【課題】別の処理ユニットからのケミカル雰囲気の進入を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を保持する基板保持部４２、及び基板に処理液を供給する供給ノズル６１と、この供給ノズル６１を待機位置から基板保持部４２の上方に旋回させるシャフト６３とを有する処理液供給部４１を備えた複数の基板処理部２２と、基板処理部２２の各々を互いに独立して収容する複数のチャンバ４３と、待機位置の各々に設けられ、供給ノズル６１から吐出される処理液を受ける排液ポート８２と、排液ポート８２の各々が接続され、複数の基板処理部２２で共有される主排液配管８１と、排液ポート８２と主排液配管８１との間の各々に設けられ、主排液配管８１からの気体の進入を防ぐ進入防止弁８５と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】排液カップの内部におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部と、基板保持部を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部の外側に、この基板保持部に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部とともに回転する壁部３２を有し、この壁部３２が、回転する基板から振り切られた処理液を斜め方向から受けるように構成されている回転カップ４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】基板の上方におけるミスト発生を抑制できる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板を水平に保持し、基板とともに回転可能な基板保持部２と、基板保持部２を回転させる回転機構と、基板に処理液を供給する処理液供給機構と、基板保持部２の外側に、この基板保持部２に保持された基板を囲繞するように設けられ、基板保持部２とともに回転し、回転する基板から振り切られた処理液を受ける壁部３２を有する回転カップ４と、回転カップ４の外側に、この回転カッ４プ及び基板保持部２を囲繞するように設けられ、回転する基板から振り切られた処理液を収容する環状の液収容部５６と、この環状の液収容部５６よりも内側に設けられた内側環状空間９９ｂとを備えた排気及び排液カップ２０１と、排気及び排液カップ２０１の内側環状空間９９ｂに接続された排気機構２００と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内およびドレンボックス内の圧力を調整することにより、処理槽からの迅速な排水を実現できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１は、チャンバ２３内を大気圧よりも高い第１の圧力まで加圧させるように不活性ガス供給源４５および不活性ガス弁４７を制御し、処理槽１内の純水をドレンボックス５３に排出させるまでに、ドレンボックス５３内の圧力を大気圧以下の第２の圧力に調整するように第２真空ポンプ６５を制御し、チャンバ２３内が陽圧、ドレンボックス５３内が負圧となり、その後にＱＤＲ弁５５および排液弁５７を開放するので、その圧力差によって処理槽１内の純水が排出管５１を通してドレンボックス５３に迅速に排出することができ、しかも処理槽１内の液残りも低減できる。 （もっと読む）

【課題】基板上にエッチング処理により形成された凹部に露出する低誘電率絶縁膜から水分を脱離させた上で新たな水分を吸収し難くすることができるとともに，エッチング処理などにより凹部に露出する金属層に形成された不所望の金属化合物を除去する。
【解決手段】ウエハを所定の温度に加熱しつつ，このウエハ上に水素ラジカルを供給することによって，凹部に露出した金属層の表面をクリーニングするとともに，低誘電率絶縁膜を脱水する水素ラジカル処理工程（ステップＳ１３０）と，水素ラジカル処理が施されたウエハに所定の処理ガスを供給することによって，凹部に露出した低誘電率絶縁膜を疎水化する疎水化処理工程（ステップＳ１５０）とを有し，水素ラジカル処理工程と疎水化処理工程とを大気に晒すことなく連続して行う。 （もっと読む）

【課題】純水内に浸積され洗浄処理が行われた基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した純水を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】純水内に浸積された基板を取り出した後、上記基板の表面に液状のイソプロピルアルコールを供給して、上記基板の表面に付着している上記純水を上記イソプロピルアルコールに置き換え、その後、上記基板の表面から上記イソプロピルアルコールを蒸発させることにより上記基板を乾燥させる。 （もっと読む）

【課題】減圧下での測定を可能にすることにより、正確な溶剤濃度を測定することができるとともに、余分な排気を抑制することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】制御部７１が真空ポンプ４９でチャンバ２７内を減圧させた状態で、溶剤ノズル３３から溶剤蒸気を供給させるとともに、サンプリングポンプ６９で測定配管６１にチャンバ２７内の気体を吸引させながら真空対応型濃度計６７により溶剤濃度を測定させる。濃度測定は真空対応型であるので、減圧環境下で溶剤蒸気の濃度測定ができ、乾燥環境下における溶剤蒸気の濃度測定が可能である。したがって、溶剤濃度を正確に制御することができ、基板の乾燥処理の均一性を向上させることができる。また、溶剤蒸気を希釈する必要がないので、余分な排気を抑制することができる。 （もっと読む）

