【課題】基板の表面にパーティクルが形成されることを防止することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、処理液を貯留して、複数の基板Ｗを処理する処理槽１１と、処理槽１１に対して昇降自在に設けられ、基板Ｗを保持して処理液に浸漬させる基板保持部１２とを有する処理部１０と、処理部１０の上方に設けられ、処理槽１１に気体を供給する気体供給部４０と、基板の空き状態を検出する検出部７０とを備えている。処理槽１１を収容する収容ケース３０の下部に、気体供給部４０から供給された気体を排気する排気部３１が設けられている。制御部６０は、検出部７０により検出された基板Ｗの空き状態に基づいて、気体供給部４０から排気部３１に流れる気体の流量調整するように、気体供給部４０および排気部３１を制御する。 （もっと読む）

【課題】鉛直方向の省スペース化が実現できる基板液処理装置のミスト回収機構を提供すること。
【解決手段】ミスト案内カップの周縁端領域の上方に設けられた液体案内上部カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内中央カップと、ミスト案内カップの周縁端領域に対してその下方から上方まで鉛直方向に移動可能に設けられた液体案内下部カップと、を備える。各カップの鉛直方向位置は、３つの回収状態を選択的に実現できるように制御される。各回収状態で回収される液体は、第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクにそれぞれ案内されるようになっている。第一ドレイン用タンク乃至第三ドレイン用タンクは、径方向に並ぶように配置されている。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上に生じるパーティクルを低減する超臨界乾燥方法を提供する。
【解決手段】超臨界乾燥方法は、表面が薬液で濡れた半導体基板をチャンバ２１０内に導入する工程と、前記チャンバ内に超臨界流体を供給する工程と、前記チャンバ内の温度を前記薬液の臨界温度以上に調整し、圧力を前記薬液の臨界圧力以上に調整して、前記薬液を超臨界状態にする工程と、前記チャンバ内の圧力を下げ、前記超臨界状態の薬液を気体に変化させて、前記チャンバから排出する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】回転するウェーハの表面に噴射されミスト状に飛散した洗浄水及び洗浄屑が、ウェーハ表面上に再付着することのない洗浄装置を提供する。
【解決手段】回転テーブル３の上面に対向する位置に強制給気手段５を設け、回転テーブル３の外周を囲繞し回転テーブル３の上面と同じ高さ位置またはその上面より低い位置に環状排気手段７を配設し、環状排気手段７から吸引排気することにより、洗浄チャンバー２内において強制給気手段５から環状排気手段７に向かうダウンフロー１００を発生させ、ダウンフロー１００を利用して洗浄時に飛散したミスト状の洗浄水及び洗浄屑を効果的に環状排気手段７から排気し、ミスト等の被洗浄物Ｗの表面への再付着を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】紫外線処理装置の周囲で大きな気流が発生しても、その影響を受けることなく、被処理物表面に紫外線を均一に照射することができ、被処理物の表面を均一に処理することができる紫外線処理装置、及び、紫外線照射装置を提供することにある。
【解決手段】本願発明の紫外線処理装置は、鉛直方向の下方に開口を有するランプハウス１と、ランプハウス１内に収容された紫外線ランプ２及びガス噴出孔３０を有する不活性ガス供給管３と、被処理物Ｗを搬送する搬送機構４と、被処理物Ｗを処理するためのチャンバー５とを備え、被処理物Ｗを搬送しながら紫外線を照射する紫外線処理装置において、ランプハウス１より搬送方向の上流側に被処理物Ｗが搬入される前方緩和室６が連結され、ランプハウス１より搬送方向の下流側に被処理物Ｗが搬出される後方緩和室７が連結され、チャンバー５には、搬送されてくる被処理物Ｗに対して鉛直方向の下方の位置に、排気管８が接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スループットを低下させることなく、ろ過効果を高めることが可能な薬液供給システムを提供する。
【解決手段】開示される薬液供給システムは、薬液を貯留する第１の容器および第２の容器と、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第１の配管に設けられ、第１の容器に貯留される薬液を第２の容器へ流す第１のポンプと、第１の配管に設けられ、第１の容器から第２の容器へ向かって第１の配管内を流れる薬液をろ過する第１のフィルタと、第１の容器と第２の容器とを繋ぐ第２の配管と、第２の配管に設けられ、第２の容器に貯留される薬液を第１の容器へ流す第２のポンプとを備える。 （もっと読む）

