【課題】チャンバ内の浮遊処理液の影響を低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】振り切り乾燥処理が終了すると、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０の回転が停止させられて、基板Ｗの回転が停止する。続いて、スピンチャック１０と雰囲気遮断板５０とが近接する状態から、スピンチャック１０および雰囲気遮断板５０との間の距離Ｄが２ｍｍ以上１０ｍｍ以下となるよう、雰囲気遮断板５０が上昇させられる。そして、スピンチャック１０から搬送ロボットの搬送アーム８ａに基板Ｗが受け渡される。これにより、チャンバ内の浮遊薬液を完全にチャンバ外に排気することができない場合であっても、搬送時または搬送待ちの基板Ｗに浮遊薬液が付着することを防止できる。 （もっと読む）

【課題】基板の状態を容易かつ正確に確認することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。基板処理装置１０は、上方に突出した突出部材２２を複数有した回転可能なベースプレート２０を含むテーブル１５と、ベースプレートを回転駆動する回転駆動機構３５と、を備える。テーブルは、突出部材が基板に下方から接触して、当該基板とテーブルとの間に隙間Ｇを形成するようにして基板を回転保持し得る。基板処理装置１０は、基板の中央部Ｗａに対面する位置において隙間にその一端が開放された圧力測定用管路５１と、圧力測定用管路の他端に連結された圧力センサ５３と、を有する圧力監視装置５０を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】基板を安定して保持し得るとともに基板を適切に処理し得る基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１０は、基板Ｗの板面が水平方向に沿うようにして当該基板を回転させながら処理する装置である。基板処理装置１０は、上方に突出した突出部材２２を複数有した回転可能なベースプレート２０を含むテーブル１５と、ベースプレートを回転駆動する回転駆動機構３５と、を備える。テーブルは、突出部材が基板に下方から接触して、当該基板とテーブルとの間に隙間Ｇを形成するようにして基板を回転保持し得る。基板処理装置１０は、基板の中央部Ｗａに対面する位置において隙間にその一端が開放された吸引用管路５６と、吸引用管路の他端に連結された吸引機構５８と、を有する圧力調節装置５５をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】被処理体の周縁部の所定の範囲を精度良く処理し、ミストとして残った処理液が次回以降に処理する被処理体に悪影響を及ぼすことを防止し、さらに、被処理体を処理するための処理空間を小さくする液処理装置を提供すること。
【解決手段】液処理装置は、第二筐体２０と、第二筐体２０に当接可能な第一筐体１０と、被処理体Ｗを保持する保持部１と、を備えている。第一筐体１０は、保持部１によって保持された被処理体Ｗの表面の周縁部に対向する位置に、被処理体Ｗの周縁方向に向かうにつれて被処理体Ｗから離れるように傾斜した表面側傾斜部１１を有している。表面側傾斜部１１には、被処理体Ｗの表面の周縁部に処理液を供給する表面側処理液供給ノズル５１ａ，５２ａが設けられている。 （もっと読む）

【課題】載置台とフォーカスリングとの間の隙間をなくし、プラズマの回り込みによる載置台側壁の損傷、及び被処理基板へのパーティクルの付着を回避することができるフォーカスリングを提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容してプラズマ処理を施す収容室１１と、収容室１１内に設けられ、ウエハＷを載置する静電チャック２７とを有するプラズマ処理装置１０の静電チャック２７の上面外周縁部に設けられた環状のフォーカスリング２９であって、環状の周方向に沿って２分割されたフォーカスリング片の組合せ体からなり、フォーカスリング片を、それぞれフォーカスリング２９の中心に向かって付勢するＯリング２９ｄを設けたフォーカスリング。 （もっと読む）

【課題】基板収容器内の雰囲気の酸素濃度または湿度を十分に低下させておくことができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】隔壁７における通過口８の上方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための上カバー２０が設けられている。通過口８の両側方には、インデクサ空間ＩＳのダウンフローが、基板収容器Ｃ内に進入することを抑制するための横カバー２１，２２が設けられている。通過口８の周縁部には、開放状態における通過口８の上方領域２３に向けてＮ₂ガスを吹き付けるための上ノズル３０と、通過口８の側方領域２５，２７に向けてＮ₂ガスを吹き付けるための第１および第２横ノズル３２，３４とが備えられている。 （もっと読む）

【課題】必要な排気を確保しつつも、排気量を低減することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部５１は、ロットが搬送されて薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２にて処理されるタイミングがスケジュールにより予め判断できるので、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の状態に応じて各ダンパー３７，４１，４５，４９を操作し、薬液処理部ＣＨＢ１，ＣＨＢ２や純水洗浄処理部ＯＮＢ１，ＯＮＢ２の排出口３５，３９，４３，４７から排出される排気流量を調整できる。その結果、処理に必要な排気を確保しつつも装置全体の排気量を低減できる。 （もっと読む）

