【課題】ウォーターマークの発生を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】洗浄処理装置１は、ウエハＷを保持するスピンチャック５９と、ウエハＷに処理液および乾燥ガスを吐出口から吐出方向に吐出する吐出ノズル７５と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ処理液を供給する処理液供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズル７５に接続された吐出ノズルへ乾燥ガスを供給する乾燥ガス供給機構と、吐出口よりも上流側で吐出ノズルに接続され、ウエハＷに処理液を吐出させた後で乾燥ガスを吐出する前に、吐出ノズルの内部に残留する処理液を吐出方向と逆方向に吸引する処理液吸引機構１０３ａと、処理液吸引機構に接続され、処理液供給機構と乾燥ガス供給機構から処理液および前記乾燥ガスの一方が吐出ノズルへ供給されるように、処理流体を切り替える開閉バルブ１０２ａ・１０２ｂ・１０２ｄとを具備する。 （もっと読む）

【課題】洗浄によりウェハに付着した水分を完全に除去し、当該基板を水分を除去した状態で成膜装置に搬送する。
【解決手段】 洗浄装置３に隣接して水分除去装置４を設ける。水分除去装置４では、ウェハＷに高温ガスを供給してウェハＷに付着した水分を完全に除去する。水分除去装置４と成膜装置５、６との間の搬送部７は、ケーシング２１で覆う。ケーシング２１内には、乾燥気体を供給し、搬送部７内を乾燥雰囲気にする。水分除去装置４で水分の除去されたウェハＷを、乾燥雰囲気内を通して成膜装置５、６に搬送する。 （もっと読む）

【課題】洗浄工程での残渣により製造物に悪影響を及ぼさないようにした洗浄装置及びその洗浄方法を提供する。
【解決手段】槽体２１０と、槽体２１０の中に配置されたステージ２２０と、槽体２１０の中に設けられ、ステージ２２０を囲む少なくとも１つの第１の側壁（２３０又は２４０）と、槽体２１０の中で、ステージ２２０の上方に配置され、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲を閉じ込める操作可能なプレート２６５と、ステージ２２０と第１の側壁との間の第１の範囲と流体連通された排気装置２７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に複数の薬液や気体を供給して、基板を洗浄乾燥する基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置１００において、基板が在置されるチャックを持つ基板支持機構１１０と、上部が開放されて、チャック周辺を囲むように配置された下部チャンバー１２０と、基板に対する乾燥工程が外部と隔離された状態で進行されるように下部チャンバー１２０の上部を開閉する上部チャンバー１３０と、上部チャンバー１３０のエッジに設置され、乾燥流体が基板に間接憤射されるように上部チャンバーの中心へ向かって、乾燥流体を憤射する間接憤射ノズル１４０と、を含むことを特徴とする基板処理装置１００。このような構成の基板洗浄装置は、基板の乾燥効率の増大及び外部汚染の遮断そして酸化膜の防止などの効果を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
（もっと読む）

【課題】高い処理能力を得ることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを収納し，内部で基板を処理する処理容器２と，処理容器２内に収納された基板Ｗを加熱するヒータ２０と，処理容器２内に水蒸気を供給する水蒸気供給手段５と，処理容器２内にオゾンガスを供給するオゾンガス供給手段７と，処理容器２内にＮ_２ガスを供給するＮ_２ガス供給手段９と，処理容器２内を排気する排気管２３と，この排気管２３に設けられた流量コントローラ７１と，処理容器２内を加圧するように流量コントローラ７１を制御する制御部２１と，を備えていることを特徴とする，基板処理装置１である。 （もっと読む）

【課題】 基板から残渣を除去する方法を提供することである。
【解決手段】 エッチングプロセス中に形成されるフォトレジストおよびエッチング残渣を除去するエッチング後の処理システムを使用する方法は、記載されている。たとえば、エッチング残渣は、ハロゲンを含む材料を含むことができる。エッチング後の処理システムには、真空チャンバ、真空チャンバに結合されたラジカル発生システム、ラジカル発生システムに結合され、基板より上に反応性のラジカルを分配するように構成されたラジカルガス分配システム、および真空チャンバに結合されるように構成された高温の台が設けられ、基板を支持するように構成されている。方法は、Ｎ_ｘＯ_ｙベースのプロセスガスをラジカル発生システムに導入することを具備する。 （もっと読む）

ディスク状物品を回転させる過程と、回転時にディスク状物品に液体を付与する過程と、回転時にディスク状物品から振り払われる液体を集める過程と、回転時にディスク状物品に平行に配置されてディスク状物品に面するプレートを提供する過程と、そしてプレートに平行に、プレートを横切るようガスを導く過程と、を具備する、ディスク状物品の液体処理用の装置と方法がここに開示される。
（もっと読む）

【課題】 半導体基板、特に太陽電池に用いられるシリコン基板表面の凹凸形成を効率よく、高タクトで行う方法を提供する。
【解決手段】 Ｈ_２Ｏを含む第一のエッチングガスを用いた反応性イオンエッチング法によって、多結晶シリコン基板の表面に凹凸を形成する工程を備えてなる太陽電池の製造方法とする。 （もっと読む）

