【課題】表面処理用の処理槽に設けた、被処理物の出し入れ用の開口でのガスの流れを安定させる。
【解決手段】被処理物９を搬送方向に沿って搬入開口１３から処理槽１０の内部に搬入し、処理空間１９に配置する。供給系３０から処理ガスを処理空間１９に供給し、被処理物９を表面処理する。その後、被処理物９を搬出開口１４から搬出する。排気系４０で処理槽１０の内部からガスを排出する。開口１３，１４を、互いに上記搬送方向と直交する対向方向に対向距離Ｄを隔てて対向する一対の整流面１７，１８によって画成する。開口１３，１４の上記搬送方向に沿う奥行きＬを、対向距離Ｄの２倍以上とし、好ましくは６倍以上とする。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理装置に均一に気体を供給することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】給気ユニット４１は、塗布処理ユニット１２９の上方に設けられる。塗布処理ユニット１２９は、２つのカップ２７を有する。給気ユニット４１は、空気流通部９１およびフィルタ装置９４，９５を備える。空気流通部９１内には、開口９１２，９１３が形成される。開口９１２は、２つのカップ２７のうちの一方のカップ２７の上方に形成され、開口９１３は、他方のカップ２７の上方に形成される。フィルタ装置９４は、開口９１２を覆うように設けられ、フィルタ装置９５は、開口９１３を覆うように設けられる。開口９１２，９１３上には、複数の気流調整部材９７が設けられる。 （もっと読む）

【課題】加熱槽内の状態に応じてポンプの運転状態を切り換えることにより、溶剤濃度を高く維持して基板の乾燥処理を好適に行うことができるとともに、ポンプの負担を軽減することができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部は、処理液に基板を浸漬させて処理液による処理を行った後、基板の乾燥を行う際に、チャンバ内を減圧するとともに、温度検出器３７による測定温度と、圧力検出器３９による測定圧力と、飽和蒸気曲線データとに基づきベローズポンプ８７の動作速度を切り換える。したがって、加熱槽７７内における有機溶剤の状態に応じてベローズポンプ８７を動作させることができるので、有機溶剤の状態に係わらず、有機溶剤を蒸発皿８１に対して十分に供給きる。その結果、基板の乾燥不良を防止できる。また、ベローズポンプ８７の空運転を防止できるので、ベローズポンプ８７の負担を軽減できる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成されたパターン倒壊を抑制するとともに基板表面へのＩＰＡ等有機溶媒由来の汚染物質付着を防ぐことができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板を回転させながら基板表面を洗浄する洗浄工程を有する半導体装置の製造方法において、前記洗浄工程は、前記基板に対して洗浄液を供給して前記基板表面を洗浄する工程と、前記基板に対してリンス水を供給して前記洗浄後の前記基板表面をリンスする工程と、前記リンス後の前記基板を乾燥させる工程と、を有し、前記基板表面をリンスする工程では、前記リンス水に有機溶媒を混合してなる有機溶媒混合リンス水を使用し、前記有機溶媒は蒸留または濾過がなされた後に前記リンス水に混合される。 （もっと読む）