チャンバー内の均一な流体流れのための流体分配ネットワークを備えたチャンバーを提供する。チャンバーは、第１の面及び反対の内面を有する第１のチャンバー壁を含む。前記第１の面には、第１の組のチャンネルが形成され、内面はチャンバーの内部に曝され、かつ、複数の第１の組のチャンネルに接続された複数の内部ポートを含む。チャンバーは、また、第２の面及び反対の外面を有する第２のチャンバー壁を含む。第２の面は、第１の面が第２の面と合わされたときに、第１の組のチャンネルに部分的に交差する第２の組のチャンネルを有する。外面は、また、第２の組のチャンネルへの出入口を提供する、少なくとも一つの外部ポートを含む。 （もっと読む）

【課題】基板から液体を確実に除去することが可能な基板乾燥装置およびそれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】第１および第２の洗浄／乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２において、リンス液供給ノズル６６０は、リンス液供給管６６１ａを介して脱気モジュールＤＭに接続されている。脱気モジュールＤＭはリンス液供給管６６１ｂを介してリンス液供給源Ｒ２に接続されている。脱気モジュールＤＭにおいて、リンス液の脱気処理が行われる。脱気処理後のリンス液が、リンス液供給管６６１ａを通してリンス液供給ノズル６６０に供給される。基板Ｗの乾燥処理時に、リンス液供給ノズル６６０から基板Ｗ上にリンス液が供給される。それにより、基板Ｗ上にリンス液の液層が形成される。 （もっと読む）

【課題】清浄な状態で対象物に成膜処理を行い、且つ、装置稼働率と成膜処理効率とを向上させた成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】金属基板が収容されたチャンバ内を所定の圧力に減圧する減圧工程（ステップＳ１２）と、チャンバ内に収容された金属基板にシリコン系薄膜を成膜する成膜工程（ステップＳ１５）との間に、金属基板が収容された状態で、チャンバ内をクリーニングするクリーニング工程（ステップＳ１３）を設けた。クリーニング工程（ステップＳ１３）では、チャンバに付着している成膜処理による残膜を除去する残膜除去処理と、残膜除去処理による生成物の残渣を除去する残渣除去処理とが実行される。 （もっと読む）

【課題】 処理室等の圧力調節が為される被調圧部の圧力を、簡易に調節制御することが可能な圧力制御機構を提供すること。
【解決手段】 排気用力に接続可能な排気側空間３２５、及びこの排気側空間３２５に開孔３２２を介して連通され、圧力が調節される被調圧部２２に接続可能な被調圧側空間３２４を有し、排気側空間３２５と被調圧側空間３２４との双方に開孔３２２を介して液体３２６を共通に収容する液体収容部３２１と、被調圧部２２に要求される圧力に応じて、液体収容部３２１に収容された液体３２６の水位を調節する水位調節部３６０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】乾燥ユニットにおける基板に対する乾燥性能を向上させることができる基板処理装置、基板処理方法、プログラムならびに記録媒体を提供する。
【解決手段】まず乾燥ユニット２３においてチャンバー壁３９を加熱する。そして、チャンバー壁３９の外部にある大気の温度よりも低い温度のガスである冷却ガスを乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内に供給することによりチャンバー２３ａ内にある加熱されたＮ２ガスを冷却ガスに置換する。その後、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる。そして、ウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させる間に、またはウエハＷを洗浄槽２２内から乾燥ユニット２３のチャンバー２３ａ内まで移動させた後に、チャンバー２３ａ内に乾燥ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】排気口からの排気に大きな排気能力を必要とせずに、処理チャンバ内の雰囲気を良好に置換させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理チャンバ３の天面付近の側壁には、給気ユニット４１が配置されている。給気ユニット４１の給気口４３からは、側壁２に沿って水平方向に流れるクリーンエアが、処理チャンバ３内に供給される。処理チャンバ３内の雰囲気は、処理チャンバ３の底部に配置された排気ユニット５１，５２の排気口５３，５４から斜め下方に向けて吸い込まれて排気される。給気ユニット４１，４２から、処理チャンバ３の内部にクリーンエアが供給されるとともに、排気ユニット５１内が強制的に排気されると、処理チャンバ３内に、カップ５のまわりを周回しながら下降する渦状の気流が形成される。 （もっと読む）

