【課題】状況に応じて減圧手法を使い分けることにより、基板に対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止することができる。
【解決手段】制御部７７は、第１の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により高速排気させ、第２の処理では、排気機構７１を操作して、真空ポンプ６９により低速排気させる。第１の処理では基板Ｗが処理槽１内の処理液に浸漬された状態であるので、短時間で減圧されても基板Ｗはプロセス的な悪影響を受け難い。一方、第２の処理では、基板Ｗが処理液から引き上げられ、チャンバ２７内に露出した状態であるので、基板Ｗは急速な減圧によるプロセス的な悪影響を受ける恐れがある。そこで、第２の処理では、低速排気によって徐々に減圧することにより、急速な減圧を抑制して基板
Ｗに対してプロセス的に悪影響が及ぶことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板のベベル部に付着した不要な堆積膜を、パターンが存在する被処理基板の内側部分にダメージを与えず、重金属汚染を引き起こさず、低コストで高効率に除去する。
【解決手段】被処理基板２の直径よりも小さい直径を有し、被処理基板を載置する回転ステージ１と、被処理基板２の上方に配置され、被処理基板上面に形成されたパターンを保護するためのガス流を形成するためのガス供給構造部３と、ガス供給構造部３に非反応性ガスを供給する第一のガス供給系１１と、不要な堆積物を除去するためのラジカルを被処理基板外周部に供給するノズルを備えた大気圧マイクロプラズマ源４と、大気圧マイクロプラズマ源４にガスを供給する第二のガス供給系１４と、大気圧マイクロプラズマ源４に電力を投入する高周波電源１３と、被処理基板２の外周部から反応生成物を吸引除去するための排気手段５を備えた基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】ベベル部の汚染に起因する基板の処理不良の発生を防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置５００は、インデクサブロック９、ベベル処理ブロック１０、反射防止膜用処理ブロック１１、レジスト膜用処理ブロック１２、現像処理ブロック１３、レジストカバー膜用処理ブロック１４およびインターフェースブロック１５を含む。ベベル研磨部５０では、ベベル研磨ユニットにより基板Ｗのベベル部に研磨処理が施される。それにより、基板のベベル部に付着する汚染物が確実に取り除かれる。 （もっと読む）

【課題】乾燥工程において、半導体ウェハ表面が汚染されることを防止することのできる、スピン乾燥装置を提供すること。
【解決手段】スピンウェハ乾燥装置１は、半導体ウェハＷを内部に収容する有底円筒形状のチャンバ３と、チャンバ３の円筒内側面に形成された排気口３３に接続され、半導体ウェハＷを回転させることにより、外方に飛散した半導体ウェハＷ表面に付着した液体を捕集して強制的に外部に排出する排気手段７と、蓋部材４に対して所定の隙間Ｄを設けて配置され、該隙間Ｄが外周端部でチャンバ３内部の空間と連通する内蓋部材５と、蓋部材４に形成され、内蓋部材５と対向位置に開口する蓋部排気口４３と、蓋部排気口４３に接続され、チャンバ３内部の液体分を含む気体を強制的に外部に排出する蓋部排気手段８とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板の周辺の雰囲気の露点を低い状態に維持することが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】ダクト２０の内部に処理槽４が設けられている。処理槽４内で処理液により基板Ｗの洗浄処理が行われる。また、ダクト２０にはドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３，９１，９２が取り付けられている。ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３は処理槽４の上端部近傍においてほぼ同じ高さに配置される。排気ダクト９１，９２は、ドライエア供給ダクト６２および排気ダクト６３の上方でほぼ同じ高さに配置される。ドライエア供給ダクト６２を通して基板ＷにドライエアＤＦが供給される。基板Ｗに供給されたドライエアＤＦは排気ダクト６３，９１，９２から排気される。 （もっと読む）

【課題】基板処理方法が提供される。
【解決手段】工程チャンバ内にローディングされた基板は、支持プレート上に載置される。以降、工程チャンバは外部から遮断され、工程チャンバ内部の圧力を既設定の圧力まで増加させる。既設定の圧力で基板の温度は一定の温度に安定化し、工程チャンバ内の圧力は工程圧力に減圧される。工程チャンバ内で基板に対する工程が完了すると、基板は工程チャンバの外部にアンローディングされる。工程チャンバ内部の圧力を増加させる方法には、パージガスを供給する方法と、工程ガスを供給する方法がある。 （もっと読む）

