【課題】搬送アームの保持部を効率よく洗浄する。
【解決手段】搬送アーム洗浄装置１は、搬送アーム１０２側の側面が開口した処理容器２０を有している。処理容器２０の開口部２１の上部と下部には、気体を噴射する気体噴射部３０、３０が設けられている。気体噴射部３０からの気体の噴射によって、開口部２１にはエアカーテンが形成される。処理容器２０内の上部には、洗浄ガス及び洗浄液を吐出する洗浄ノズル４０が設けられ、洗浄ノズル４０は、水平方向及び鉛直方向に移動可能になっている。洗浄ノズル４０から吐出される洗浄ガス及び洗浄液は加熱され、洗浄液はミスト状になっている。処理容器２０の底面には、洗浄ノズル４０から吐出され処理容器２０の底面に落下した洗浄液を回収する排液口５０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ブラシにより基板を洗浄処理する基板処理装置の高さを低減すること。
【解決手段】シーソー部材９１は、支持部材９０を支点として揺動可能であって、支点９３に対して一方側に力点部９６を有し、支点９３に対して他方側に作用点部９７を有している。押圧用アクチュエータ９２は、力点部９６の下方に配置されており、ブラシ２０を基板に押し付けるための押し付け力を当該力点部９６に与えて、シーソー部材９１を揺動させる。前記押し付け力は、作用点部９７からブラケット８２および回転シャフト４５等を介してブラシ２０に伝達される。
【効果】押圧用アクチュエータ９２をシーソー部材９１の下方に配置することにより、ハウジング３２の高さが低減されており、これによって、基板処理装置の高さが低減されている。 （もっと読む）

【課題】処理室間においてミスト状処理液の侵入を防止する。
【解決手段】基板処理装置は、剥離液により剥離処理を施す第１剥離処理室１と、前記剥離液よりも低濃度の剥離液により剥離処理を施す第２剥離処理室３と、各処理室１，３の間に介設される中間室２と、第１剥離処理室１、中間室２及び第２剥離処理室３の隔壁１１，１３に形成される基板搬送用の開口部１１ａ，１３ａを各々開閉するシャッタ２５，３４等と、中間室２において少なくとも第２剥離処理室３側の開口部１３ａが開放されているときに、当該開口部１３ａに向かってエアを吐出するエアナイフ３６，３６と、エアナイフ３６，３６と前記開口部１３ａとの間に排気口４０を有し、この排気口４０を通じて中間室２内を排気する排気手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を迅速に、かつ良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給が２系統、つまり（１）基板Ｗの表面外周部から乾燥窒素ガスを供給する系統と、（２）基板Ｗの表面中心部から乾燥窒素ガスを供給する系統で同時に行われて処理空間１６２の湿度を均一に低下させることができる。また、処理空間１６２への乾燥窒素ガスの供給とともに処理空間１６２の排気を湿式処理時の排気よりも抑えているので、処理空間１６２の湿度を迅速に低下させることができる。そして、このようにして処理空間１６２の湿度を低下させた状態で乾燥処理を実行しているので、基板表面でのウォーターマーク等の発生を抑制しつつ基板を乾燥することができる。 （もっと読む）

【課題】基板へのパーティクルの付着量が十分に低減された基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦは、配管６１を通してドライエア供給ダクト６２に送られる。それにより、昇降機構３０により内槽４０から引き上げられる基板ＷにドライエアＤＦが吹き付けられ、基板Ｗの乾燥処理が行われる。ドライエア発生装置６０により発生されたドライエアＤＦが処理槽４の内槽４０から引き上げられる基板Ｗに供給されるまでに通過する経路（配管６１、供給ダクト６２および通気ガイド６２ａ）には、塩化ビニルよりもガス放出速度が低くかつ塩化ビニルよりも吸水率が低い材料が用いられる。 （もっと読む）

【課題】被処理物の処理スピードを高め、しかもランプハウスへの白粉の付着によって処理ムラ等が発生することを防止できる紫外光洗浄装置を提供する。
【解決手段】ランプハウス３０には、紫外線ランプ３２群全体を四周から囲んで下面側を開放させた開放ハウジング３３が設けられている。開放ハウジング３３の天井部には、例えばステンレス板に１〜３ｍｍの孔を多数形成した多孔のガス拡散板３５を配置してあり、ここから清浄な窒素ガス（不活性ガス）を供給して、紫外線ランプ３２の周囲からワークＷの紫外線照射空間Ｘにかけて全体が窒素で満たされ、酸素がほとんど存在しない不活性ガス雰囲気に維持される。 （もっと読む）