ロボットアーム等の基板搬入機構を基板の搬入後速やかに基板の把持から解放し、基板を保持する時間を短縮し、スループットを向上させることができる基板処理ユニット、基板搬送方法、基板洗浄処理ユニットおよび基板めっき装置を提供する。基板１１を所定の保持位置に保持する基板保持機構１０と該基板保持機構で保持された基板に所定の処理を施す処理機構３２を備えた基板処理ユニットにおいて、基板を保持位置近傍に案内するガイドピン１５を具備する基板ガイド機構２０を設け、基板保持機構は基板の保持位置外周上に複数のローラー１４を備え、複数のローラーは保持位置近傍にある基板をその外周を挟持して保持するようになっており、ローラーは大径部と大径部の上部に小径部が一体に形成された構造であり、大径部の上部に基板搬送の際に基板を仮置きできる肩部を備え、肩部には外周に向かって下がる勾配の傾斜面が形成される。
（もっと読む）

【課題】
【解決手段】非ニュートン流体に変換される前駆物質流体を液相で保持するのに充分な圧力を、半導体ウエハが存在する容積内で維持する。前駆物質流体を液相で保持しつつ、半導体ウエハから除去するべき物質の近傍に前駆物質流体を供給する。半導体ウエハが存在する所定の容積内を減圧することにより、ウエハ上に位置する前駆物質流体が非ニュートン流体に変換される。非ニュートン流体への変換の際における前駆物質流体の膨張の作用と、ウエハに対する前駆物質流体の相対的な移動の作用とにより、変換後の非ニュートン流体が半導体ウエハから物質を除去する。 （もっと読む）

【解決手段】 本出願は、ワイヤーボンディングされるように構成されたワイヤー（１２０）を洗浄するためのワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）について説明する。前記ワイヤー洗浄装置（３００、４００、５００、６００、７００）は、チャンバーを含み、ワイヤーボンディングされるように設定されたワイヤー（１２０）はワイヤーボンディングされる前に当該ワイヤーを通過して延出する。また、前記ワイヤー洗浄システム（３００、４００、５００、６００、７００）は、前記ワイヤー（１２０）がワイヤーボンディングされる前に前記チャンバー内で前記ワイヤー(１２０)から不純物を除去するエネルギー源も含む。 （もっと読む）

【解決手段】円板状基板を支持・回転するエッジホイールは、基板の端部を保持するように周縁溝が形成されたホイール体と、周縁溝からホイール体内部に伸張する少なくとも一本の放射状チャネルと、を備える。本発明の技術は、エッジホイール乾燥機並びに円板状基板の処理方法としても実現可能である。 （もっと読む）

クラスターツールは、複数の真空槽に接続される移送槽を含む。その移送槽に接続される付加的なプロセスチャンバーは、ハウジングに据え付けられる高圧室アッセンブリーを含む。開放位置および閉鎖位置との間で調整可能とされるその高圧室アッセンブリーは、上槽部および下槽部を含む。その上槽部に取り付けられ、その下槽部に付随するチャンバーロッドを有する液圧シリンダーは、その下槽部をその二つ位置の間で上槽部に対し移動させるように構成される。その二つの部分が閉鎖位置に一緒となる場合、高圧室アッセンブリーは、超臨界二酸化炭素でウェーハを処理するのに適した高圧室を形成する。その高圧室が形成されるならば、下槽部とハウジングとの間の部分は、高圧室の一部の外側に真空槽を形成するように真空にされ得る。
（もっと読む）

基板（１０５）を処理する超臨界流体を用いる処理システム（１００）は、コーティングを有する内側部材を有すると開示されている。例えば、内側部材におけるコーティングは処理中の汚染を低減することができる。更に、その処理システムを用いる方法について開示されている。

（もっと読む）

可動プラテンに搭載された基板（５）を清浄化する装置である。例示的な実施形態では、装置は、プラテンが基板を搬送するときに基板表面（５）を溶剤（７）で湿潤化する溶剤吐出ノズル（２５）を有する第１のチャンバ（２０）を備える。プラテンは、基板をプロセスチャンバの中へ搬送するときに、所定の方向へ所定の走査速度で移動する。プロセスチャンバは基板表面（５）から所定の高さ（ｈ）に高温ソース（３０）を有し、高温ソースは基板表面へ向けられた熱エネルギーを供給し、熱エネルギーが基板表面に吐出された溶剤（７）を蒸発させ、プラテンが基板を第１のチャンバ（２０）からプロセスチャンバの中へ搬送するときに、溶剤蒸発が基板表面から微粒子（３５）を除去する。清浄化された基板は、精密フォトマスク、又は、ウェハを含む。
（もっと読む）

【課題】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するシステム及び方法を提供することである。
【解決手段】 ドライクリーニングプロセスのプラズマ処理システムからチャンバ残渣を除去するためのシステム及び方法は、提供される。ドライクリーニングプロセスは、カーボンおよび酸素を含んでいるプロセスガスをプラズマ処理システムの処理チャンバに導入することと、プロセスガスからプラズマを生成することと、揮発性の反応生成物を形成するためにチャンバ残渣をドライクリーニングプロセスのプラズマにさらすことと、処理チャンバから反応生成物を排気することとを含む。 （もっと読む）