【課題】支持部材の先端部を基板の下面に当接して基板を略水平姿勢で支持しながら支持部材に押し付けて保持した基板に対して所定の処理を施す基板処理装置および方法において基板保持力を高める。
【解決手段】基板Ｗの保持モードとして、第１保持モードと第２保持モードが設けられている。第１保持モードでは、基板裏面Ｗｂを支持ピンＰＮで支持しながら基板表面Ｗｆに窒素ガスを供給して基板Ｗを支持ピンＰＮに向けて押圧力Ｆａで押圧するのみであるが、第２保持モードでは、上記押圧力Ｆａに加え、基板裏面Ｗｂより基板Ｗに吸引力Ｆｂを与えている。このように、吸引力Ｆｂを付加した分だけ基板Ｗの保持力を高めることができ、基板Ｗを高速回転させる際にも安定して基板Ｗを保持することができ、その結果、基板処理を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】高濃度の処理ガスを用いる場合であっても、濃度計を用いることなく処理ガスの濃度を求めることができる基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部６９は、記憶部７１に予め記憶してある、有機溶剤の飽和蒸気圧曲線に基づく圧力ごとの温度対濃度の露点情報と、圧力計５６からの測定圧力と、温度計５７からの測定温度とに基づき、処理ガス中における有機溶剤の濃度を算出濃度として算出する。この算出濃度は、表示部７３に表示される。したがって、濃度計を用いることなく処理ガス中におけるイソプロピルアルコールの濃度を求めることができ、装置のオペレータに知らせることができる。また、強い減圧力のポンプ及び処理ガスの採取部を必要としないので、構成を簡単化することができて装置コストを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】フープ本体を把持する本体把持部及びドアを把持するドア把持部を共通の把持部駆動機構で駆動することができ、構造の簡素化及び製造コストの低減が図れるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】前面に開口部を有するフープ本体２ａと該フープ本体２ａの開口部にロック・アンロック可能に装着されたドア２ｂとを有するフープ２を、上記フープ本体２ａと上記ドア２ｂとに分離して洗浄乾燥するフープ洗浄乾燥装置１であって、上記フープ２を把持して搬送するためのロボットアーム７を備え、該ロボットアーム７の先端部には、上記フープ本体２ａの上部に突設された被把持部２ｘを把持する本体把持部１９と、上記ドア２ｂを把持するドア把持部２０とを駆動するための同一軸線上で互いに接近又は離反する一対の移動体２１を有する共通の把持部駆動機構２２が設けられている。 （もっと読む）

【課題】洗浄室の蓋開閉時の停止精度の向上及び開閉速度の可変制御が可能なフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２をフープ本体２ａとドア２ｂに分離して洗浄室５内で洗浄及び乾燥する洗浄室を備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記洗浄室５は、上部が開放された洗浄室本体５ａと、この洗浄室本体５ａの上部に開閉自在に設けられた蓋２２，２３と、該蓋２２，２３を開閉する電動式パワーシリンダ２４，２５とを備え、上記パワーシリンダ２４，２５は、蓋開閉時の伸縮ロッドの停止位置及び該停止位置の手前の減速位置を検出する位置センサ６４と、該位置センサ６４からの検出信号に基づいて上記パワーシリンダ２４，２５の伸縮速度を可変制御する制御部６５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】フープのドアを傷付けることなく仮置台に係止でき、フープをフープ本体とドアとに分離して繰り返し洗浄しても、ドアへの繰り返しダメージを抑制できるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】前面に開口部を有するフープ本体２ａとフープ本体２ａの開口部にロック・アンロック可能に装着されたドア２ｂとを有するフープ２を、フープ本体２ａとドア２ｂとに分離して洗浄乾燥するフープ洗浄乾燥装置１であって、フープ２をフープ本体２ａとドア２ｂとに分離するために仮置きする仮置台５に、ドア２ｂを吸着する吸着手段１４と、ドア２ｂに形成された凹部２ｂ１に挿入される位置決めピン１５と、ドア２ｂとフープ本体２ａとのロック・アンロックを切り換えるべく、ドア２ｂに形成されたラッチ穴２ｂ２に挿入された状態で回転されるラッチ１６とを設け、位置決めピン１５がラッチ１６よりも仮置台５から突出している。 （もっと読む）

