【課題】基板洗浄装置において基板の生産性を向上させること。
【解決手段】基板洗浄装置２は、洗浄部材５０により基板６を洗浄する位置から離れて設けられ、その下面がブラシ部と接触して当該ブラシ部を洗浄する洗浄面として形成されたブラシ洗浄体５と、洗浄部材を、基板を洗浄する領域とブラシ洗浄体によりブラシ部が洗浄される領域との間で移動させる移動手段と、ブラシ洗浄体の下面に洗浄部材のブラシ部を押し当て、ブラシ洗浄体と洗浄部材とを相対的に回転させるための手段と、ブラシ洗浄体とブラシ部材とを相対的に回転させているときにブラシ洗浄体の下面とブラシ部との間に洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】低湿度ガスの供給量を低減することができる基板処理装置を提供すること。
【解決手段】ウエハＷが収容されるチャンバ１と、チャンバ１内でウエハＷを保持するスピンチャック２と、チャンバ１内のスピンチャック２の上方に上下動可能に設けられ、低湿度ガスおよび清浄空気のいずれかを下方に向けて吐出可能なガス吐出ヘッド７と、ガス吐出ヘッド７を、少なくとも前記チャンバの上部の退避位置と、前記基板保持部に保持された基板に近接した近接位置との間で移動させる駆動機構６７と、スピンチャック２に保持されたウエハＷに処理液を供給する処理液供給ノズル１５と、スピンチャック２に保持されたウエハＷにＩＰＡを供給するＩＰＡ供給ノズル３５とを具備し、少なくともＩＰＡの供給時にガス吐出ヘッド７を近接位置に位置させて前記ガス吐出ヘッドから低湿度ガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】処理液の再利用を好適に図ることができ，しかも排気量を低減させることができる，基板処理装置を提供する。
【解決手段】ウェハＷを洗浄するウェハ洗浄装置５であって，ＡＰＭ及び純水を供給する供給ノズル３４と，ウェハＷを保持するスピンチャック３１と，スピンチャック３１を収納する容器３０とを備え，容器３０は内処理室４２と外処理室４３を備え，スピンチャック３１に対して容器３０を昇降自在に構成し，内処理室４２にＡＰＭ及び室内雰囲気を排出する第１の排出回路５０を接続し，外処理室４３に純水及び室内雰囲気を排出する第２の排出回路５１を接続し，ＡＰＭを供給ノズル３４から再びウェハＷの表面に供給するように構成した。 （もっと読む）

【課題】気体の吹き付けより液切りを行う一方で、当該気体の吹き付けに伴い搬入口側に運ばれる処理液等が当該搬入口から外部に漏れるのを防止する。
【解決手段】基板処理装置は、搬入口２ａから処理室１に搬入される基板Ｓに対して剥離液を供給した後、基板Ｓを搬出口３ａから搬出するように構成される。搬出口３ａの近傍には、基板Ｓに対して基板搬送方向における下流側から上流側に向かってエアを吐出することにより剥離液を除去する第１エアナイフ１３，１３が配置され、搬入口２ａの近傍には、基板搬送方向における上流側から下流側に向かってエアを吐出する第２エアナイフ１４，１４が設けられる。コントローラ３０は、第１エアナイフ１３，１３によるエアの吐出動作中に第２エアナイフ１４，１４からエアが吐出されるようにエアの吐出動作を制御する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、速やかにエキシマランプの周囲に不活性ガスを満たすことのできる紫外線照射ユニットを提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明の紫外線照射ユニットは、放電容器内に形成された密閉空間に放電ガスが封入されると共に、当該密閉空間を挟んで一対の電極が前記放電容器の外表面に形成された複数のエキシマランプと、当該複数のエキシマランプを取り囲み鉛直方向における一方向が開口したランプハウスと、当該ランプハウスの内部に不活性ガスを供給するためのガス供給機構とを備える紫外線照射ユニットであって、前記ランプハウス内には、前記エキシマランプによって占有されている空間以外の空間に空間閉塞体が配置されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、開口部内の残渣を検出すると同時に除去することにより、高いスループットで半導体装置の歩留り、信頼性の向上を図ることが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、複数の開口部が形成されたウェーハｗが搬入され、検査、処理されるチャンバ１１と、ウェーハｗの所定位置に電子ビーム１４を照射する機構１５、１６と、電子ビーム１４の照射により、複数の開口部より残渣を有する開口部を検出する機構１７と、活性化されることにより残渣の除去が可能なプロセスガスを、チャンバ１１内に供給するガス供給機構１８と、チャンバ１１内の圧力を制御して排気するガス排出機構１９を備える。 （もっと読む）

