【課題】直径の大きい基板のためのチャンバ内で、処理ガスを均一に散布するガス分配器を備えた処理チャンバを得る。
【解決手段】半導体基板を処理する処理チャンバ（２５）は、基板（５０）を支持する支持装置を含む。処理ガスをチャンバ（２５）に導入するガス分配器（９０）は、基板（５０）平面に対して所定の傾斜角度で処理ガスをチャンバ（２５）に噴射するガスノズルを有する。隋的に、ガス流制御装置（１００）は、処理ガスの流れを１つ又はそれ以上のガスノズル（１４０）を通して制御してパルス化する。排気装置はチャンバ（２５）からの処理ガスを排出するのに用いられる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに対してレジスト膜を形成し、露光後のウエハに対して現像を行う、塗布、現像装置において、例えばレジスト膜形成前のウエハに対して疎水化流体により疎水化処理を行うことによりウエハの裏面の周縁部が疎水化状態になる。このウエハの裏面を洗浄液とブラシとを用いて洗浄するとブラシが削れてウエハの裏面が汚染され、露光に不具合が生じる。そこでウエハの裏面を良好に行える手法を提供する。
【解決手段】露光前のウエハＷを水平保持し、鉛直軸周りに回転させるスピンチャック１０と、回転するウエハＷの裏面５１を、自転しながら洗浄する洗浄ブラシ３０と、洗浄時にウエハＷの裏面５１に洗浄液Ｓを供給する洗浄液ノズル１５と、を用い、少なくともウエハＷの周縁部５２を洗浄するときに、ウエハＷの回転数８０ｒｐｍ以下となるように制御する。 （もっと読む）

【課題】基板を処理する処理容器内におけるガスの流れをコントロールすることにより、処理容器内の圧力を適切に制御し、所望の圧力状態にすることが可能な基板処理技術を提供する。
【解決手段】処理容器２内に処理ガスを導入するとともに排気して処理容器２内の載置台４上に置かれた基板Ｇを処理する基板処理装置１であって、処理容器２内において、載置台４の周囲を複数の領域１５に仕切る仕切り部材６と、処理容器２の底面２ａにおいて、仕切り部材６によって仕切られた複数の領域１５にそれぞれ設けられた、処理ガスを排気する複数の排気口５と、複数の排気口５の各々に接続されて個別に作動可能な排気機構５５と、各領域１５の圧力を検出するセンサ４７と、センサ４７が検出した圧力に基づいて排気機構５５を個別に制御する制御装置４５を有する。 （もっと読む）

【課題】 スタブ導波管を備えたスロットアンテナ方式のマイクロ波プラズマ処理装置において、スタブ導波管の直下の電界強度を高めることにより、スロットアンテナ付近の電界分布を効果的に調節し、スロットアンテナ全体に均一な電界分布を形成させる。
【解決手段】 プラズマ処理装置１００は、偏平導波管を構成する平面アンテナ板３１の上に形成される電界分布を調整する第２の導波管としてのスタブ４３Ａを備えている。スタブ４３Ａは、導電性のカバー部材３４に設けられている。スタブ４３Ａは、平面アンテナ板３１の最外周に配列されたスロット対を構成するスロット３２と上下に重なるように配置されている。透過板２８の下面には、スタブ４３Ａと上下に重なるように環状溝２８ｂが設けられている。 （もっと読む）