【課題】半導体基板を速やかに、かつ高い信頼性をもってリンスおよび乾燥する装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るスピンドライヤ１０１は、スピンドライヤ内に配置された縦向きの基板２０１から移動した流体を受けるように配置されたシールドシステムを有する。このシールドシステムは、流体がシールドに衝突すると少なくとも部分的に流体を跳ね返すように配置された一以上のシールド２１３、２１５、２１７を有している。このシールドは、シールドに沿った流体の流れを促進するように傾斜しており、液滴が生じないように好ましくは親水性である。スピンドライヤの内部にわたって圧力勾配を加えることにより、流体をシールドシステムに沿って所望の方向に移動させる空気流を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄槽に純水を安定して供給でき、かつ、設備の大型化やコストアップを抑えることができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】洗浄槽３に設けられたノズル２７に、フープ洗浄用に純水を収容する水タンク３２をバルブ４６を介して接続し、水タンク３２に水圧送用の圧気を供給するための圧気供給手段５３を接続し、洗浄槽３に、フープ洗浄後に洗浄槽３内の水を排出すると共に、フープ乾燥時に洗浄槽３内の空気を排出するための排気排水口３４を形成し、排気排水口３４に気液分離器９を介して空気吸引手段４２を接続し、空気吸引手段４２と水タンク３２を同一のケーシング４７内に収容してユニット化したものである。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工場における製造ラインへの搬入を搬入経路を限定されることなく容易に行うことができると共に各部の交換作業を容易に行うことができるフープ洗浄乾燥装置を提供する。
【解決手段】フープ２の搬入搬出を行うための載置部３を有するロードポート部４と、上記フープ２の洗浄及び乾燥を行う洗浄室５を有する洗浄部６と、該洗浄部６と上記ロードポート部４との間に設けられ上記フープ２の搬送を行う搬送ロボット７を有する搬送部８とを備えたフープ洗浄乾燥装置１であって、上記ロードポート部４、洗浄部６及び搬送部８上記ロードポート部、洗浄部及び搬送部がそれぞれ独立した架台１０，１１，１２を有するユニットに形成されている。 （もっと読む）

【課題】ウェハの洗浄処理に用いる液体の不必要な使用を抑える。
【解決手段】洗浄装置１は、貯留槽１０に貯留されている薬液を処理槽２０に送液してウェハＷの洗浄処理を行い、使用した薬液を回収ライン９０で貯留槽１０に回収し、その回収で不足する分を供給ライン３０から補充する。この供給ライン３０から補充される薬液流量を検出部４１で検出し、演算部４２によって単位時間当たりの積算流量を求め、それを判定部４３によって閾値と比較して、供給ライン３０からの薬液補充量を監視する。これにより、貯留槽１０への薬液の回収不足、薬液から析出した結晶物による回収溝２４ａの閉塞を早期に発見し、不必要な薬液補充を抑えることが可能になる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜や下地膜に与えるダメージを低減可能なプラズマ処理方法の提供。
【解決手段】処理室１の中心部側と側壁の近傍側にそれぞれ独立して処理ガスを供給するガス供給手段４１、４２と、被処理体Ｗを載置する試料載置電極１３と、プラズマ生成用高周波電源２１と、アンテナ１１と、処理室内にプラズマを生成するプラズマ生成手段１７を有するプラズマ処理装置を用いたプラズマ処理方法であって、プラズマを用いて被処理体Ｗの絶縁膜エッチング処理を行ない、その後被処理体Ｗを試料載置電極１３に載置したまま処理室中央部から大流量の不活性ガスを処理室１の側壁近傍にのみ堆積物除去ガスを供給し、さらにプラズマ密度分布を制御することにより処理室中心部側のプラズマ密度と処理室側壁近傍のプラズマ密度を異ならせて処理室側壁の堆積膜を除去する堆積膜除去処理を行なう。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ、またはガラス基板などのような基板に対して、プラズマを利用してアッシング、洗浄、エッチングなどのプロセスを実行することができるホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法を提供する。
【解決手段】ホローカソードプラズマを利用した大面積基板処理方法は、プラズマが生成される複数の下側凹部２４１が底面に形成されたホローカソード２４０と、複数の噴射口が形成されたバッフル２５０との間に流入したガスによってホローカソードプラズマを発生させて、基板支持部上に配置された基板Ｗを前記噴射口を通過した前記ホローカソードプラズマによって処理する。 （もっと読む）