【課題】基板から排出された処理液が蒸気となることを抑制または防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置１は、スピンチャック３、処理液ノズルおよびカップ５を備えている。スピンチャック３によりウエハＷが回転された状態で、当該ウエハＷの上面に処理液ノズルから処理液が供給される。ウエハＷに供給された処理液は、遠心力によりウエハＷから排出され、カップ５により受け止められる。このとき、処理液ノズルからの処理液の吐出と並行して、洗浄液ノズル３８から洗浄液が吐出されており、カップ５により受け止められた処理液は、速やかに洗い流されて排液口３２から排液される。 （もっと読む）

【課題】不活性ガスの使用量を低減して被照射物の洗浄及び表面改質のコスト削減可能な紫外線照射装置を提供する。
【解決手段】紫外線を放射する光源２と光透過窓３とを有するランプハウス４と、光透過窓３と被照射物Ｐとの間の空間Ｓに少なくとも不活性ガスと酸素とが含まれる混合ガスを導入するためのガス導入手段５とを備え、ランプハウス４は、不活性ガスを導入するためのガス導入口７と、不活性ガスを排出するためのガス排出口８とを有しており、ガス排出口８から排出された不活性ガスをガス導入手段５に送る回送流路６が備えられていることを特徴とする紫外線照射装置１。 （もっと読む）

【課題】ウエハ上における異物の発生を簡便且つ確実に抑制することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷを収容する反応室１５内へ四フッ化炭素ガスを供給してプラズマを生じさせ、該プラズマがウエハＷ表面のポリシリコン層にプラズマエッチングを施した後、反応室１５内に塩素ガスを供給し、次いで反応室１５内にアンモニアガスを供給する。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置に故障が発生した場合、特に重大な故障でない限り、装置全体を停止させることなく、基板に対する一部の処理を継続して、基板を洗浄・回収したり、装置内の基板を容易に外部に排出したりすることで、基板が処理不能となるリスクを低減できるようにする。
【解決手段】研磨部３、洗浄部４及び搬送機構７，２２を有する基板処理装置の運転方法であって、研磨部３、洗浄部４及び搬送機構７，２２のいずれかで異常を検知した際に、異常を検知した場所及び基板の基板処理装置内の位置によって基板を分類し、異常検知後における基板に対する処理を分類した基板毎に変えて行う。 （もっと読む）

【課題】基板の表面に形成された絶縁膜や金属膜などの膜減りを生じることなく、その基板の表面からポリマーを良好に除去することができる、ポリマー除去方法およびポリマー除去装置を提供する。
【解決手段】基板の周囲の雰囲気が窒素ガス雰囲気に置換された後、その窒素ガス雰囲気下において、基板の表面にポリマーをエッチング作用により除去するためのふっ酸ベーパが供給される。そして、そのふっ酸ベーパの供給と並行して、基板が回転されるとともに加熱される。 （もっと読む）

【課題】薬液の劣化を抑え、気化効率が高くキャリアガスの流量を少なくすることができる気化装置、及びこの気化装置を備えることにより気化された処理ガスの漏洩のリスクを低減させた基板処理装置、基板処理方法を提供すること。
【解決手段】気化プレート３１の表面に多数の溝部３６を形成し、毛細管現象により薬液であるＨＭＤＳ液をこれら溝部３６を介して気化面の上に広げ、この状態でキャリアガスを気化面に供給してＨＭＤＳ液を気化させ処理ガスを得ている。従って気化を行わないときには、貯留されたＨＭＤＳ液がキャリアガスに接触するといったことがないので、ＨＭＤＳ液の劣化が抑えられる。また小型化を図ることができる上、気化効率が高いのでキャリアガスが少なくて済む。また気化装置３を小型化できることから、処理容器２２の側に置くことができ、処理ガスの配管を短くする、若しくは無くすことができるので、処理ガスの漏れが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】基板表面に形成された厚膜等の被乾燥物を乾燥むらなく短時間で乾燥させることができる基板の乾燥方法及び乾燥炉を提供する。
【解決手段】溶剤を含む被乾燥物が表面に形成された基板を、その被乾燥物形成面側を上方にして乾燥炉内に略水平に設置し、ガス供給手段から出力される溶剤ガスを加熱し、その加熱溶剤ガスを基板下部から供給して基板上の被乾燥物を乾燥させ、被乾燥物の上方近傍の溶剤ガスの溶剤濃度を測定し、溶剤濃度が所定の濃度となるように溶剤ガス供給手段の出力溶剤濃度を制御する。 （もっと読む）

