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Fターム[5F157CF16]の内容

半導体の洗浄、乾燥 (54,359) | 構成要素細部 (6,182) | 吸排気構造 (450)

Fターム[5F157CF16]の下位に属するFターム

吸入口 (51)
排気口 (222)

Fターム[5F157CF16]に分類される特許

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【課題】形成されたパターンに与えるダメージが少ない基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】基板の表面にドライエア又は不活性ガスの気流にのせた洗浄用の微粒子を基板に衝突させて、前記基板の洗浄を行う洗浄工程と、前記洗浄用の微粒子を除去する除去工程と、を有することを特徴とする基板洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】表面処理装置の処理室内に渦流やガス溜りが形成されるのを防止する。
【解決手段】処理容器10の処理室10a内に支持部21を設け、この支持部21にて被処理物9を支持する。処理ガス供給系60によって処理ガスを被処理物9に供給する。排気系70によって、処理室10a内のガスを排出する。排気系70の排気孔71を被処理物9と直交する方向から見て被処理物9(処理領域)を囲むように環状に分布させて設ける。 (もっと読む)


【課題】真空容器パージ作業時の圧力差による部品の破損を防ぐと共に、真空容器内の処理ガスの残留を抑えることができるプラズマ処理装置およびそのパージ方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置の減圧された処理室(V1)226内に側壁の不活性ガス導入用開口233から不活性ガスを導入して、処理室処理室(V1)226内を不活性ガスにより所定の圧力にしたのち、処理用ガスを導入する複数の貫通孔224に連通する処理用ガスの導入経路213、216(V2)に不活性ガスを供給して、複数の貫通孔224から処理室(V1)226内に不活性ガスを導入する。 (もっと読む)


【課題】処理槽から引き上げられた被処理体から立ち上る処理液の蒸気が、搬送駆動部の設けられた隔壁の他方側に侵入することを防止すること。
【解決手段】処理装置は、間隙25を有する隔壁28と、隔壁28の一方側に配置され、被処理体Wgを処理する処理液C1が貯留された処理槽31と、隔壁28の間隙25を通過可能な支持部21と、隔壁28の他方側に設けられ支持部21を移動させる搬送駆動部23と、を有する搬送機構と、被処理体Wgを、処理液C1内から取り出して引き上げ位置に位置づける上下方向移動部32と、を備えている。処理槽31の上方には、上方から第一気体を供給する第一気体供給部27が設けられている。処理装置は、引き上げ位置に位置づけられた被処理体Wgに向かって第二気体を噴出する気体噴出部10も備えている。 (もっと読む)


【課題】一定の条件の下で基板を処理することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、複数のガード14〜17と、各ガード14〜17を個別に昇降させる昇降機構40〜43と、制御部10とを備えている。各ガード14〜17は、スピンチャック2の周囲を取り囲む筒状部18e、19a、20a、21aと、筒状部18e、19a、20a、21aの上端部全周から内方に延びる環状の延設部18b、19b、20b、21bとを有している。各延設部18b、19b、20b、21bは、他の延設部と内径D1が揃えられ、他の延設部と上下に重なり合うように配置されている。制御部10は、いずれのガード14〜17を基板Wの周端面に対向させるときでも、スピンチャック2による基板保持位置P1からの内周部18c、19c、20c、21cの高さが等しくなるように昇降機構40〜43を制御する。 (もっと読む)


【課題】カップ内のミストが基板に再付着することを防止できるようにした基板処理装置を提供する。
【解決手段】表面上に処理液が供給される基板11を保持するステージ122と、基板11をステージ122とともに回転させ、基板11の表面上に供給した処理液(例えば、現像液)を、前記回転により生じた遠心力を用いて基板11の表面上に広げる回転駆動部12と、ステージ122によって保持された基板11を側方から包囲するとともに、前記遠心力を受けて基板11から飛散する処理液を受け止めるカップ13と、を備え、カップ13は、カップ13内を浮遊する処理液の粒子をカップ13の壁面に吸着させる吸着手段として、冷却装置14を有する。 (もっと読む)


【課題】パターン倒れの発生を抑えると共に、スループットが高く、メンテナンス周期の長い超臨界処理装置等を提供する。
【解決手段】基板Wに付着した液体を超臨界状態の処理流体によって除去する超臨界処理装置3において、加熱部323は処理容器31内に供給された処理流体を超臨界状態とするために当該処理流体を加熱し、冷却機構322は基板Wが載置台321に載置されるまでに基板Wからの液体の蒸発を抑えるため、前記加熱部323から当該基板へと熱が伝わる領域を強制冷却する。 (もっと読む)