【課題】 トランジスタの動作性能劣化を引き起こす可能性を軽減しつつ、低温プロセス、かつ、高スループットで有機化合物ガスを用いた基板処理を可能とする基板処理方法を提供すること。
【解決手段】 銅又は銅合金を含む薄膜を有した被処理基板の基板処理方法であって、複数の被処理基板Ｗと、複数のダミー基板ＤＷとを、複数段の被処理基板保持部６ａを有する被処理基板ボート５に、交互に保持させていく工程と、被処理基板Ｗ及びダミー基板ＤＷを、交互に保持した被処理基板ボート５を、有機化合物ガスを用いたドライ処理を行う処理容器に搬入する工程と、処理容器内において、被処理基板ボート５に保持された被処理基板Ｗに対し、有機化合物ガスを用い、銅又は銅合金を含む薄膜に対してドライ処理を行う工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】この発明は基板を搬送するための搬送ユニットを処理槽内に容易かつ精度よく設置することができるようにした処理装置を提供することにある。
【解決手段】処理槽１は、矩形状の下部フレーム２の四隅部に下端部が連結されて立設された支柱部材４と、支柱部材の上端部に四隅部が連結されて設けられた上部フレーム３と、支柱部材の高さ寸法に対応する間隔で上下方向に離間した下部フレームと上部フレームとがなす４つの側面に設けられ所定方向に位置する一対の側面の一方に上記基板の搬入口が形成され他方に上記基板の搬出口が形成された側壁部材１１と、下部フレームに所定間隔で架設されそれぞれの上面に第１の基準面１８が形成された複数の連結部材９と、第１の基準面を基準にして取付けられ搬入口から内部に搬入された基板を搬出口に向かって搬送する搬送ユニット２９と、下部フレームの開口部分を閉塞する底部材２１ａ，２１ｂと、上部フレームの開口部分を閉塞する天井部材２５によって構成されている。 （もっと読む）

【課題】大型化することなく、処理室内からの処理流体を含む排気を、所望の個別排気管に良好に導くことができる基板処理装置を提供すること。また、３つの個別排気管が全て閉塞することを確実に防止することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】処理室からの排気が集合管４５に導入される。排気切換器５０は、集合管４５から排気が導入される排気導入室５４と、排気導入室５４の内部に回転可能に設けられた回転板５５とを備えている。排気導入室５４の側壁５９には、３つの導出接続孔６２，７２，８２が、回転軸線Ｃを中心とする円周上に等角度間隔に貫通して形成されている。各導出接続孔６２，７２，８２には、個別排気管６０，７０，８０の上流端が接続されている。回転板５５の回転軸線Ｃまわりの回転に伴って、選択孔４９が３つの導出接続孔６２，７２，８２と順に対向する。 （もっと読む）

本発明による高圧処理器を利用した基板処理装置は、高圧の二酸化炭素を使用して基板を処理する高圧処理器と、前記高圧処理器で使用された二酸化炭素を排出する排出管から各々二酸化炭素を分岐する第１及び第２分岐ラインと、前記第１分岐ラインを通じて供給される二酸化炭素から添加剤を分離し、前記二酸化炭素を凝縮させ、且つ、その凝縮に冷却部の冷媒が通過する冷媒循環管と共に前記第２分岐ラインを通じて供給される二酸化炭素の断熱膨脹による温度下降が関与されるようにするリサイクル部と、前記リサイクル部または二酸化炭素供給部の液体二酸化炭素を高圧でポンピングする高圧ポンプと、前記高圧ポンプを通じて昇圧された二酸化炭素を段階的に加熱し、前記高圧処理器に供給するバッファーの役目をする第１及び第２加熱バッファー部と、を含む。このような構成を有する本発明は、集約化した単一構造のリサイクル部を構成し、洗浄または乾燥に使用された二酸化炭素から添加剤を分離し、凝縮過程を処理し、設備の体積を減少させ、フットプリントを低減し、点検項目の数を減らすことができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】装置設計、コスト、メンテナンス等の負担を軽減し、洗浄工程に要する時間を軽減することが可能な、噴射蒸気により被洗浄物の洗浄を行なうスチームジェット用ノズルを提供する。
【解決手段】ノズル本体１０は、蒸気室１２と、空気室１４と、蒸気室１２に通じる蒸気入力口１５と蒸気噴射口１６と蒸気排気口１７と、空気室１４に通じる空気入力口１８とを有し、蒸気室内１２には、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を有し、空気入力口１８から入力される圧縮空気により、噴射用バルブ２０と排気用バルブ３０を制御し、洗浄処理時には、蒸気入力口１５から入力された蒸気を、蒸気噴射口１６から噴出させ、待機時には、蒸気排気口１７から排気させる。 （もっと読む）

【課題】表面処理装置において、被処理物の表面上での処理ガスの流れを調節する。
【解決手段】被処理物９を支持部２１にて処理領域に配置して支持する。第１処理ガス供給系６０Ａにて、処理ガスを被処理物９の相対的に内側の部分に供給する。第２処理ガス供給系６０Ｂにて、処理ガスを被処理物９の相対的に外周側の部分に供給する。第１処理ガス供給系６０Ａの処理ガスの供給流量と第２処理ガス供給系６０Ｂの処理ガスの供給流量を互いに連関させて調節する。好ましくは、第１処理ガス供給系６０Ａの供給流量を第２処理ガス供給系６０Ｂの供給流量より大きくする。 （もっと読む）