【課題】所定の液供給地点に基板が到達する以前に、ミスト状の処理液が基板に付着することを抑制し、これによって基板の品質向上を図る。
【解決手段】基板処理装置１は、処理室１０を備え、この処理室１０内で基板Ｓを搬送しながら当該基板Ｓにリンス液を供給して洗浄処理を施すように構成される。処理室１０内には、搬入されてきた基板Ｓの上面全幅に亘って搬送方向上流側から下流側に向かって垂直方向に対して斜め方向にリンス液を吐出する液ナイフ１６と、当該液ナイフ１６から吐出されるリンス液の軌道よりも上流側の位置であって、かつ基板Ｓの搬送経路の下方に配置され、前記搬送方向上流側へのミスト状処理液の拡散を防止する遮蔽板１７とが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】被処理基板に対する処理を均一に行うことができるとともに処理液がウエハに再付着したりウエハの端縁付近の気流が乱されたりすることを抑制することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】支持部２０により支持される被処理基板Ｗを、略垂直方向に延びる軸を中心として回転させる。支持部２０上にある被処理基板Ｗの上面に向かってガスを下方に噴射するとともにこの被処理基板Ｗの上方領域からガスを上方に吸引することによって支持部２０上にある被処理基板Ｗを当該支持部２０に向かって押圧する。被処理基板Ｗを回転させ、この被処理基板Ｗを支持部２０に向かって押圧させながら、被処理基板Ｗの下面に対して下方からエッチング液や洗浄液等の処理液を供給する。 （もっと読む）

【課題】 ウエハ状の物品の一方の表面上の、縁部側の所定の部分を、或る液体で処理し、しかも、（ウエハの外縁から測定して）２ｍｍより多い縁部領域を処理する可能性を示すこと。
【解決手段】 洗浄ガスの大部分をウエハ状の物品（Ｗ）の縁部領域でウエハ状の物品（Ｗ）から導き出すガス排出装置（４）が周囲に設けられ、また、第２の主面上の液体が縁部付近の所定の部分を濡らし、続いて、液体がウエハ状の物品（Ｗ）から除去される。 （もっと読む）

【課題】乾燥用流体の消費量を抑制でき、乾燥用流体の汚染も防止できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持部１と、基板保持部１に保持された基板Ｗに対してアルカリを含む処理液を供給する第１の処理液供給部２ａと、基板保持部１に保持された基板Ｗに対して乾燥用流体を供給する第２の処理液供給部２ｂとを備える処理液供給機構２と、を具備し、第２の処理液供給部２ｂの乾燥用流体吐出ノズル２ｆが、不活性ガスを噴射する外側配管と、この外側配管内に設けられ、乾燥用流体を吐出する内側配管との多重構造を有し、乾燥用流体を吐出しないとき、外側配管から不活性ガスを噴射して内側配管を外気から遮断するように第２の処理液供給部２ｂを制御する汚染抑制機構８を備える。 （もっと読む）

リアクタ内の支持台座部上に保持されたウェハの背面から、弓状側方ガス注入ノズルを利用してポリマーを除去する。弓状側方ガス注入ノズルは、ウェハ縁部に適合した曲率でリアクタ側壁部を貫通して延び、また遠隔プラズマ源からプラズマ副生成物を供給される。
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【課題】基板の上方の雰囲気が周囲に拡散することを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。基板の周囲の側方の雰囲気が基板の上方の空間に流入するのを防止できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハＷをほぼ水平に保持するスピンチャック１と、スピンチャック１に保持されたウエハＷに処理液（たとえばＳＰＭ）を供給するための処理液ノズル２と、スピンチャック１を取り囲み、開口３３が形成された筒状の処理カップ３と、スピンチャック１の上方に配置された雰囲気遮断機構４とを備えている。雰囲気遮断機構４の雰囲気遮断部材３８からは、処理カップ３の上端１８ｄに沿うように空気が筒状に吐出される。ウエハＷにＳＰＭが供給されるとき、開口３３の上方の空間は、雰囲気遮断部材３８から吐出された筒状のエアーカーテンによって取り囲まれる。 （もっと読む）

