導入口を有し、回転体は、1分間に600回転以上回転することを特徴とするスピン処理装置。 (もっと読む)


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