【課題】フットプリントを小さくすることができ、排気と排液との分離機構を特別に設ける必要のない液処理装置を提供すること。
【解決手段】排気・排液部６は、主にウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液する環状をなす排液カップ４１と、排液カップ４１の外側を囲繞するように設けられ、回転カップ３およびその周囲からの主に気体成分を取り入れて排気する排気カップ４２とを有し、回転カップ３は環状の庇部材３２を含み、排液カップ４１は、庇部材３２の下側で回転カップ３に形成された排出孔３３，３４を通してウエハＷから振り切られた処理液を取り入れて排液口４３から排液し、排気カップ４２は、庇部材３２の上側で排気カップ４２に形成された導入口４２ｂを通して回転カップ３の周囲からの気体成分を取り入れて排気口４５から排気し、排液カップ４１からの排液と排気カップ４２からの排気が独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】液槽３２は、被処理基板Ｗを液体に浸漬した状態で保持し、処理容器３１では、この液槽３２を内部の処理空間３１０に配置し、当該液槽３２内の液体を超臨界状態の流体に置換して被処理基板を乾燥する処理を行う。移動機構３５２、３５３は、液槽３２を、前記処理容器３１内の処理位置と当該処理容器の外部の準備位置との間で移動させ、当該処理容器３１に設けられた加熱機構３１２は、前記流体を超臨界状態としたり、その超臨界状態を維持する一方、冷却機構３３４、３３５は、前記処理容器３１の外部の準備位置に移動した液槽３２を冷却する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】処理容器３１内では、被処理基板Ｗが縦向きの状態で液体内に浸漬されており、この液体を超臨界状態の置換流体により押し出して処理容器３１より排出する。しかる後、液体と置換された後の置換流体を処理容器３１から排出して当該処理容器３１内を減圧し、この置換流体を超臨界状態から気体に遷移させることにより被処理基板Ｗを乾燥する。 （もっと読む）

【課題】基板の上面側からガスを供給するとともに基板の下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板の下面を処理する液処理装置において、トッププレートの位置を精度良く位置決めすることができる液処理装置及び液処理方法を提供する。
【解決手段】基板Ｗの上面側からガスを供給するとともに基板Ｗの下面側から処理液を供給し、供給された処理液により基板Ｗの下面を処理する液処理装置２２において、上面に開口１０５を有する処理容器１００と、処理容器１００内に設けられ、基板Ｗの周縁部ＷＥを支持する支持部７０、７２と、昇降可能に設けられ、下降した状態で開口１０５を塞ぐ天板部１１０と、天板部１１０が下降する際に、処理容器１００に対する天板部１１０の相対位置を所定の位置に位置決めする位置決め機構１３０とを有する。 （もっと読む）

【課題】パターン倒れや汚染の発生を抑えつつ、被処理基板を乾燥することの可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板保持部３４は液体により表面が濡れた状態の被処理基板Ｗを横向きに保持した状態で処理容器３１内に搬入し、このとき前記基板保持部３４と一体に形成され蓋部材３４１が処理容器３１の開口部３１１を塞ぐ。雰囲気形成部７１１、３９は前記処理容器内を超臨界流体の雰囲気とした後、姿勢変換機構６が処理容器３１の姿勢を変換して、当該処理容器３１内の被処理基板Ｗを縦に向ける。これにより被処理基板Ｗの上面の液体が流下して排出部から排出され、その後、排気部７３１より超臨界流体を排出することにより処理容器３１内を減圧して当該超臨界流体を気体とし、乾燥された被処理基板を得る。 （もっと読む）

【課題】被処理基板への影響を低減しつつ良好な洗浄、乾燥処理を実行可能な基板処理装置等を提供する。
【解決手段】基板処理装置２に設けられた洗浄槽２２１では、洗浄液供給部から洗浄液を供給しながら当該洗浄液に被処理基板Ｗを縦向きの状態で浸漬して洗浄が行われ、この洗浄槽２２１の上方領域と連通する乾燥室２１では、洗浄槽２２１から引き上げられた被処理基板Ｗの乾燥が行われる。そして、第１の乾燥ガス供給部及び第２の乾燥ガス供給部からは、洗浄後の被処理基板Ｗの上端が洗浄液の液面より上方に引き上げられた後、少なくとも被処理基板が晒される領域に、前記洗浄槽の上方領域から乾燥室内に至るまでの雰囲気に液体除去用の溶剤蒸気を含む第１の乾燥ガスと、前記溶剤蒸気を含まない第２の乾燥ガスとが交互に供給される。 （もっと読む）

【課題】マイクロラフネス、ウォーターマーク、基板材料損失、デバイス構造の破壊といったウェット洗浄が有する技術的課題を回避しつつ、極低温エアロゾル照射手法に比べてより多様な汚染物を基板から除去することができる基板洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄物が付着したウェハＷを洗浄する基板洗浄装置に、洗浄剤分子が複数集合してなるクラスターをウェハＷに噴射するクラスター噴射手段と、前記洗浄剤分子のクラスターを噴射することによって除去された被洗浄物を吸引する吸引手段と、ウェハＷ及び前記クラスター噴射手段を、被洗浄物が付着したウェハＷの面に沿って相対移動させる手段を備える。 （もっと読む）