【課題】この発明は半導体ウエハの上面と下面とを同時に、しかも確実に洗浄することができる基板の処理装置を提供することにある。
【解決手段】一側面に出し入れ口２が形成された処理槽１と、この処理槽内の上記出し入れ口と対向する位置に設けられ処理槽内に搬入された半導体ウエハ１０の搬入方向と交差する径方向の両端部を保持してこの半導体ウエハを回転駆動する保持駆動手段８と、保持駆動手段に保持された半導体ウエハに処理液を供給する洗浄ノズル１２４，１２５と、処理槽内の上記保持駆動手段よりも内方に設けられ先端部に上記半導体ウエハの板面を洗浄する洗浄ブラシ７１，１２２を有するアーム６３，１２１およびこのアームを上下方向に駆動するとともに洗浄ブラシが半導体ウエハの径方向に沿って移動するよう上記アームを揺動駆動する駆動手段を有するツールユニット６１，６２とを具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 微細な接続孔内等に発生した酸化膜をドライエッチングにより効率良く除去できる表面処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】 表面に酸化膜が発生している被処理体Ｗは、処理容器１０内に搬入され、該処理容器内は真空に維持され、Ｎ₂ とＨ₂ との混合ガスがプラズマ発生部３０に導入され、プラズマ化され、それぞれの活性ガス種が形成される。活性化ガス種は被処理体に向けてフローされ、これにＮＦ₃ ガスが添加され、活性化されたガスが形成される。被処理体は所定温度以下に冷却手段２２により冷却され、活性化されたＮＦ₃ ガスに曝され、該ガスと反応し、酸化膜は変質して反応膜が被処理体Ｗの表面に形成される。Ｎ₂ 、Ｈ₂ 及びＮＦ₃ ガスの供給が停止され、加熱手段１９で被処理体は所定の温度に加熱され、反応膜が昇華して除去される。 （もっと読む）

【課題】ウォータマークを発生させず，レジストの溶解もなく安全に処理することができる，基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽６０の下部から第１の処理液を供給して、処理槽６０内において第１の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０の下部から第１の処理液よりも比重が重い第２の処理液を供給しつつ、処理槽６０の上部から第１の処理液を排液して、処理槽６０内の第１の処理液を第２の処理液に置換し、処理槽６０内において第２の処理液中に基板Ｗを浸漬させて処理する工程と、処理槽６０内から処理槽６０の上方に設けられた乾燥室に基板Ｗを引き上げる工程を有している。 （もっと読む）

本発明は、半導体生産ラインでの自動交替式副産物捕集装置及びその制御方法に関し、特に、公知の副産物捕集装置を構成するにおいて、垂直軸の周囲に一定角度をおいて固定設置された状態でサーボモータの駆動方向に応じて上プレート及び下プレート間で左右に回動し、いずれか一個が副産物を捕集して残りは反復的に清掃を行う数個のトラップユニットと、中央部は前記トラップユニットが固定された垂直軸が貫通する形態で軸支されて、前記上蓋体及び下蓋体と一定間隔を維持する形態で設置され前記ケースの上部及び下部からトラップユニット等の上開口部及び下開口部に接触され各々のトラップユニットに副産物流入口及び副産物排出口と洗浄水供給口及び洗浄水排出口、乾燥気体供給口及び乾燥気体排気口を選択的に連結させる上プレート及び下プレートと、平常時には伸長により前記上プレート及び下プレートとユニット等との間で気密を維持させて、トラップユニット等の交替のために一定方向に回動させる際には、垂直になりトラップユニット等を円滑に回動させるトラップとプレート連結及び分離手段と、前記垂直軸の低端部に軸が連結された状態で下プレートの底面に固定設置され制御部の出力信号に応じて正、逆方向に回動し前記トラップユニット等を一定角度範囲内で回転させるサーボモータと、制御プログラムを通じて前記サーボモータとトラップとプレートの連結及び分離手段及び各種バルブの駆動を制御する制御部とから構成される。
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本発明は、液体、気体、流動粉体、分散、これらの組合せ等を含む１つ以上の処理流体によりマイクロエレクトロニクス半製品を処理する装置を提供する。
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【課題】基板に対する処理液のミストの飛散を抑制することができる液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能なウエハ保持部１と、ウエハ保持部１に保持されたウエハＷを囲繞し、ウエハＷとともに回転可能な回転カップ３と、回転カップ３およびウエハ保持部１を一体的に回転させるモータ２と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル４と、回転カップ３から外部へ排気および排液する排気・排液部６と、表面がウエハ表面と略連続するようにウエハの外側に設けられ、保持部材１および回転カップ３とともに回転し、ウエハ表面に供給されてウエハＷから振り切られた処理液をその表面を介して回転カップ３から排気・排液部６へ案内する案内部材３５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷを水平に保持し、ウエハＷとともに回転可能なウエハ保持部１と、ウエハ保持部１に保持されたウエハＷを囲繞し、ウエハＷとともに回転可能な回転カップ３と、回転カップ３およびウエハ保持部１を一体的に回転させるモータ２と、ウエハＷの表面に処理液を供給する表面処理液供給ノズル４と、回転カップ３の排気および排液を行う排気・排液部６とを具備し、排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