基板洗浄チャンバは、例えば消耗セラミックライナ、基板加熱台座部及び処理キット等の様々な構成部品を備える。消耗セラミックライナは、遠隔ガスエナジャイザのガス出口チャネルを基板洗浄チャンバのガス入口チャネルに接続するために設置される。基板加熱台座部は、配列された凹部内に複数のセラミックボールが位置決めされた基板受け面を有する環状プレートを備える。処理キットは、トッププレート、トップライナ、ガス分散プレート、ボトムライナ及びフォーカスリングを備える。
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【課題】遠心分離による半導体基板の洗浄乾燥時において半導体基板表面にウォータマークが形成されないようにする。
【解決手段】回転盤１１と共に回転する半導体基板１２に洗浄水Ｗを吹き付ける洗浄ノズル２０、２１を備え、回転盤１１及び洗浄ノズル２０、２１は開閉可能な上カバー４を有するチャンバ２内に設置し、上カバー４には半導体基板１２に窒素ガスＮ２を吹き付ける窒素ガス供給ノズル２２を設け、チャンバ２内に窒素ガスＮ２を充満・増圧させた状態で半導体基板１２を洗浄乾燥させる。又、窒素ガスＮ２は半導体基板１２の上面中央部に吹き付け可能とし、窒素ガスＮ２の圧力又は流速は可変調整可能にする。更に、チャンバ２の下底部には開度調整可能な開閉弁６付きのドレーン５を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦレジスト膜等の難剥離性膜を容易に除去することができる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ＡｒＦレジスト膜を伴ったウエハからこのＡｒＦレジスト膜を除去する処理方法である。ＡｒＦレジスト膜に紫外線照射処理を施し、次にＡｒＦレジスト膜にオゾンガスと水蒸気を供給して処理することにより、このＡｒＦレジスト膜を水溶性に変性させる。その後、水溶性に変性したＡｒＦレジスト膜に純水を供給することにより、ＡｒＦレジスト膜を基板から剥離する。チャンバに水蒸気とオゾンを供給する際には、チャンバ内に収容されたウエハに結露が生じないように、チャンバへ水蒸気を一定流量で供給しながら、水蒸気に対するオゾンの供給量を減少させる。 （もっと読む）

【課題】処理部中の塵埃を除去でき、装置の小型化、処理のスループットの向上及び歩留まりの向上を図れるようにすること。
【解決手段】搬送手段によって搬送されるウエハを処理部に搬送して処理を施す基板搬送処理において、ウエハＷの処理前に、搬送手段であるメインアームＡ２によって搬送される、塵埃を捕集可能な状態の捕集プレートＰＬを塗布処理ユニット３２に搬入して、塗布処理ユニット内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。塵埃を捕集した捕集プレートを洗浄ユニット８０内に搬入し、この洗浄ユニット内において捕集した塵埃を洗浄により除去し、塵埃が除去された捕集プレートを、塵埃を捕集可能な状態例えばイオナイザ２００によって帯電して再生する。塵埃を捕集可能な状態に再生された捕集プレートを、メインアームによって処理前の処理部に搬入して、この処理部内に発生する塵埃を捕集プレートに付着して捕集する。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の真空処理室内の洗浄時に処理室内壁等に付着する水分を早期に除去し、装置のダウンタイムを短縮させることにより、生産性の向上を図ることのできる半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 真空の処理室１と、ガス導入口２と、排気口３とを備える。処理室１内部には、ウェハを載置し処理するステージ１ａが設けられ、このステージ１ａは処理室外部の高周波電源と接続されている。排気口３の下流側には、処理室１の排気量を制御する圧力制御装置４および圧力計６と、処理室１内の空気を排気するポンプ５とが設けられている。洗浄後の処理室１内を真空排気する場合に、ガス導入口２から水分を含んでいないパージガスを流し、同時にポンプ５を稼動させ真空排気を行い、かつ使用しているポンプ５を排気速度が大きい範囲で使用する。 （もっと読む）

【課題】紫外線照度及びオゾン濃度を安定化し被洗浄物に対して面内均一な洗浄を実施できるドライ洗浄装置及びドライ洗浄方法を提供する。
【解決手段】洗浄槽２内において、気体３の上流側から順に整流板５、紫外線ランプ６及び被洗浄物７を配置する。紫外線ランプ６は、２５４ｎｍ及び１８４ｎｍの波長を有する紫外線を照射する。気体３中の酸素と１８４ｎｍの紫外線により発生したオゾン及び２５４ｎｍの紫外線により被洗浄物７を洗浄する。オゾン濃度及び２５４ｎｍの紫外線照度は、オゾン濃度計９及びＵＶ照度計１０により夫々測定され、この測定結果に基づき流量制御１９により気体３の流量を制御する。 （もっと読む）

【課題】省スペースで、しかも処理液により基板の被処理面を均一に処理するとともに、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持ローラ１１により直立姿勢に立てた状態で保持された基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂにそれぞれ、対向部材１２Ａ，１２Ｂが近接しながら離間配置される。間隙空間Ｓ１１，Ｓ１２に処理液（薬液およびリンス液）が液密に満たされた状態に供給され、基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂが処理液により均一に処理される。また、基板Ｗを乾燥させる際に、処理液が自然落下する状態に基板Ｗが直立姿勢で保持されているので、乾燥ガスの吐出により処理液（リンス液）を押し出すとともに該処理液に作用する重力を利用して基板Ｗの表裏面Ｗｆ，Ｗｂからリンス液が除去される。このため、乾燥不良の発生を防止しながら基板を良好に乾燥させることができる。 （もっと読む）