【課題】処理ガスや反応生成物が基板の外周側縁部の上側に滞留するのを防止したり、基台にバイアス電位を均一にかけることができるプラズマ処理装置などを提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１は、処理チャンバ１１と、処理チャンバ１１内に配設され、基板Ｋが載置される基台と、処理ガスを供給するガス供給装置と、供給された処理ガスをプラズマ化するプラズマ生成装置４０と、基台の電極１７に高周波電圧を印加する高周波電源４５と、環状且つ板状に形成され、基台上に載置された基板Ｋの外周側縁部上面を内周側縁部により覆う保護部材２５と、基台を駆動して、基台上の基板Ｋが保護部材２５により覆われる保護位置と覆われない退避位置との間で昇降させる駆動装置２３とを備えており、保護部材２５は、基台が保護位置に移動したときに、基板Ｋの上面から保護部材２５の上面までの高さが１ｍｍ以上５ｍｍ以下となる板厚に形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の処理品質を向上させることができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、基板Ｗを保持するスピンチャック３と、スピンチャック３の周囲を取り囲む有底筒状の処理カップ６と、スピンチャック３および処理カップ６を収容する処理室２と、処理室２内に清浄空気を供給して、処理室２内に清浄空気の下降気流を形成するＦＦＵ（ファン・フィルタ・ユニット）１１と、処理カップ６内の雰囲気を排気するための吸引機構３３と、処理カップ６の周囲において処理室２内を上下に仕切る仕切板７とを備えている。 （もっと読む）

【課題】洗浄時におけるウエーハの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制することができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウエーハＷの直径よりも小さい直径で保持面１４を囲むように保持部１１上面に環状に形成された溝部１６と、一端が溝部１６に連通し他端が大気に開放されるように保持部１１に形成された連通路１７とを備えることで、保持面１４からの負圧吸引漏れによって吸着面に吸い込まれる雰囲気を、連通路１７で開放された大気の雰囲気とし、溝部１６より外周側におけるウエーハＷ裏面と保持部１１上面との間からの吸い込み雰囲気を全周に亘って均等に低減させるようにし、よって、洗浄時におけるウエーハＷの裏面側への洗浄水の回り込みを抑制できるようにした。 （もっと読む）

【課題】処理室内の試料台の結露を抑制し信頼性を向上させる。
【解決手段】真空容器内部に配置されガスが供給されてプラズマが形成される処理室２００と、前記処理室内に配置されウエハが載置される前記略円筒形の試料台２５０と、前記試料台の下方で前記ガスが排気される開口２０４と、前記試料台内部に配置され熱交換媒体が流れる媒体用通路３０４と、前記処理室内で水平方向に前記試料台を支持する梁２１６と、前記試料台内の前記通路の下方に配置され内部が大気圧にされた円筒形の空間２１４と、前記空間の内側壁と前記真空容器外とを連通する連結路３０９と、この連結路内に配置された前記熱交換媒体用管路と、前記空間内に配置された中央側のウエハ用ピンの駆動機構３０８及びこの外周側で複数の前記媒体用管路の前記試料台との接続部を覆う複数の金属製ブロックとの間から高温のガスを供給し前記連結路を通り前記空間内のガスが外部に排出する。 （もっと読む）