【課題】供給ノズルに処理液を供給するための供給流路に設けられた差圧式流量計の流量の計測値が真の値からずれたことを容易に検知することができる基板処理方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理液を供給する供給流路に設けられた差圧式流量計を介して接続された供給ノズルにより基板に処理液を供給し、供給された処理液により基板を処理する基板処理方法において、基板に処理液を供給していないときに、供給流路内の圧力を差圧式流量計内の圧力計測部により計測する計測工程Ｓ１５と、計測工程Ｓ１５を行って計測した圧力値と、所定の圧力値とを比較することによって、圧力計側部が正常に動作しているかを判定する判定工程Ｓ１６と、判定工程Ｓ１６において圧力計側部が正常に動作していると判定したときに、基板に処理液を供給する供給工程Ｓ１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】薬液処理後の基板を水洗処理する場合に、純水の使用量を節減するとともに排液量を少なくすることができ、また処理時間を短縮し、さらに装置全体の省スペース化と製造コストの低減化が達成できる基板洗浄処理装置を提供する。
【解決手段】薬液処理後の基板Ｗに対し水洗処理を行う水洗処理室１０が、基板搬送方向において置換水洗領域２０１、水洗領域２０２および直水洗領域２０３にこの順に画定され、置換水洗領域２０１内に、入口ノズル１６と、高圧ノズル１８と、強制排出ノズル１００と、エアーノズル２２と、がそれぞれ配設される。置換水洗領域２０１内へ基板Ｗが搬入される前に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を開始し、置換水洗領域２０１内から基板Ｗが搬出された後に入口ノズル１６、高圧ノズル１８および強制排出ノズル１００からの洗浄水の吐出を停止するように制御する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジストを除去するための溶液を均一に混合して定量を基板に提供する。
【解決手段】薬液供給ユニットは本体、第１供給管、第２供給管、及び回転防止部材を含む。本体は薬液を受け入れる円形断面を有する内部空間及び内部空間と連結されて薬液を下方に吐き出す吐出口を有する。第１供給管は本体の側面に備わって内部空間と接線形態で連結され、第１薬液が内部空間に沿って回転するように第１薬液を内部空間に供給する。第２供給管は本体を貫通して本体の中心側と隣接する端部を有し、第１薬液と混合するように第２薬液を内部空間に供給する。回転防止部材は吐出口に配置し、第１薬液と第２薬液の混合薬液が回転しながら吐き出すことを防ぐために混合薬液の回転を減少させる。 （もっと読む）

【課題】容器内部に付着した金属の錯体化の効率を向上させることができる洗浄方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】容器内部にガスを供給し、容器内部に付着した金属を供給したガスと化合させ、金属及びガスが化合した金属化合物を気化させて該容器を洗浄する洗浄方法において、容器内部に酸化ガス又はハロゲン化ガスを供給して、容器内部に付着した金属に酸化処理又はハロゲン化処理を施す第一工程と、容器内部に錯体化ガスを供給して、酸化処理又はハロゲン化処理を施した金属に錯体化処理を施す第二工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】効率良く且つ確実に超臨界二酸化炭素を用いた超臨界乾燥を行うことが可能な超臨界乾燥方法および超臨界乾燥装置を提供すること。
【解決手段】隣接する複数のパターンを一面に有する基板を洗浄液で洗浄する第１工程と、前記基板上の前記洗浄液を置換液で置換する第２工程と、前記置換液が気化しない条件の不活性ガスにより、前記複数のパターン間に前記置換液が残存するように前記基板上の前記置換液の一部を液体状態で除去する第３工程と、前記基板を超臨界流体中に保持して前記複数のパターン間の前記置換液を超臨界流体で置換する第４工程と、前記基板に付着した超臨界流体を気化する第５工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】必要な洗浄能力が得られる温度にまで加熱可能であり、固体表面の付着物に対する洗浄能力が十分高く、かつ洗浄後の排気に大型の設備を必要とせず、また短時間で洗浄処理を完了することができる洗浄用ノズルを提供する。
【解決手段】加熱及び加圧された水を常圧下にて沸騰させることにより得られる自己生成２流体Ｆを生成する洗浄用ノズル１であって、加熱及び加圧された水の流量を制御する流路を備えたオリフィス部２と、オリフィス部２の下流側に形成され、オリフィス部２の流路の断面積を拡大し、自己生成２流体Ｆを生成する拡径部３と、拡径部３の下流側に形成されると共にオリフィス部２の流路よりも広い断面積を有する流路を備え、自己生成２流体Ｆを下流側に案内する整流部４とを有するものである。 （もっと読む）

【課題】薬液の溶存酸素を低減して基板の処理効率を向上させるとともに信頼性を向上させることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】本発明による基板処理装置１は、基板Ｗを処理する処理部１０と、薬液を貯留する薬液貯留容器２０と、薬液貯留容器２０から処理部１０に薬液を供給する薬液供給駆動部２３と、薬液貯留容器２０に貯留され薬液を循環する循環ライン３０と、循環ライン３０に設けられた混合体生成部３１とを備えている。混合体生成部３１には、不活性ガス供給源４０により不活性ガスが供給されるようになっている。混合体生成部３１は、薬液貯留容器２０から供給される薬液と、不活性ガス供給源４０から供給される不活性ガスとを混合して気液混合体を生成するようになっている。 （もっと読む）