Fターム[5F157CF20]の内容
Fターム[5F157CF20]に分類される特許
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基板から酸化物を除去する方法及びシステム
基板を処理する方法及びシステムは、上に酸化物を有する基板を処理チャンバ内に供する工程、処理チャンバと結合するリモートプラズマ源内で水素含有ガスを励起する工程、及び約900℃よりも低い第1基板温度の基板を励起された水素ガスに曝露することによって基板から酸化物を除去する工程を有する。基板は第1基板温度とは異なる第2基板温度に維持され、第2基板温度に基板上にシリコン含有膜が形成される。
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ワークピース処理用シングルチャンバ
半導体ウェハを処理するためのプロセスチャンバ。プロセスチャンバは、少なくとも1つのロータを含む。このロータは、ウェハの受け入れおよび/または処理に適合する。また、プロセスチャンバの最上部には、チルト可能なリムも含む。このリムは、非傾斜位置から傾斜位置までチルトする。ウェハは、リムがその傾斜位置にあるとき、プロセスチャンバに取り入れら得るし、また、プロセスチャンバから取り出され得る。このプロセスチャンバは、チルト可能なリムより下で囲み、上向きに配置されたシュラウドを備え得るし、また、チルト可能なリムの内部に配置された排気口をさらに備え得る。
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