【課題】暖気を行うラインを別途設けることにより、プロセスの再現性が良好な基板乾燥装置を提供する。
【解決手段】制御部９１は、純水などの液滴が付着した基板Ｗを処理槽９に載置した後、シャワーノズル１７から乾燥媒体を供給させる。基板Ｗに付着している純水などの液摘は、乾燥媒体の液滴の物理力によって除去される。このとき基板Ｗは乾燥媒体によって完全に覆われた状態である。次に、空気をインラインヒータ５９で加熱しつつシャワーノズル１７に供給して基板Ｗを乾燥させる前に、インラインヒータ５９を作動させた状態で気体をガス排気管７７に排出させる。したがって、加熱された空気はチャンバ１内に供給されずガス排気管７７を介して排出されるので、チャンバ１の温度が自然に上昇することがなく、プロセスの再現性を良好にすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の稼働率の低下を防止することができるクリーニング基板及びクリーニング方法を提供する。
【解決手段】プロセスモジュール１１のチャンバ１７内に、円板状のシリコン基材４３と、該シリコン基材４３上に設けられた不織布４４とを有するクリーニング基板４５を搬入し、チャンバ１７内を排気する排気システムによりチャンバ１７内を真空引きすると共に、チャンバ１７の壁面や構成部品の表面に付着しているパーティクルを剥離させて、チャンバ１７内のパーティクルをクリーニング基板４５の不織布４４に入射させ、その後、不織布４４内にパーティクルを捕捉したクリーニング基板４５をチャンバ１７内から搬出する。 （もっと読む）

【課題】基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる方式において、雰囲気遮断板を用いることなく、ガスノズルから基板表面へ乾燥用ガスを供給しつつガスノズルを走査する方法によらずに、基板の表面上にパーティクルが付着したりウォータマークが発生したりすることを抑えることができる方法を提供する。
【解決手段】スピンチャック１０に保持された基板Ｗの表面へ液体供給ノズル６２から有機溶剤を供給し、基板の表面上の水分を有機溶剤で置換させた後、基板の表面上の有機溶剤を蒸発させて基板を乾燥させる際に、カップ４４内へ気体供給ノズル６４から水蒸気より比重の大きい気体を供給する。水蒸気より比重の大きい気体でカップ内が満たされることにより、カップ内から水蒸気が排除され、カップ内方の基板の表面上の湿度が低くなる。 （もっと読む）

【課題】処理液案内部材の内方に処理液雰囲気を保持することができ、処理液案内部材外への処理液雰囲気の流出を抑制または防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】内構成部材１９は、スピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第１案内部２５、廃棄溝２６、内側回収溝２７および外側回収溝５２を一体的に有している。中構成部材２０は、内構成部材１９の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられ、第２案内部４８を有している。外構成部材２１は、中構成部材２０の第２案内部４８の外側においてスピンチャック１の周囲を取り囲むように設けられている。外構成部材２１には、スカート部８０が備えられている。スカート部８０の垂下部８１の下端部は、液体貯留部７０に貯留された液体中に浸漬されていて、液封構造を形成している。 （もっと読む）

【課題】クリーンルーム内での半導体ウエハの製造工程に対して、イオナイザーの使用を伴う清浄ガスの吹き付けによる有害パーティクルの付着防止工程を加えても、腐食性のある反応生成不純物が生成され難い半導体装置の製造方法および吹き付けエアーの有害パーティクル除去装置を提供すること。
【解決手段】微粒子エアーフィルター５およびケミカルエアーフィルター６を通過するクリーンルーム外空気または窒素ガスを主体とするエアーにコロナ放電型イオナイザー８を機能させてイオン化し、その後、イオン化されたエアーをクリーンルーム１内の半導体製造のための作業ブース４内の作業ワーク１４に吹き付ける工程を有する半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】処理カップ内における気液分離効率を低下させることなく、処理カップからの薬液のミストの漏出を防止または抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理カップ２５の上段には、第２構成部材２２の第２案内部３８の上端部３８ｂと第３構成部材２３の上端部２３ｂとの間に、ウエハＷの端面に対向し、第１薬液を捕獲する第１薬液捕獲口としての第３開口５７が形成される。処理カップ２５内の下段には、傾斜部４１の先端部と第４構成部材２４の傾斜部４６の先端部との間に、第１雰囲気捕獲口５８が形成される。第３開口５７と第１雰囲気捕獲口５８との上下方向における中間位置（中段）に、処理カップ２５内に下降気流を発生するための羽根部材６１が配置されている。羽根部材６１は、スピンチャック３のスピンベース８に、一体回転可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】基板に熱による悪影響を与えず、基板を効率良く加熱して基板表面のドライクリーニングを行うことができ、装置上の問題も生じないドライクリーニング方法を提供すること。
【解決手段】減圧排気可能な処理室内に設けられた載置台に基板を載置し、基板表面をドライクリーニングするドライクリーニング方法は、処理室内にクリーニングガスを導入し、クリーニングガスを基板上に吸着させる工程と、クリーニングガスを基板上に吸着させた後、処理室内に、熱エネルギーが与えられたエネルギー媒体ガスを導入し、該エネルギー媒体ガスから基板上の前記クリーニングガスに熱エネルギーを供給して、前記基板表面でクリーニング反応を進行させる工程とを含む。 （もっと読む）