【課題】洗浄液などの液体が付着した基板を乾燥させる基板乾燥において、上記基板に微細化されたパターンが存在するような場合であっても、確実に上記基板に付着した液体を除去して基板を乾燥させる基板乾燥装置及び方法を提供する。
【解決手段】基板に対して、互いに対向する側方及び上方から乾燥空気を吹き付ける吹き出し部を備えさせることで、基板表面に付着した液体を短時間で効果的に除去する。さらに、乾燥チャンバの内壁部に沿って乾燥空気の一部を循環させて、この循環された空気を加熱ヒータにて加熱して、再び基板に吹き付けるような構成を採用することで、乾燥効率をさらに向上させる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】ドライエア供給ダクト１０Ａ上に設けられた仕切板駆動部１３は、複数の通気路１１０の一部を閉塞するための仕切板１２をドライエア供給ダクト１０Ａの内側と上部外側との間でスライド可能に保持している。乾燥処理の開始から外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられるまでの間、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの上部外側に位置する。外周当接部ＷＴが処理槽４から引き上げられると、仕切板１２はドライエア供給ダクト１０Ａの内側にスライドする。この場合、仕切板１２が最下部の通気路１１０を除く全ての通気路１１０を閉塞する。これにより、ドライエア供給ダクト１０Ａ内に供給されるドライエアＤＦが仕切板１２により絞り込まれ、最下部の通気路１１０に導かれる。 （もっと読む）

【課題】処理液から引き上げられる複数の基板の全面を短時間で効率的に乾燥させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板保持具３３０において、背板３３３の正面には、４本のアーム３４１〜３４４が取り付けられている。各アーム３４１〜３４４は、水平方向に延びている。背板３３３の背面には、４本のアーム３４１〜３４４に対応して４個のモータが取り付けられている。各アーム３４１〜３４４の軸心と垂直な方向における断面は、楕円形状となっている。各アーム３４１〜３４４に形成された径小部３４５に基板Ｗの外周端部が挿入される。それにより、複数の基板Ｗが各アーム３４１〜３４４の径小部３４５の外周面により保持される。基板Ｗが処理槽から引き上げられ、各アーム３４１〜３４４と基板Ｗとの当接部が処理液の液面に位置する際に、モータが各アーム３４１〜３４４を回転させる。 （もっと読む）

【課題】処理液の供給形態を工夫することにより、清浄度高く処理することができ、かつ乾燥不良を防止できる基板処理装置を提供する。
【解決手段】左側の噴出管７からは純水の供給が停止され、右側の噴出管７のみから純水が供給される。これにより、ドライエアの供給方向と液面付近における純水の流れとが一致するので、純水の流れに澱みが生じにくく、洗浄時に基板Ｗから剥離されて純水中に漂うパーティクルが効率的に排出される。その結果、引き上げられる基板Ｗにパーティクルが付着するのを防止することができ、基板Ｗを清浄度高く処理することができる。また、液面の中央部が盛り上がることがなく、ドライエアにより液面中央に波立ちが生じるのを防止することができるので、引き上げ中の基板Ｗに飛沫が付着することを防止でき、基板Ｗの乾燥不良を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板にウォーターマークが発生することを防止でき，かつ，低コストを図ることができる基板処理方法，記録媒体及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数種類の薬液を用いて基板Ｗを処理した後，基板Ｗを乾燥させる方法であって，第一の薬液で処理する第一の薬液処理工程と，前記第一の薬液処理工程の後に第二の薬液で処理する第二の薬液処理工程と，前記第二の薬液処理工程の後に基板Ｗを乾燥させる乾燥処理工程とを行い，少なくとも前記乾燥処理工程において，基板Ｗの周囲の湿度を前記第一の薬液処理工程時よりも低減させる。 （もっと読む）

【課題】被処理物に処理流体を噴き付けて表面処理する装置において、処理流体が処理領域から外に漏れたり、外部の雰囲気ガスが処理領域に入ったりするのを効率的に防止する。
【解決手段】処理ヘッド１０の被処理物Ｗと対向すべき側部４０に、処理領域８０の画成部４１と、その両側の処理外領域８１，８２の画成部４２，４３とを設ける。第１処理外領域８１と処理領域８０との境に処理流体の噴き出し口５０ａを形成し、処理領域８０と第２処理外領域８２との境に吸い込み口５０ｅを形成する。検出手段７０にて第１処理外領域８１における処理領域８０に近い箇所と遠い箇所との差圧を検出する。吸い込み流量調節手段５４にて、上記検出差圧がゼロになるように吸い込み口５０ｅからの吸い込み流量を調節する。 （もっと読む）