【課題】実際に基板を処理させる処理部の数が変動しても、複数種類の処理を所定の順番どおりに効率よく基板に行うことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、加熱冷却ユニットPHP、冷却ユニットCPの順番で基板Wを搬送し、複数種類の処理を基板Wに行う。たとえば、レジスト膜用塗布処理ユニットRESIST、加熱冷却ユニットPHPおよび冷却ユニットCPをそれぞれ3台、2台、1台使用しているところ、1台の加熱冷却ユニットPHPを使用処理部から外れた場合であっても、残っている使用処理部によって、所定の順番で基板Wに処理を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】耐食性に優れた表面保護膜を有するAl合金部材を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置を提供する。
【解決手段】Al合金部材74を少なくとも一部に用いた電子装置製造装置において、前記Al合金部材74の表面の少なくとも一部が非水溶媒による無孔質の陽極酸化膜73で覆われ、かつ該陽極酸化膜73はフロロカーボン膜又は重合フロロカーボン膜72で覆われ、前記Al合金部材の表面の前記少なくとも一部は、腐食性の液体に触れることになる部分であることを特徴とする電子装置製造装置。 (もっと読む)


【課題】処理容器内のクリーニング性能を確保しつつ、被処理体を載置する高周波電極に設けられる静電チャックのエロージョンを効率的に低減する。
【解決手段】真空排気可能な処理容器10に上部電極38と下部電極12とが平行に配置され、下部電極12には第1高周波電源32より第1整合器34を介して第1の高周波が印加される。制御部68は、半導体ウエハWの無い処理容器10内で行われるプラズマクリーニングに際して、プラズマ生成に寄与する第1の高周波が、プラズマを生成させる第1の振幅を有する第1の期間と、プラズマを実質的に生成させない第2の振幅を有する第2の期間とを所定の周期で交互に繰り返すように、第1高周波電源32を制御する。 (もっと読む)


【課題】主領域が撥液面でその外周の周縁領域が親液面である基板の表面に付着した液体を液切りして除去する場合に、基板表面にウォータマークが発生することを確実に防止することができる装置を提供する。
【解決手段】基板Wの搬送方向に対して交差するように、基板表面へその幅方向全体にわたって気体を吐出するエアナイフ32を配設し、エアナイフより基板搬送方向における後方側に、基板の周縁領域2へ基板搬送方向における後方かつ基板外方に向けて気体を吐出する補助気体ノズル36を配設し、基板の周縁領域に滞留した液体を除去しもしくは周縁領域に液体が滞留するのを防止するようにした。 (もっと読む)


【課題】
本発明は、プラズマ処理装置のクリーニング方法であり、プラズマ処理室表面を効率良く清浄化し、スループットを向上できるプラズマ処理装置のクリーニングの方法を提供する。また、クリーニング中にウエハを設置する電極表面がプラズマに曝されないので電極の劣化を防止することができる。更に、クリーニングと同時に被処理体である低誘電率膜(Low−k膜)上に形成されたレジストマスクを除去する方法を提供する。
【解決手段】
スループットを向上させる手法として、CxFx系ガスを用いてエッチングされた低誘電率膜(Low−k膜)を、そのまま下部電極に載置した状態でCO2ガスによりプラズマクリーニングを行い、プラズマ処理室表面に付着したデポ物を除去する。この時、同時にLow−k膜上にパターニングされたレジストマスクを除去できるため、処理時間の大幅な短縮化が可能となる。 (もっと読む)


【課題】吸着パッドに詰まったスラッジを確実に排出する。
【解決手段】支持部材(53a)に支持されていて被加工物(20)を吸着する吸着パッド(51a)を洗浄する吸着パッド洗浄装置は、吸着パッドの内部から吸着パッドの吸着面(52a)に向かって洗浄液を供給する洗浄液供給手段(58)と、吸着パッドの吸着面において吸着パッドの内側領域を該内側領域周りの外側領域から封止可能に被覆する内側領域被覆部(30)とを含む。また、チャックテーブル(12a)は、被加工物を吸着する吸着パッドと、吸着パッドを支持する支持部材(53a、57)と、支持部材に形成されていて吸着パッドの内側領域周りに在る外側領域まで延びる外側領域通路(71)と、洗浄液を外側領域通路に通して吸着パッドの吸着面に向かって供給する洗浄液供給手段と、を含む。 (もっと読む)


【課題】基板上に発生した潮解性を有する汚染物質を簡便かつ確実に除去することができる洗浄方法、並びに装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る洗浄装置は、マスク基板11上に汚染物質として発生した潮解性の汚染物質15を除去する洗浄装置であって、汚染物質15の周辺の相対湿度を、汚染物質の臨界湿度以上100%未満に制御し、汚染物質を水滴化する冷却手段23と、水滴化した汚染物質15にレーザ光を照射する光源22とを有する。 (もっと読む)