マイクロ電子デバイスの製造において使用される半導体処理システムのコンポーネントから残留物を洗浄するための方法および装置。残留物を効果的に除去するために、コンポーネントは、十分な時間の間および十分な条件下において、気相反応物質に接触させられて、残留物を少なくとも部分的に除去する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが異なる場合には、気相反応物質は、残留物と選択的に反応し、イオン注入装置のコンポーネントを構成する物質とは最小限だけ反応する。残留物とコンポーネントを構成する物質とが同一である場合には、気相反応物質は、残留物およびコンポーネントパーツの両方と反応し得る。
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【課題】 回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を設ける。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体を下方に導いて回収する。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体を下方に導いて回収する。 （もっと読む）

【課題】 枚葉式の回転式基板処理装置において、使用した薬液の回収率を高める。装置価格を引き下げる。振動を抑える。薬液と廃液の雰囲気分離を行う。
【解決手段】 基板１を水平に支持して回転させる回転機構１０の周囲に、基板１から飛散する液体を受けるカップ２０を設ける。カップ２０に、筒状で昇降式の上段液体ガイド３０及び下段液体ガイド４０を組み合わせる。上段液体ガイド３０は、下方の待機位置で下段液体ガイド４０に重なって、両ガイド間に形成される液体導入口を閉じ、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第１の液体をカップ２０の外へ導く。下段液体ガイド４０は、待機位置から上方の回収位置へ移動して、基板１から飛散する第２の液体をカップ２０内へ導く。 （もっと読む）

シリコンウェーハーの表面処理する装置は、シリコンウェーハーを移送するための移送ローラと少なくとも１つの給送装置を有しており、その給送装置は移送ローラによって定められる移送平面内でシリコンウェーハーの表面を液状の処理媒体によって湿潤するために設けられており、給送装置は、移送平面内に配置された、シリコンウェーハーの下を向いた表面上に処理媒体を塗布するように形成されている。給送装置の周囲からガス状、および／または、霧状に分配された処理媒体を吸い出すために複数の吸引パイプが設けられており、吸引パイプが移送平面の垂直方向下方に配置されている。
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半導体ウエハ容器を洗浄し乾かすための装置は、汚れた容器を受け入れて、デッキアセンブリにそれを供給する、固定具を備えたロードポートを含んでいる。キャリアーは、さらにハンドリングのために容器を受け入れる。第１先端部を備えたロボットは、容器のドアを外し、キャリアーの一部にそれを置く。ロボットは、キャリアーに係合し、処理室内への挿入のためキャリアー及び容器を持ち上げる第２先端部を含んでいる。処理室は、少なくとも一つのレセプタクルを備えたローターを含んでいる。スピニングローターは、高圧及び低圧領域の両方を作成する。処理液は、容器とキャリアーに供給される。すすぎ工程後、ローターが回転している間、容器及びキャリアーが乾かされる。その後、ロボットは、処理室から容器及びキャリアーの両方を取り除き、容器にドアを再び組み立てる。
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基板エッジ領域を隔離して処理するための方法及び装置である。装置は、ドライ化学法によって基板のエッジ領域を含む基板の一部を隔離して処理するためのアイソレータを有する。アイソレータは、反応種の流れを基板のエッジ領域に供給するためのノズルと、基板をチャック上で回転させながら反応種の流れを排気プレナムに向けてバイアスさせるためのパージプレナムと、を有する。調節されたフロー制御により、反応種と反応副生成物が処理領域から移動することを防止する。アイソレータを使用して基板を処理するための方法は、反応種の流れを角度をなして基板のエッジ領域に供給しながら、パージプレナム及び排気プレナムによる流れ制御によって処理領域の周囲に境界を形成することを含む。
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本発明は、加工物の上に横たわり、かつ、覆うことができる特別な障壁構造を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、加工物の上に、位置決めされ、移動できる、特別な移動可能な部材を含む、加工物をプロセス処理する装置及びそれに関連する方法、プロセス処理チャンバーに横たわることができる特別な天井構造を含む、加工物をプロセス処理する方法及びそれに関連する装置、特別な環状体を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法、並びに特別な第１、第２、及び第３のノズル構造を含む、ノズル装置及びそれに関連する方法に関する。
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