【課題】基板の表面にウォーターマークが形成されることを防止することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】
本発明の基板洗浄装置は、基板Ｗを水平に保持する基板保持機構１と、基板保持機構１に保持された基板Ｗを回転させる回転機構２と、基板Ｗに洗浄液を供給する液供給ノズル４と、基板Ｗの周囲に配置され、基板Ｗとほぼ同一速度で回転する回転カバー３とを備える。この回転カバー３は、基板Ｗを囲む内周面を有し、内周面は、その下端から上端まで、径方向内側に傾斜している。 （もっと読む）

【課題】基板の周縁部から銅膜を良好に洗浄できる基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】銅膜が形成されているウエハＷの表面の周縁部に、第２洗浄液供給ノズル３３１からエッチング液が供給される。 （もっと読む）

【課題】装置の省スペースを実現しつつ、基板の端面の汚染に起因した問題（欠陥の発生、トラックや露光装置へのクロスコンタミネーション等）を回避できる基板処理装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板の端面を洗浄する端面洗浄処理ユニットＥＣを備える洗浄処理部９３を、インデクサブロック９に配置する。インデクサブロック９に設けられたインデクサロボットＩＲは、カセットＣから取り出した未処理基板Ｗを、処理部である反射防止膜用処理ブロック１０に搬送する前に洗浄処理部９３に搬送する。洗浄処理部９３においては、基板Ｗの端面および裏面を洗浄する。すなわち、端面および裏面が汚れた基板Ｗが処理部に搬入されることがないので、基板の端面や裏面の汚染に起因した問題を回避できる。 （もっと読む）

【課題】 この発明は回転テーブルの回転数を増大させても、処理槽内の圧力が上昇するのを防止できるようにしたスピン処理装置を提供することにある。
【解決手段】 半導体ウエハ１０を回転させて処理するスピン処理装置において、
処理チャンバ１と、この処理チャンバ内に設けられたカップ体２と、このカップ体内に設けられ上記半導体ウエハを保持して駆動モータ８により回転駆動される回転テーブル５と、この回転テーブルの回転速度に応じて変化する上記処理チャンバ内の圧力を制御する制御装置３５とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を、フッ酸系処理液によって処理した後、有機溶媒により乾燥させる方法を用いた場合であっても、当該被処理基板にシミが発生することを防止すること。
【解決手段】液処理装置１は、ケーシング５と、ウエハ（被処理基板）Ｗを保持する基板保持機構２０と、処理液を供給する処理液供給機構３０と、処理液を受ける排液カップ１２と、処理液を外方に排出する排液管１３と、を備えている。処理液供給機構３０は、フッ酸系処理液を供給する第一薬液供給機構と、ウエハＷを乾燥させるための有機溶媒を供給する乾燥液供給機構４３とを有している。制御部５０は、第一薬液供給機構によってフッ酸系処理液を供給させた後、乾燥液供給機構４３によって有機溶媒を供給させ、かつ、乾燥液供給機構４３によって有機溶媒を供給させる前に、洗浄機構１０によりケーシング５内のアルカリ成分を除去させる。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、ＤＩＷ供給停止後、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】基板のダメージを低減でき、かつ、パーティクル除去性能を最大限に確保できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部４７は、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内を所定圧力環境とするように制御し、かつ、噴出管１３から処理槽１内へ供給される純水の窒素ガス溶存量を所定溶存量となるように制御するとともに、処理槽１内に貯留された窒素ガス溶存水に付与する超音波振動の出力を所定出力値とするように制御するので、処理しようとする基板Ｗのダメージ受け易さの種類に応じて、チャンバー６３内の圧力値、処理液の気体溶存量および超音波振動の出力値を変更することができ、基板Ｗの種類に応じてキャビテーションでの気泡崩壊発生圧力を調整でき、処理液の気体溶存量を飽和溶存量とすることができ、各種の基板に対してもダメージを低減できるだけでなく、パーティクル除去性能を最大限に確保できる。 （もっと読む）