【課題】露光前のウェハの裏面全面を効率よく洗浄する。
【解決手段】処理容器１１０の一の側面には、搬送機構１０１の搬送アーム１２０に保持されたウェハＷを搬入出させる搬入出口１１１が形成されている。処理容器１１０内には、搬送アーム１２０に保持されたウェハＷの裏面の付着物を静電気によって捕集するために帯電可能な帯電部材１３０と、当該ウェハＷの裏面に気体を噴射できる気体噴射ノズル１４０が設けられている。処理容器１１０の底面であって、帯電部材１３０の周囲には、処理容器１１０内の雰囲気を排気する排気口１５０が形成されている。処理容器１１０内であって、搬入出口１１１側の内側面には、ウェハＷの裏面の付着物を検査する検査機構１６０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】装置の占有面積の増大を抑えつつ、基板搬送手段に対する処理、基板の待機或いは基板に対する処理を行なう付属モジュールを追加すること。
【解決手段】真空搬送室３の底部３０に凹部４１を形成し、ここに第２の搬送アーム３２の洗浄処理を行う付属モジュール（洗浄モジュール４）を、前記第２の搬送アーム３２によるウエハＷの搬送を阻害しないように前記凹部４１に収納する位置と、前記真空搬送室３内において前記第２の搬送アーム３２の前記保持領域を洗浄する位置との間で昇降させる。前記洗浄モジュール４は使用しないときには前記凹部４１に収納し、使用するときには真空搬送室３内に突出するようにしているので、装置の占有面積の増大を抑えつつ、前記付属モジュールを追加することができる。 （もっと読む）

【課題】小型で、しかも基板表面を良好に処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。
【解決手段】乾燥処理を実行する前に処理空間１６２の湿度を低下させており、乾燥処理を低湿度雰囲気で行っているため、基板乾燥により基板表面にウォーターマーク等が発生するのを効果的に抑えることができる。また、乾燥性能を高めるために置換処理を行っているが、湿度が低下した処理空間でＩＰＡ液が蒸発するため、ＩＰＡ乾燥時に発生する気化熱に起因する乾燥不良を効果的に抑えて基板乾燥を良好に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】処理流体室内の圧力異常を精度良く検出することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】
制御装置は、第１サンプリング窓および第２サンプリング窓の開閉状態に応じて、第１〜第４設定圧力検出信号のうち１つの設定圧力検出信号を選択する（ステップＳ１）。制御装置は、選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されるか否かを監視している（ステップＳ２）。選択された設定圧力検出信号が圧力センサから出力されると（ステップＳ２でＹＥＳ）、制御装置は薬液キャビネット内に圧力異常が発生したと判定し（ステップＳ４）、警報器から所定の警報音または警報表示を出力させる（ステップＳ５）。 （もっと読む）

【課題】排気中の溶剤を回収することにより、排気中の溶剤濃度を低減して排気設備の負担を軽減できる。
【解決手段】処理槽１を囲うチャンバ１１内に溶剤ノズル１７を介して高濃度のイソプロピルアルコールの蒸気が供給される場合であっても、スタティックミキサ６３により排気が純水と混合される。したがって、気体にイソプロピルアルコールの蒸気が含まれていても、純水とともに気液分離部５３に送られるので、イソプロピルアルコールの蒸気は純水とともに排出される。その結果、気液分離部５３からの排気中のイソプロピルアルコールの濃度を低減できる。 （もっと読む）

【課題】薬液のガスの排気量を少なくすることができるとともにこの薬液のガスの排気のコントロールを容易に行うことができ、また、処理空間形成部や処理液供給部以外の周辺ユニットについて耐薬品性を考慮する必要がなくなり、さらに処理液供給部のメンテナンス性を向上させることができる基板洗浄装置および基板洗浄方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの周縁部の洗浄を行う基板洗浄装置は、被処理基板Ｗを支持するとともに回転させる回転支持部２２と、回転支持部２２により支持される被処理基板Ｗの周縁部を覆うような処理空間３６を形成する処理空間形成部３０と、を備えている。また、処理空間３６内にある被処理基板Ｗの周縁部に処理液を供給する処理液供給部４０が設けられている。処理液供給部４０は、処理空間形成部３０により形成される処理空間３６に外部から挿入可能となっている。 （もっと読む）

【課題】遠心力とロータによる排液、排気効率を高めることのできる基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の基板処理方法は、被処理基板１を載置する試料ステージ２と、試料ステージ２内に配置するスピンロータ３と、スピンロータ３の中心部から液体を供給する供給ノズル４とを備え、スピンロータ３の回転によって、供給ノズル４から供給される液体を被処理基板１の外周方向に排出させることを特徴とする。 （もっと読む）