【課題】この発明は、洗浄処理に使用される洗浄液の損失が少なくて済み、消費量及びコストの低減を図ることができる被処理物洗浄装置を提供することを目的とする。
【解決手段】被処理物洗浄装置１により被処理物Ａを浸漬洗浄処理する際に、第１処理槽１Ｂ内に放出されたフッ素系溶剤Ｃの蒸気Ｃａを、第２処理槽２Ｂより下方に配置された冷却ジャケット３の冷却作用によって沸点より低い温度に冷却する。被処理物Ａを、第１処理槽１Ｂ内の第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃに浸漬して浸漬洗浄処理する。浸漬洗浄処理から蒸気洗浄処理へ移行する際に、被処理物Ａを第２処理槽２Ｂに収容したまま位置を変更せずに、第２処理槽２Ｂに貯留されたフッ素系溶剤Ｃを蒸気Ｃａに入れ替えて蒸気洗浄処理する。蒸気洗浄処理から浸漬洗浄処理へ戻る際に、第２処理槽２Ｂに放出された蒸気Ｃａをフッ素系溶剤Ｃに入れ替えて浸漬洗浄処理する。 （もっと読む）

【課題】プラズマエッチング後の所定の膜の表面に残存するエッチング残渣またはアッシング残渣をその膜にダメージを与えずに確実に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板にドライエッチングを施した後に所定の膜の表面に残存するエッチング残渣、またはエッチング残渣をアッシングした後にその膜の表面に残存するアッシング残渣を除去する基板処理方法は、基板表面に液体状の有機酸を形成し、液体状の有機酸によりＣＦポリマーを分解するとともに液体状の有機酸にその分解物を溶解させる第１工程と、その後、基板をアニールして、有機酸および有機酸に溶解したＣＦポリマーの溶解物を気化させて基板から除去する第２工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】装置稼働状態を適正に監視するための真空ポンプの排気能力や真空配管系の異常をオンライン状態で簡便に監視することができるプラズマ処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】処理室３ａ内の基板８を対象としてプラズマ処理を行うプラズマ処理装置１において、処理室３ａ内部の到達真空度を計測する第１の真空センサ１５に加えて、排気配管系１２において処理室３ａと真空ポンプ１４とを断接する真空バルブ１３と真空ポンプ１４との間に第２の真空センサ１７を設け、真空バルブ１３を閉にした状態での第２の真空センサ１７の計測結果に基づいて、真空ポンプ１４の排気能力の異常や、真空排気配管１２ｂの真空リークなどの異常の有無を、制御部２２によって検出する。 （もっと読む）

【課題】試料台の貫通孔周辺の冷却ガス圧力の均一化を図ると共に、プッシャピンと試料台との温度差の発生を防止したプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理室と、プラズマ生成用高周波電源と、被処理体が載置され内部に前記被処理体の温度を制御するための冷媒通路を有した試料台と、前記被処理体を前記試料台に静電吸着する静電吸着電源と、前記被処理体と前記試料台との間に前記被処理体の温度を制御するためのガスを供給する手段と、前記試料台に設けられた貫通孔に配置され前記被処理体を昇降させるプッシャピンとを有する真空処理装置であって、前記プッシャピンは、前記被処理体の処理中、前記試料台に密着接触することにより、前記貫通孔を塞ぐと共に、良好な伝熱が得られるように構成される。 （もっと読む）

【課題】基板に供給される複数種の処理液を分離して回収することができるスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】基板に複数種の処理液を順次供給して処理するスピン処理装置であって、カップ体１と、カップ体内に設けられ基板を保持して回転駆動される回転テーブル８と、上面が開口したリング状をなしていて、カップ体の内周と回転テーブルの外周との間に上下方向に駆動可能に設けられ回転する基板から飛散する処理液を受ける処理液受け体１６と、基板に供給される処理液の種類に応じて処理液受け体を上下方向に駆動してその高さを設定するリニアモータ２１と、カップ体に設けられ処理液受け体が受けた処理液を処理液受け体がリニアモータによって設定された高さに応じて分離して回収する第１乃至第３の分離流路２７ａ〜２７ｃを具備する。 （もっと読む）