【課題】高温で不安定な過酸化水素水を使用せずに、硫酸を用いて基板表面のレジスト残渣を効率よく除去することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】硫酸を含む第1の処理液及び水よりなる第2の処理液を用いて基板を処理する基板処理装置であって、基板の少なくとも一方の面に常温より高温に保持された前記第1の処理液の液膜を形成する液膜形成手段10、31と、前記基板の前記第1の処理液の液膜が形成された面に、前記第2の処理液の蒸気又はミストを供給する蒸気・ミスト供給手段40とを有することを特徴とする基板処理装置。 (もっと読む)


【課題】ウエハを保持した環状のフレームがスピンナーテーブルの所定位置に確実に固定されたことを確認することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】スピンナーテーブル31上へのフレーム保持機構32は環状のフレームの下面を保持する保持面を有する下面支持部材321と、下面支持部材に中間部が支持軸323によって揺動可能に軸支され支持軸の上側に環状のフレームの上面を押圧する爪部322bが設けられているとともに支持軸の下側に錘部322cを備えた振り子部材322とを具備している。下面支持部材321にはスピンナーテーブルの回転が停止されている状態において爪部より内側にあって保持面より上方に突出し環状のフレームの外周縁を規制する規制部321eが設けられている。フレームのスピンナーテーブル上への設定がズレていると、フレームが規制部に乗り上げ真空吸着力が低下するので、ズレが検出可能である。 (もっと読む)


【課題】 HDIS用のフォトレジスト及びイオン注入関連残留物を剥離する改善された方法及び装置を提供する。
【解決手段】 元素水素、弱酸化剤、及びフッ素含有ガスを用いてプラズマが生成される。プラズマ源の下流側及びガス混合物を反応チャンバ内へと導くシャワーヘッドの上流側において不活性ガスがプラズマに導入される。反応チャンバ内では、ガス混合物が高用量注入されたレジストと反応する。このプロセスは、高剥離レートでクラストとバルクレジスト層の両方を除去し、ワークピースの表面には実質的に残留物が残らず、また、シリコン損失も少ない。 (もっと読む)


【課題】装置価格の上昇を抑えつつ処理時間を短縮することのできるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】プラズマ洗浄装置1は、基板50を搬送する搬送機構15を備えた前チャンバ2と、主チャンバ入口14に繋がっており、基板50をプラズマ洗浄する高周波電極25等を備えると共に、搬送機構18を備えた主チャンバ3と、主チャンバ出口17に繋がって、搬送機構21を備えた後チャンバ4と、主チャンバ3に接続される主真空ポンプ7と、前チャンバ2および後チャンバ4に共通して接続される副真空ポンプ6とを備え、主真空ポンプ7によって真空引きされた主チャンバ3に前チャンバ2から基板50を搬送するとき、および主チャンバ3から後チャンバ4に基板50を搬送するときには、前チャンバ2、後チャンバ4を副真空ポンプ6で予め真空引きしておくものである。 (もっと読む)


【課題】洗浄手順が簡単である上に洗浄効果も高く安全に洗浄することができるチャンバ洗浄方法を提供する。
【解決手段】希塩酸蒸気PSMがチャンバ19内を満たすので、チャンバ19内に用いられているフッ素樹脂から金属成分が溶出する。バブリングを停止するとともに希塩酸蒸気PSMをチャンバ19外へ排出し、チャンバ19内に付着している希塩酸蒸気PSMの凝結分を洗浄除去する。希塩酸PSを貯留した容器71をチャンバ19内に導入して、バブリングさせるだけで洗浄ができ、手順を大幅に簡単化できる。その上、希塩酸蒸気PSMによって洗浄するので、従来では洗浄できなかった部位の洗浄をも行うことができ、洗浄効果を向上させることができる。さらに、チャンバ19に大量の塩酸を貯留する場合に比較して、希塩酸PSの漏洩の恐れが極めて少なくなるので、安全に洗浄を行うことができる。 (もっと読む)


【課題】処理液の消費量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、基板Wを水平に保持するための支持リング8を有するスピンチャック3と、スピンチャック3に保持された基板Wに処理液を供給する洗浄液ノズルおよびリンス液ノズルとを備えている。支持リング8は、支持リング8に保持された基板Wの上面から外方へと処理液が流れていくように、当該基板Wの全周を取り囲んで当該基板Wの外周縁を外方に拡張するように設けられた環状の拡張面36を有している。拡張面36は、処理液に対する疎液性が基板Wよりも高い疎液面とされている。 (もっと読む)


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