【課題】加熱対象となる基板以外に加熱の影響が及ぶことを防ぎつつ、基板に過剰なストレスを与えることなく、塗布液または熱硬化性の部材を効率的に均一に乾燥させることができる、局所加熱装置を提供する。
【解決手段】基板１を搬送する搬送手段と、側部周囲を囲まれ上下に開口を有する空間１１が形成され、上部開口端の全周が基板１の下面と接触して基板１を支持する基板支持部材４とを備える。また、基板支持部材４が基板１を支持した状態で上記空間１１の内部に位置し、基板１の加熱対象となる局所位置の下面側に熱風を噴射して、非接触な状態で局所位置を加熱する非接触加熱手段３と、上記空間１１と連通するように接続され、空間１１に存在する空気を排出する排気手段とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の液処理モジュール間で共有されている共通用力系の負荷を抑えた処理装置等を提供する。
【解決手段】処理モジュール群は、基板に対して各々同一の処理を行うための多数の処理モジュールを、ｎ個（ｎ≧２）を１組としてｋ組（ｋ≧２）備え、各組の処理モジュールには各組の処理モジュールに対して共通化されると共にその最大能力がｍ個（ｍ≦ｎ）分の大きさの共通用力系が設けられている。搬送機構は各組の処理モジュールに基板を順次１個づつ搬入する動作を繰り返し、このとき（１）共通用力系が使用されている一の処理モジュールにおける処理が終了した後にその組の他の処理モジュールへ基板を搬入するか、または（２）当該一の処理モジュールの処理の終了を待たずに他の処理モジュールへ基板を搬入してから当該一の処理モジュールにおける処理が終了した後に他の処理モジュールの処理を開始する。 （もっと読む）

【課題】水濡れしたシリコン材料に対してコンタミを生じさせることがなく、しかも当該シリコン材料を効率的に乾燥させることのできるシリコン用乾燥装置を提供する。
【解決手段】乾燥対象となる水濡れしたシリコン材料を密閉可能に収容するチャンバ１２と、前記チャンバ１２内に熱媒体として供給される清浄空気を加熱する加熱手段１６と、前記洗浄空気の前記チャンバ１２内への流路を開閉する開閉弁１８と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、減圧開閉弁４４を介して下流側に減圧ポンプ４６が取り付けられた減圧配管系２０と、上流端が前記チャンバ１２内部に連通し、排気開閉弁５２を介して下流側に排気ファン５４が取り付けられた排気配管系２２とで構成されると共に、前記加熱手段１６が、高純度シリコンの塊体からなり、ケーシング１６ａ内に収容される熱交換エレメント１６ｃを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバ内で基板表面に向けて電子ビームを照射して所定の基板処理を行う際に汚染物質が発生する基板処理装置において、処理チャンバから汚染物質を良好に、しかも低コストでクリーニング除去する。
【解決手段】電子ビーム照射を停止している間、オゾンガス供給ユニット４８Ｂにより処理空間４１ａにオゾンガスが初期充填された後に循環ファン４９ａが作動してクリーニング用流路（給排気流路）の両端部を処理空間４１ａに連通してなる循環経路に沿ってオゾンガスが循環する。この循環流動するオゾンガスによって処理チャンバ４１内に付着した汚染物質が分解されて処理チャンバ４１の内壁面全体がクリーニング除去される。 （もっと読む）

【課題】従来に比べて効率良く洗浄作業を行うことができ、かつ、高い洗浄効果を得ることのできる半導体製造装置の洗浄装置を提供する。
【解決手段】半導体製造装置の洗浄装置１００は、純水スチームを生成する純水スチーム生成容器２と、純水スチームを被洗浄部位へ供給する供給口１０と、純水スチーム生成容器２と供給口１０とを接続する純水スチーム供給ライン９と、純水を貯留する純水タンク５と、純水タンク５と純水スチーム生成容器２とを接続する純水供給ライン４と、純水供給ライン４に介挿された純水供給ポンプ６と、純水スチーム生成容器２内の純水の量を検知する重量センサ３と、重量センサ３からの信号に応じて純水供給ポンプ６を駆動し、純水スチーム生成容器２内に純水タンク５内の純水を供給する制御部２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のバーンイン試験を行うソケットを複数備えたバーンインボードにおいて、各ソケットをバーンインボードから取り外すことなく、一括して洗浄する。
【解決手段】バーンインボード１０が備える複数のソケット７は、それぞれ半導体装置を収容する窪みが形成された収容部８が配置される上面、収容部８内に配置され、バーンイン試験の際に半導体装置の外部端子と接触して通電するコンタクトピンを、それぞれ有している。ここで、ソケット７の洗浄工程では、洗浄液１８ａが充填された洗浄槽１８に複数のソケット７の上面側が洗浄液１８ａに浸るように、バーンインボード（配線基板）１０を洗浄槽１８に配置して、複数のソケット７の上面にそれぞれ形成された収容部８内の気体を排気ノズル１８ｃを用いて収容部８の外に排出する。 （もっと読む）